「solid phase diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

SOLID PHASE DIFFUSION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD USING THE METHOD例文帳に追加

固相拡散法及びその方法を使用した半導体装置の製造方法 - 特許庁

The aimed substance mixes with the flux by solid phase reaction, that is, solid phase diffusion to produce a liquid phase of the eutectic, from which a crystal is epitaxially grown.例文帳に追加

固相反応、すなわち固相拡散によって、目的物質とフラックスが混合し、共晶状態の液相となり、液相からエピタキシー成長する。 - 特許庁

The obtained mouthpiece (1) for shaping has a nickel-containing diffusion bonded region (7) on the solid phase diffusion bonded surface.例文帳に追加

得られた賦形用口金(1) は固相拡散接合面にニッケルを含む拡散接合領域(7) が介在している。 - 特許庁

The striped base region 20 is formed through a solid phase diffusion or epitaxial growth.例文帳に追加

ストライプ状ベース領域は、固相拡散もしくはエピタキシャル成長により形成される。 - 特許庁

Then, the catalyst layer 12 carries out solid-phase diffusion ionizing hydrogen gas into atomic hydrogen.例文帳に追加

そして、触媒層１２は水素ガスを原子状の水素に電離して固相拡散させる。 - 特許庁

ZINC SOLID PHASE DIFFUSION METHOD OF INDIUM PHOSPHIDE (InP) SYSTEM LIGHT RECEIVING ELEMENT AND INDIUM PHOSPHIDE SYSTEM LIGHT RECEIVING ELEMENT例文帳に追加

ＩｎＰ系受光素子の亜鉛固相拡散方法とＩｎＰ系受光素子 - 特許庁

The first layer and the second layer are bonded with each other by solid-phase diffusion (step S4).例文帳に追加

前記第１の層及び前記第２の層を互いに固相拡散接合する（ステップＳ４）。 - 特許庁

The ends of the coils are connected to the terminal electrode 20 by solid phase diffusion welding or by welding.例文帳に追加

前記巻線端末は固相拡散接合又は溶接で端子金具２０に接合される。 - 特許庁

Otherwise, the crack is repaired by applying a load to the top of the cracked component and generating compression stress to cause the solid phase diffusion joining or liquid phase diffusion joining.例文帳に追加

あるいは、き裂を生じた部品の上部に荷重をかけて部品に圧縮応力を発生させ、固相拡散接合または液相拡散接合によってき裂を補修する。 - 特許庁

An external base region 19 is formed from the base taking-out electrode 21 by solid-phase diffusion.例文帳に追加

そして、ベース取り出し電極２１から固相拡散により外部ベース領域１９を形成する。 - 特許庁

A pure nickel solid phase thin film is formed on the bonding surface of the plate (2), and then the divided flow ways are matched and bonded to each other by a solid phase diffusion bonding method.例文帳に追加

次いで、前記プレート(2) の接合面に純ニッケルの固相薄膜を形成した後、前記分割流路を合わせて固相拡散接合法により接合する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method which enables the solid-phase diffusion joining of tantalum of a prescribed shape and carbon by a simple method, and forms a carbide on a tantalum surface other than a place where the solid-phase diffusion joining of the tantalum and the carbon is performed.例文帳に追加

簡易な方法で、所定の形状のタンタルと炭素との固相拡散接合を可能とし更に、タンタルと炭素の固相拡散接合を行う場所以外のタンタル表面に炭化物を形成する方法を提供する。 - 特許庁

Further, even if a flooding state occurs due to the product water, the atomic hydrogen can well be moved by the solid-phase diffusion.例文帳に追加

また、生成水によりフラッディング状態が発生しても、固相拡散によって原子状の水素を良好に移動できる。 - 特許庁

Friction press-bonding and friction stir-bonding are applicable for a method of solid phase diffusion bonding when a hot isostatic press is used.例文帳に追加

固相拡散接合の方法としては、熱間静水圧プレスを使用した接合、摩擦圧着接合、摩擦攪拌接合が適用できる。 - 特許庁

Consequently, the conductor layers 11 and interlayer connection members 15b in contact states are bonded through solid-phase diffusion bonding.例文帳に追加

これによって、接触状態にある導体層１１と層間接続部材１５との間が固相拡散接合によって接合される。 - 特許庁

The film in which Ni and Ti are coexistent is subjected to melting or solid phase diffusion by heating, thus the Ti-Ni alloy film can be obtained.例文帳に追加

このＮｉとＴｉが共存した皮膜を加熱によって溶融若しくは固相拡散せしめることで、Ｔｉ-Ｎｉ合金膜が得られる。 - 特許庁

The laser also has impurity-diffused areas 111 formed on the end faces of the laser by performing solid-phase Zn diffusion for forming the end-face window structures.例文帳に追加

