「surface ion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

SURFACE TREATMENT METHOD FOR HAIR CLIPPER BLADE BY ION IRRADIATION例文帳に追加

イオン照射によるバリカン刃の表面処理方法 - 特許庁

METHOD OF PROCESSING SOLID SURFACE WITH GAS CLUSTER ION BEAM例文帳に追加

ガスクラスターイオンビームによる固体表面の加工方法 - 特許庁

SURFACE-TREATED STEEL SHEET HAVING NEGATIVE ION GENERATING FILM例文帳に追加

マイナスイオン発生皮膜を有する表面処理鋼板 - 特許庁

In the ion implantation process (S14), ion is implanted to the flat surface of a piezoelectric substrate 1.例文帳に追加

イオン注入工程（Ｓ１４）は圧電基板１の平坦面にイオンを注入する。 - 特許庁

The ion beam inclined to the sample surface is used therein.例文帳に追加

試料表面に対して傾斜したイオンビームを用いる。 - 特許庁

METHOD FOR SURFACE TREATMENT OF COLLECTOR FOR LITHIUM ION BATTERY例文帳に追加

リチウムイオン電池用集電体の表面処理方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING FOR ORGANIC ION CRYSTAL HAVING SMOOTH SURFACE例文帳に追加

平滑表面をもつ有機イオン結晶の製造方法 - 特許庁

TREATMENT OF OPTICAL ELEMENT SURFACE BY ION BEAM ETCHING例文帳に追加

イオンビームエッチングによる光学素子表面の処理方法 - 特許庁

METHOD OF FLATTENING SOLID SURFACE BY GAS CLUSTER ION BEAM例文帳に追加

ガスクラスターイオンビームによる固体表面の平坦化方法 - 特許庁

SURFACE ANALYSIS METHOD AND SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY例文帳に追加

表面分析方法および二次イオン質量分析法 - 特許庁

To prevent re-diffusion into a chamber due to sputtering of an ion bombardment surface of an ion recovering device and/or deposited substances on the ion bombardment surface.例文帳に追加

イオン回収装置のイオン衝突面および／またはイオン衝突面に堆積した物質のスパッタリングによるチャンバ内への再拡散を防止する。 - 特許庁

GAS CLUSTER ION BEAM GUN, SURFACE ANALYSIS DEVICE AND SURFACE ANALYTICAL METHOD例文帳に追加

ＧＣＩＢ（ガスクラスターイオンビーム）銃、表面分析装置および表面分析方法 - 特許庁

An ion generating section 10 releasing the ion is attached to a dial surface 2, a dial back-surface 5, and the buckle 6.例文帳に追加

イオンが放出されるイオン発生部１０は、文字盤表面２、文字盤裏面５およびバックル６に取り付けられている。 - 特許庁

To provide components in an ion implanter having a surface adjacent to the path of an ion beam through the ion implanter.例文帳に追加

本発明は、イオン注入装置を通るイオンビームのパスに近接する表面を有するイオン注入装置のコンポーネントに関する。 - 特許庁

Ion implantation is executed from a rear surface 13 of a piezoelectric single crystal substrate to form an ion implantation layer.例文帳に追加

圧電単結晶基板の裏面１３からイオン注入を行い、イオン注入層を形成する。 - 特許庁

Titanium oxide is evaporated onto the surface of a substrate by using a helium ion beam as an assist ion beam.例文帳に追加

ヘリウムイオンビームをアシストイオンビームとして用いて基板表面に酸化チタンを蒸着させる。 - 特許庁

A semiconductor ion sensor has an ion-sensitive film 11 on the surface of a gate oxide film 4.例文帳に追加

ゲート酸化膜４の表面にイオン感応膜１１を備えた半導体イオンセンサに関する。 - 特許庁

The ion gel with film 10 includes a film 14 formed on the surface of a core 12 composed of ion gel.例文帳に追加

イオンゲルからなるコア１２の表面に皮膜１４を形成し、皮膜付イオンゲル１０とする。 - 特許庁

The negative ion outlet 5 of the negative ion generater part is arranged at a position near the peripheral holding surface 4.例文帳に追加

マイナスイオン発生部のイオン放出口５を周部挟持面４の近傍位置に配設する。 - 特許庁

The semiconductor ion sensor has an organic ion-sensitive film 6 on the surface of a gate oxide film 4.例文帳に追加

ゲート酸化膜４の表面に有機イオン感応膜６を設けた半導体イオンセンサに関する。 - 特許庁

To provide an ion exchanger which can reduce a bias in capacity factor inside an ion exchange resin board surface.例文帳に追加

イオン交換樹脂板面内の利用率の偏りを低減できるイオン交換器を提供する。 - 特許庁

The vapor permeable membrane is a complexified vapor permeable membrane which has an ion-exchange layer on the surface of a surface-treated porous substrate and is characterized in that the counter ion of the ion-exchange group in the ion-exchange resin is an ammonium ion and/or metal ion.例文帳に追加

表面処理された多孔質基体の表面にイオン交換樹脂の層を有する複合化された水蒸気透過膜であって、該イオン交換樹脂中のイオン交換基の対イオンが、アンモニウムイオン及び／又は金属イオンであることを特徴とする水蒸気透過膜。 - 特許庁

In large-current ion implantation equipment, the shape of a surface 4B of the ion beam current measuring apparatus 4, the surface of which is adjacent to an ion beam, is made a round, and area which is in contact with the ion beam is reduced.例文帳に追加

大電流イオン注入装置におけるイオンビーム電流計測装置４のイオンビームと近接する面４Ｂの形状をＲ形に構成し、イオンビームと接触する面積を低減する。 - 特許庁

The surface reforming layer 21 or the surface protective layer 23 is desirably formed by the ion radiation using an ion source.例文帳に追加

