「reactive ion etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

After a magnetic layer is formed on a flat substrate, a portion of the magnetic layer is removed by a reactive ion etching method and a dielectric layer is formed thereon.例文帳に追加

平坦な基板上に磁性層形成後、反応性イオンエッチング法で磁性層の一部を除去し、かつその上に誘電体層を形成する。 - 特許庁

A microwave is introduced from a waveguide 16 into the ion gun chamber 13 to ionize the reactive etching gas, and the etalon substrate 11 is etched for a prescribed time.例文帳に追加

そして、導波管１６よりイオン銃室１３内にマイクロ波導入し、反応性エッチングガスをイオン化して、エタロン基板１１を所定時間だけエッチングする。 - 特許庁

The stamper has a form corresponding to the fine pattern, and is formed by decreasing the reactive ion etching rate to about 1/3 of the normal process.例文帳に追加

スタンパは、上記微細パターンに対応する形状を有し、製造時に反応性イオンエッチングのレートを、通常の１／３程度に落として形成される。 - 特許庁

To provide a reactive ion etching device capable of facilitating etching in microfabrication on a width of 0.3 μm or smaller without causing etch stop by using magnetic neutral loop discharge.例文帳に追加

本発明の課題は、0.3μｍ幅以下の微細加工においてエッチストップを発生させることなくエッチングできる磁気中性線放電を利用した反応性イオンエッチング装置を提供することにある。 - 特許庁

The method of manufacturing a solar battery comprises a step of forming a concavity and a convexity on the surface of a polysilicon substrate by a reactive ion etching method using first etching gas comprising H_2O.例文帳に追加

Ｈ_２Ｏを含む第一のエッチングガスを用いた反応性イオンエッチング法によって、多結晶シリコン基板の表面に凹凸を形成する工程を備えてなる太陽電池の製造方法とする。 - 特許庁

The main mask layer mainly consists of carbon, and a material of which the etching rate in reactive ion etching in the main mask layer processing step (S108) is lower than that of carbon is used as the material of the auxiliary mask layer.例文帳に追加

主マスク層の材料は主成分が炭素であり、且つ、副マスク層の材料は、主マスク層加工工程（Ｓ１０８）の反応性イオンエッチングに対するエッチングレートが炭素よりも低い材料を用いる。 - 特許庁

Thereafter, a reactive ion etching process is used to form the pins in the silica wafer by etching away a predetermined amount of the top surface from the silica wafer that is not covered by the photoresist material.例文帳に追加

その後、シリカウエハからフォトレジスト材で覆われていない上面のあらかじめ定められた量をエッチング除去することによりシリカウエハにピンを形成するために、反応性イオンエッチングプロセスが用いられる。 - 特許庁

The etalon substrate 11 is installed in a sample chamber 12 of an ion beam radiator, and the mixture of gaseous CHF_3 and gaseous Ar is introduced into an ion gun chamber 13 from a gas introduction tube 15 as a reactive etching gas.例文帳に追加

エタロン基板１１をイオンビーム照射装置の試料室１２に設置し、ガス導入管１５より反応性エッチングガスとしてCHF_3ガスとArガスの混合ガスをイオン銃室１３内に導入する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can easily form T-type patterns in different degrees of apertures to remarkably reduce the manufacturing processes with the single process of reactive ion etching with a kind of BCB film and a kind of the etching gas, by utilizing the property that the etching characteristic of benzocyclobutene film for reactive ion etching changes isotropically and anisotropically depending on execution of hardening process with the Ar plasma.例文帳に追加

Ａｒプラズマによる硬化処理の有無により反応性イオンエッチングに対するベンゾシクロブテン膜のエッチング特性が異方的、等方的と変わる性質を利用し、ＢＣＢ膜一種、エッチングガス一種で、一度の反応性イオンエッチングでＴ型の開口度の異なるパタンを簡易に形成でき、製造工程の大幅な短縮を図ることができるＴ型ゲート電極有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, when reactive-ion etching using mixture gas of fluorine gas (100 sccm) and oxygen gas (100-400 sccm) as etching gas is performed, the dry etching of the silicon nitride film 22 in areas under the resist film 23 is performed, and its etching rate is about 2,000 Å/min.例文帳に追加

そして、エッチングガスとしてフッ素ガス（１００ｓｃｃｍ）および酸素ガス（１００〜４００ｓｃｃｍ）の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングを行なうと、レジスト膜23下以外の領域における窒化シリコン膜22がドライエッチングされ、そのエッチングレートは約２０００Å／ｍｉｎであった。 - 特許庁

At evenly scraping the surface of a silicon substrate comprising a horizontal surface and a slope an anisotropic dry-etching method, the etching condition of a reactive ion etching cycle comprising deposition and etching is set to a following condition: E1<D1, D2<E2, and D3<E3.例文帳に追加