１１１はレーザ端面に端面窓構造を形成するためにＺｎの固相拡散により設けられた不純物拡散領域である。 - 特許庁

By keeping the piping for at least five minutes with a pressure of ≥20 MPa, the close closing by the solid phase diffusion bonding of the inner surfaces of the piping 12 can be obtained.例文帳に追加

さらに２０MPa以上の加圧力で５分以上保持することで配管１２内面の固相拡散接合による密着閉止を得る。 - 特許庁

To provide an improved optical analysis system for enhancing the response speed and sensitivity by increasing a surface area of a solid phase, reducing the diffusion length and reinforcing optical coupling to an excitation light source between the solid phases and coupling between the solid phase and a detected object.例文帳に追加

固相の表面積の増加、拡散距離の低下、および固相間の励起光源に対する光学的結合ならびに固相と検出物との結合の強化により反応速度および感度が向上した改善された光学的分析システムを提供するものである。 - 特許庁

To provide an improved optical analytical system of enhanced reaction rate and sensitivity, by increasing a surface area of a solid phase, by reducing a diffusion distance, and by making firm optical coupling to an excitation light source between the solid phases, and coupling between the solid phase and a detected object.例文帳に追加

固相の表面積の増加、拡散距離の低下、および固相間の励起光源に対する光学的結合ならびに固相と検出物との結合の強化により反応速度および感度が向上した改善された光学的分析システムを提供するものである。 - 特許庁

The particle diameter is made to be within this range, thereby preventing reduction in the adhesive strength of the positive electrode material and simultaneously preventing delay of solid phase diffusion of a lithium ion.例文帳に追加

粒径をこの範囲内とすることで正極材料の接着強度の低下が防止され、同時にリチウムイオンの固体内拡散の遅延が防止される。 - 特許庁

Carbon or nitrogen is vapor-phase vapor-deposited on a surface of a base material at high temperature to form a niobium carbide or niobium nitride diffusion layer, and silicon is vapor-phase vapor-deposited thereon to manufacture a nano composite coated layer by the solid phase substitution reaction.例文帳に追加

高温で母材表面に炭素または窒素を気相蒸着してニオビウム炭化物またはニオビウム窒化物拡散層を形成した後、シリコンを気相蒸着して固相置換反応によってナノ複合被覆層を製造する。 - 特許庁

Specifically, the crack is repaired by sandwiching the top and bottom of the cracked component with a jig having a lower thermal expansion coefficient than a thermal expansion coefficient of the component and generating compression stress in the component during the heat treatment to cause the solid phase diffusion joining or liquid phase diffusion joining.例文帳に追加

具体的には、き裂を生じた部品の上部と下部を部品の熱膨張率より低い熱膨張率の治具で挟んで熱処理中に部品に圧縮応力を発生させ、固相拡散接合または液相拡散接合によってき裂を補修する。 - 特許庁

A ZnO film 8 being a solid-phase diffusion source is formed on an entire surface on a p-type GaN contact layer 7, and thereafter a SiO_2 film 20 being a diffusion suppression film is formed in a predetermined region on the ZnO film 8.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮコンタクト層７上の全面に固相拡散源であるＺｎＯ膜８を形成した後、ＺｎＯ膜８上の所定領域に拡散抑制膜であるＳｉＯ_２膜２０を形成する。 - 特許庁

In the superconducting wire obtained by a solid phase reaction method, a stabilizing material and a superconducting member are connected through the diffusion barrier, and ceramic powder is used as the main component of the diffusion barrier.例文帳に追加

固相反応法によって得られる化合物超電導線材において、拡散障壁を介して安定化材と超電導部材とを接続させ、拡散障壁の主構成要素としてセラミックス粉体を使用する。 - 特許庁

Even if a part of an N-diffusion layer 6 is overetched and the P well 1 is exposed due to pattern displacement of contact pads, no etching damage is left on the border between the N-diffusion layer 6 and the P well 1, since the exposed surface is covered with an N-diffusion layer 11 by ion implantation or solid phase diffusion of phosphorus.例文帳に追加

コンタクト用パッド９の目ずれが原因でＮ−拡散層６の一部がオーバーエッチングされてＰウェル１が露出しても、その露出面をイオン注入或いはリンの固相拡散によりＮ−拡散層１１で覆うため、Ｎ−拡散層６とＰウェル１との境界のエッチングダメージを残すことはない。 - 特許庁

To provide a structure of a semiconductor device in which a gold ball such as an Au bump is bonded to an Au electrode by solid phase diffusion, and the quality of the bonded part is easily determined.例文帳に追加