表面改質層２１または表面保護層２３はイオン源を用いたイオン照射により形成されることが望ましい。 - 特許庁

A potential of an electrode constituting the ion source is controlled to make a generated ion collide with a constitution surface of the ion source.例文帳に追加

発生したイオンがイオン源の構成体表面に衝突するように、イオン源を構成する電極の電位を制御するようにした。 - 特許庁

SOLID SURFACE FLATTENING METHOD BY GAS CLUSTER ION BEAM AND SOLID SURFACE FLATTENING APPARATUS例文帳に追加

ガスクラスターイオンビームによる固体表面の平坦化方法および固体表面平坦化装置 - 特許庁

An impurity ion is ion implanted into a surface layer of a pad electrode 9a exposed on a protection film 11.例文帳に追加

保護膜１１から露出したパッド電極９ａの表面層に不純物イオンをイオン注入する。 - 特許庁

ION PLATING DEVICE, THIN FILM FORMATION METHOD, AND SUBSTRATE WITH SMOOTH SURFACE例文帳に追加

イオンプレーティング装置、薄膜形成方法及び表面平滑基板 - 特許庁

METHOD FOR PROMOTING ABSORPTION OF CALCIUM ION FROM SURFACE OF PLANT例文帳に追加

植物の表面からのカルシウムイオンの吸収を促進する方法 - 特許庁

Ion exchange water flows on the surface of the titanium oxide film 16b.例文帳に追加

また、酸化チタン膜１６ｂの表面はイオン交換水が流れる。 - 特許庁

Further, ion-implantation is possible over the entire surface without providing a mask.例文帳に追加

またマスクを設けることなく全面にイオン注入が可能である。 - 特許庁

The components in the ion implanter having the surface defining at least a part of the ion beam path through the ion implanter is provided.例文帳に追加

イオン注入装置を通るイオンビームパスを少なくとも一部画定している表面を有するイオン注入装置コンポーネントが提供される。 - 特許庁

To provide an ion implanting device suppressing variation of angles in a wafer surface at which a wafer is irradiated with an ion beam, and an ion implanting method.例文帳に追加

イオンビームがウェハに照射される角度のウェハ面内ばらつきを抑制するイオン注入装置及びイオン注入方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ion injection system that equalizes characteristics within the surface of a wafer 20, in an ion injection system provided with an ion injection device and injected characteristic measuring part.例文帳に追加

イオン注入装置と注入された特性測定部とを備えるイオン注入システムにおいて、ウェハ２０面内の特性を均一にする。 - 特許庁

The static eliminator 1 includes an ion generating element 11 arranged adjacent thereto along the carrying direction and having an ion generating surface for generating negative ions, and an ion generating element 12 having an ion generating surface for generating positive ions.例文帳に追加

除電装置１は、搬送方向に沿って近接配置された負イオンを発生するイオン発生面を有するイオン発生素子１１と正イオンを発生するイオン発生面を有するイオン発生素子１２とを有している。 - 特許庁

To provide a secondary battery storage device which efficiently cools an Li-ion battery in a simple structure, and prevents the emission of white smoke even if an increase in the surface temperature of the Li-ion battery results in a jet of a gasfied electrolyte.例文帳に追加

簡単な構造でLi-ion電池を効率よく冷却すると共に、Li-ion電池の表面温度が高温化し、ガス化した電解液が吹き出しても白煙の発生を防止する。 - 特許庁

Pulsing primary ion is irradiated from the primary ion irradiation device 12 toward the surface of the metal sample 17.例文帳に追加

一次イオン照射装置１２から金属試料１７の表面に向けてパルス状の一次イオンが照射される。 - 特許庁

To provide an ion implantation method and an ion implantation device which effectively restrain dielectric breakdown of a wafer surface.例文帳に追加

ウエハ表面の絶縁破壊を有効に抑制するイオン注入法及びイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

(2) A high impurity concentration layer is formed by phosphorous-ion implantation or other ion implantation and an ohmic electrode is provided on the surface.例文帳に追加

(２)燐等のイオン注入により高不純物濃度層を形成し、その表面にオーミック電極を設ける。 - 特許庁

Further, ion air blow-out holes 82 for blowing ion air onto a main surface of each substrate are provided in the head support part 201.例文帳に追加

また、ヘッド支持部２０１には、基板主面にイオンエアを吹き付けるためのイオンエア吹出穴８２が設けられる。 - 特許庁

Preferably, a surface layer 3 is provided on the elastic layer 2 and the surface layer 3 contains the ion conductor.例文帳に追加

好適には、弾性層２上に表層３を備え、表層３がイオン導電剤を含有する。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted in the surface (major surface) of a single crystal Si substrate 10 to form a hydrogen ion implantation layer (ion implantation damage layer) 11.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基１０の表面（主面）に水素イオンを注入し、水素イオン注入層（イオン注入ダメージ層）１１を形成する。 - 特許庁

To improve homogeneity of in-plane distribution of ion amount implanted to a wafer surface.例文帳に追加

イオン注入量のウェハ面内分布の均一性を向上させる。 - 特許庁

To surely prevent a metal ion from depositing on a valve port surface.例文帳に追加

弁口表面に金属イオンが析出することを確実に防止する。 - 特許庁

An element ion implantation layer is formed in a position of a prescribed depth from the surface by implanting prescribed element ion from the surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェーハの表面から所定の元素イオンを注入して、この表面から所定深さ位置に元素イオン注入層を形成する。 - 特許庁