水平面及び傾斜面を有するシリコン基板の表面を異方性ドライエッチング法により一様に削り取るに際し、デポジションとエッチングとからなる反応性イオンエッチングのサイクルのエッチング条件を下記で示される条件に設定することを特徴とするシリコンウエハ構造体の製造方法。 - 特許庁

To provide a reactive ion etching apparatus that is adaptable to a fine work smaller 0.3 μm width, without substantially changing the structures of a cathode-coupled etching apparatus and a three-electrode etching apparatus, which are used conventionally.例文帳に追加

本発明の課題は、従来用いられてきた陰極結合型エッチング装置及び３電極型エッチング装置の構造を実質的に変えることなく０．３μｍ幅以下の微細加工に対応できる反応性イオンエッチング装置を提供することにある。 - 特許庁

Then a mixture of gas including carbon and fluoro-compound is supplied as an etching gas into the chamber for the reactive ion etching, and CH2F2 gas is introduced as a factor for increasing etching selective ratio between the material film and a lower film.例文帳に追加

次に、反応性イオンエッチング用チャンバ内にエッチングガスとして 炭素及びフルオロを含む混合ガスを供給し、物質膜と下部膜との間のエッチング選択比を増加させるための選択比増加ガスとしてＣＨ２Ｆ２ガスを供給する。 - 特許庁

The working method comprises the step of forming an etching mask comprising a nitrogen-containing compound on the surface of single crystal alumina and the step of subjecting the single crystal alumina to reactive ion etching with a plasma containing boron and chlorine by using the etching mask.例文帳に追加

単結晶アルミナ表面に窒素を含む化合物からなるエッチングマスクを形成する工程と、単結晶アルミナをエッチングマスクを用いてホウ素と塩素を含むプラズマによる反応性イオンエッチングを行う工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

After development, with the resist remaining on the surface of the master disk set as a mask, the surface of the master disk is subjected to reactive ion etching to manufacture a master disk for an information recording medium.例文帳に追加

現像後、原盤の表面に残存したレジストをマスクとして、原盤表面をリアクティブイオンエッチングを行い、情報記録媒体用原盤を作製する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device that reduces a processing amount of a non-processed film when selectively processing a processed film and the non-process film in a reactive ion etching (RIE) method.例文帳に追加

加工膜と非加工膜をＲＩＥ法で選択的に加工するときに、非加工膜の加工量を低減させる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A plasma treatment device is preferably a parallel flat plate reactive ion etching(RIE), the RIE device is preferably a type to impress a high frequency power to each of two electrode plates facing.例文帳に追加

プラズマ処理装置はＲＩＥ装置が好ましく、ＲＩＥ装置は対向する２つの電極板の各々に高周波電力を印加する方式が好ましい。 - 特許庁

Subsequently the magnetic recording layer 13a is etched with reactive ion etching under heating by using gaseous chlorine in a vacuum, and using the etched first mask layer 14a as a mask.例文帳に追加

その後、真空中で塩素ガスを用い、エッチングされた第１のマスク層１４ａをマスクとして、加熱下で反応性イオンエッチングによって記録用磁性層１３ａをエッチングする。 - 特許庁

After the formation of an interlayer insulation film 6, the interlayer insulation film 8 is etched by reactive ion etching with a resist pattern 8 as a mask so as to form the connection hole (Figure 1 (a)).例文帳に追加

層間絶縁膜６の形成後、接続孔を形成すべくレジストパターン８をマスクとして、反応性イオンエッチングにより層間絶縁膜８のエッチングを行なう（図１（ａ））。 - 特許庁

When a resist pattern 15 is formed after the exposure, reactive ion etching is carried out to a part exposed by the resist pattern to the whole surface of a photoresist master set to form a pattern 17.例文帳に追加

露光後、レジストパターン１５が形成されると、フォトレジスト原盤の全面に対して、レジストパターンにより露出した部分にリアクティブイオンエッチングを行い、パターン１７を形成する。 - 特許庁

A method of producing a thin-film transistor is provided, in which thin film transistor components of SiO2 or metal film are formed on a quartz substrate 10 by reactive ion etching technique.例文帳に追加

反応性イオンエッチング技術を用いて石英基板１０上に、ＳｉＯ_2 や金属膜からなる薄膜トランジスタ構成要素を形成する、薄膜トランジスタの製造方法である。 - 特許庁

The through-hole insulator 11 is selectively etched by a reactive ion etching method to the height of a bottom part 19 of the dishing part 17 of the through-hole conductor 5.例文帳に追加

反応性イオンエッチング法によって、スルーホール絶縁体１１を、スルーホール導電体５のディッシング部１７の底部１９の高さになるまで、選択的にエッチングする。 - 特許庁

Then, a resist is formed on the region where the TFT1 is present, and subjected to reactive ion etching using a mixture gas of CF4 gas and oxygen gas (with 10% volume concn. of CF4).例文帳に追加