Au電極に、Auバンプ等の金ボールを固相拡散接合する半導体装置であって、接合部の良否判定を容易に行うことができる構造を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor light emitting device capable of forming end surface window structure by Zn solid phase diffusion which can be performed in low temperature and short time, furthermore is independent of thickness.例文帳に追加

本発明は、低温、短時間、膜厚に依存しないＺｎ固相拡散により端面窓構造を形成できる半導体発光素子の製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide an improved optical analysis system, having improved reaction speeds and sensitivity, by an increase in the surface area of a solid phase, decrease in the diffusion distance, and the reinforcement in optical combination to the excitation light source between the solid phases and the combination, between the solid phases and a detection object.例文帳に追加

固相の表面積の増加、拡散距離の低下、および固相間の励起光源に対する光学的結合ならびに固相と検出物との結合の強化により反応速度および感度が向上した改善された光学的分析システムを提供するものである。 - 特許庁

The membrane electrode assembly is formed by joining the diffusion layer with a solid polymer electrolyte membrane through a catalyst layer, and the catalyst layer comprises a composite of a first phase comprising a catalyst and a first solid polymer electrolyte for giving and receiving protons and of a reinforcing material for suppressing the damage of the solid polymer electrolyte membrane by the diffusion layer.例文帳に追加

本発明は、固体高分子電解質膜に触媒層を介して拡散層を接合した膜電極接合体において、触媒層は、触媒及び該触媒にプロトンを授受するための第１の固体高分子電解質からなる第１相と、拡散層による固体高分子電解質膜の損傷を抑制するための補強材とを備えた複合体からなることを特徴とする。 - 特許庁

This gas diffusion electrode is a gas diffusion electrode for solid polymer fuel cell, and (1) the electrode is a conductive porous body, and (2) a metal coating formed by a gas phase is provided at a part or whole of the surface of the porous body.例文帳に追加

本発明のガス拡散用電極は、固体高分子形燃料電池用のガス拡散用電極であって、１）電極が導電性多孔体であり、２）前記多孔体の表面の一部又は全部に、気相法により形成された金属皮膜を有する。 - 特許庁

A processing temperature required for this low-temperature solid phase epitaxial growth method is about 450°C-650°C, the thermal diffusion of the impurities into the semiconductor film 9 is suppressed, and an initial steep step profile can be maintained.例文帳に追加

この低温固相エピタキシャル成長法に要する処理温度は４５０℃〜６５０℃程度であり、半導体膜９内への不純物の熱拡散は抑えられ、初期の急峻なステッププロファイルが維持される。 - 特許庁

A pressure is applied between the opposing electrodes 12 and the wiring pattern 22 to subject the materials of the electrodes 12 and the wiring pattern 22 to solid phase diffusion and to join the electrodes 12 and the wiring pattern 22.例文帳に追加

対向した電極１２及び配線パターン２２間に圧力を加え、電極１２及び配線パターン２２の材料を固相拡散させて、電極１２及び配線パターン２２を接合する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a pillar transistor Tr1, and a polysilicon layer 10a which supplies a signal or power to a diffusion layer 7a underlying the pillar transistor Tr1, and controls the channel length d1 of the pillar transistor Tr1 by the thickness by forming the underlying diffusion layer 7a through solid phase diffusion from the polysilicon layer 10a.例文帳に追加

ピラートランジスタＴｒ１と、前記ピラートランジスタＴｒ１の下部拡散層７ａへ信号または電源を供給するとともに、ポリシリコン層１０ａからの固相拡散し、下部拡散層７ａを形成することにより、前記ピラートランジスタＴｒ１のチャネル長ｄ１を厚みにより制御する前記ポリシリコン層１０ａと、を具備してなることを特徴とする。 - 特許庁

Source and drain regions of the Fin structure field effect transistor are formed by solid phase diffusion positively using impurity injection after the formation of a contact hole 13 and the ooz-out of impurities from a polysilicon contact plug 14.例文帳に追加

Ｆｉｎ構造電界効果トランジスタのソース及びドレイン領域を、コンタクトホール１３形成後の不純物注入とポリシリコンコンタクトプラグ１４からの不純物染み出しを積極的に利用し、固相拡散により形成する。 - 特許庁

Over the entire topside of the semiconductor substrate, an amorphous silicon film containing conductive type impurities is deposited, an elevated source/drain diffusion layer is formed by solid-phase epitaxial growth of the amorphous silicon film, through succeeding to the crystal orientation of the semiconductor substrate, and a pMOS transistor and an nMOS transistor are formed by using this diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板の上面全体に、導電型不純物を含むアモルファスシリコン膜を堆積し、半導体基板の結晶方位を受け継ぎながらアモルファスシリコン膜を固相エピタキシャル成長させてエレベーテッド・ソース／ドレイン拡散層を形成し、この拡散層を用いてpMOSトランジスタとnMOSトランジスタを形成する。 - 特許庁

A three-phase interface of solid-liquid-gas is formed between with respect to the detection target compound gas moved through an acting electrode 7 by diffusion at the boundary of the acting electrode 7 and an electrolyte 12 and the detection target compound gas is made to react at the three-phase interface to allow a current to flow to the acting electrode 7.例文帳に追加

作用電極７と電解液１２との境界では、作用電極７内を拡散で移動した検出対象化合物ガスとの間で、固体−液体−気体の三相界面が形成されており、検出対象化合物は三相界面で反応し、作用電極７に電流が流れる。 - 特許庁

A heating temperature is set as a temperature which is broader than plastic temperatures of the Si semiconductor wafer 1 and the compound semiconductor wafer, and in which the metal is diffusible to stick the Si semiconductor wafer 1 to the compound semiconductor wafer 2 by a solid-phase diffusion junction.例文帳に追加

加熱温度をＳｉ半導体ウエハ１及び化合物半導体ウエハの塑性温度よりも広く且つ金属の拡散可能な温度として固相拡散接合によってＳｉ半導体ウエハ１と化合物半導体ウエハ２とを貼り合せる。 - 特許庁

The film 12 of the material having the low melting point is coated with the film 13 of the material having the high melting point, and thereafter temperature is increased and both the materials are reacted by a solid phase diffusion reaction or melt reaction to form the compound thin film 14.例文帳に追加

高真空中において、融点の低い物質の膜１２を融点の高い物質の膜１３で覆った後、昇温し、固相拡散反応または溶融反応により両物質を反応させて化合物薄膜１４を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element capable of solving such problems as an increase in an operating current of an infrared laser, the occurrence of defects in an AlGaAs active layer by an n-type clad layer, and furthermore the diffusion of In from the clad layer to the active layer at forming a window region by solid-phase diffusion of Zn, and provide its manufacturing method.例文帳に追加

赤外レーザの動作電流の増大、ｎ型クラッド層によるＡｌＧａＡｓ活性層の欠陥の発生、さらに、Ｚｎの固相拡散による窓領域形成時のクラッド層から活性層へのＩｎ拡散などの問題を解消することができる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has dual gate electrodes and prevents deterioration of the current capacity of a transistor, by suppressing the solid phase diffusion of an impurity in a gate insulating film and the decrease of the capacities of the gate electrodes, and a method for manufacturing the device.例文帳に追加

デュアルゲート電極を有する半導体装置について、不純物のゲート絶縁膜中への固体内拡散を抑制し、ゲート電極容量の減少を抑えてトランジスタの電流能力の低減を防いだ半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mounting method for an electronic component and a mounting device therefor which solves various problems of a conventional mounting methods by deformation of bump electrodes, a solid phase diffusion method by ultrasonic vibration, and a surface activation processing method by energy wave irradiation.例文帳に追加

従来の突起電極の変形による実装方法、超音波振動による固相拡散方法、エネルギ波照射による表面活性化処理方法が抱えていた種々の問題を解決できる電子部品の実装方法およびその実装装置を提供する。 - 特許庁

To remove remaining amorphous or polycrystalline silicon through a process, in which amorphous or polysilicon is deposited on a silicon semiconductor substrate, and the amorphous or polysilicon is solid-phase down selectively only on an impurity diffusion region to a single crystal layer, without treatment at a high temperature, through etching.例文帳に追加

シリコン半導体基板にアモルファス又はポリシリコンを堆積後高温処理を伴わずに選択的にこれを不純物拡散領域上のみ単結晶層に固相成長させる工程を経て残留したアモルファスや多結晶のシリコンをエッチング除去する。 - 特許庁

A semiconductor device is one constituted by connecting a semiconductor element 1 to a wiring board 3 by a flip-chip bonding method and the joint of a cap 5 provided on the board 3 with the rear of the surface of the element 1 provided with an active layer, is conducted through a metal solid phase diffusion joint layer 91.例文帳に追加

半導体装置は、半導体素子１と配線板３をフリップチップ接続したもので、配線板３に設けたキャップ５と半導体素子の能動層を設けた面の裏面との接合が、金属の固相拡散接合層９１で行われている。 - 特許庁

By performing high-temperature heat treatment of about 1,100°C or above, an n-type impurity solid phase diffusion region 11 is formed by diffusing Si, and the window region 12 is selectively formed in the active layer 4 of the vicinity region of a planned part 14 for forming a laser end surface.例文帳に追加

約１１００℃以上の高温熱処理を実施してｎ型不純物固相拡散領域１１をＳｉの拡散により形成し、レーザ端面形成予定部１４近傍領域の活性層４内に選択的に窓領域１２を形成する。 - 特許庁