次いで、ＴＦＴ１の個所にレジストを形成して、ＣＦ_４ガスと酸素ガスと混合ガス（ＣＦ_４の体積濃度１０％）を用いて、反応性イオンエッチングを行う。 - 特許庁

By using the resist film 13 as a mask, reactive ion etching is performed and made to progress as far as the lower side silicon oxide film 12 through the apertures 53.例文帳に追加

レジスト膜１３をエッチングマスクとして用いて反応性イオンエッチングを行うことにより、開口部５３を通して下側の酸化シリコン膜１２までエッチングを進行させる。 - 特許庁

In the method for manufacturing the device having 3-dimensional tapered structure, after a core 2 is formed on a substrate 1, an etched surface 2a is formed by etching a part of the core 2 with reactive ion etching, and also grooves 3 are formed on the surface of the core 2 which is not etched.例文帳に追加

基板１上にコア２を形成後、反応性イオンエッチングによりコア２の一部のエッチングを行い、エッチング面２ａを形成すると共に、エッチングされていないコア２の表面に溝３を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film element in which the generation of any damage can be suppressed by allowing stable etching to progress even at the time of forming the thin film element by using reactive ion etching on an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板上に反応性イオンエッチングを用いて薄膜素子を形成する場合においても安定なエッチングを進行でき、ダメージの発生が抑制された薄膜素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, both sides of the layer structure are removed by dry etching with a reactive ion etching device while its variable applied current is alternately changed between 0 V and 500 V, so that the sectional shape of the active layer may become trapezoidal, that is, the lower side of the substrate is shorter than the upper side thereof.例文帳に追加

次に、これらの層構造の両側部を除去するドライエッチングを、印加電圧が可変の反応性イオンエッチング装置を用い、印加電圧を０Ｖと５００Ｖとの間で交互に変化させて行う。 - 特許庁

With use of the mask and an RIE(reactive ion etching) method, removal of resist using an oxygen gas, etching of the film 3 and removal of a silylation layer 8 formed on a resist are repeated.例文帳に追加

次に、このマスクを用いて、ＲＩＥ法により、酸素ガスを用いたレジストの除去、ＣＨＦ_3とＣＦ_4とＡｒとの混合ガスにより、層間絶縁膜３のエッチング及びレジスト表面のシリル化層８除去を繰り返す。 - 特許庁

A gas mixture of hydrogen iodide gas and helium gas is introduced into inside of a reaction vessel 1 through a gas inlet opening 6, and the ITO layer of a specimen 8 placed on a lower electrode 2 is dry etching by reactive ion etching.例文帳に追加

ガス導入口６からヨウ化水素ガスとヘリウムガスとの混合ガスを反応容器１内に導入し、下部電極２上に載置された試料８のＩＴＯ層を反応性イオンエッチングによりドライエッチングする。 - 特許庁

To provide a dry etching method for precisely treating an area to be etched of a workpiece with the use of a reactive ion etching process using a carbon monoxide gas including a nitrogen-containing compound gas, as a reactant gas.例文帳に追加

含窒素化合物ガスが添加された一酸化炭素ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングを用いて被加工体のエッチング対象領域を精密に加工することができるドライエッチング方法等を提供する。 - 特許庁

The anisotropic etching method includes a crystal anisotropic etching step for performing crystal anisotropic etching of a substrate having a mask of a prescribed shape on the surface under prescribed conditions, by reactive ion etching using a mixed gas containing SF_6 and C_4F_8, or a mixed gas containing SF_6 and C_4F_8 and O_2.例文帳に追加

異方性エッチング方法は、表面に所定形状のマスクを有した基板に対して、ＳＦ_６とＣ_４Ｆ_８とを含む混合ガス、又は、ＳＦ_６とＣ_４Ｆ_８とＯ_２とを含む混合ガスを用いた反応性イオンエッチングによって、所定条件下で結晶異方性エッチングを行う結晶異方性エッチング工程を有している。 - 特許庁

The step of forming the source wiring 95 includes a step of forming a conductor film on the source contact electrode 92 and a step of processing the conductor film by etching the conductor film in a reactive ion etching.例文帳に追加

ソース配線９５を形成する工程は、ソースコンタクト電極９２上に導電体膜を形成する工程と、導電体膜を反応性イオンエッチングによりエッチングすることにより導電体膜を加工する工程とを含む。 - 特許庁

When a resist pattern layer 104 is thus formed on a silicon oxide layer 103, the silicon oxide layer 103 is selectively etched using the resist pattern layer 104 as a mask by well known dry etching (reactive ion etching).例文帳に追加

これらのように、酸化シリコン層１０３の上にレジストパターン層１０４を形成したら、よく知られたドライエッチング（反応性イオンエッチング）により、レジストパターン層１０４をマスクとして酸化シリコン層１０３を選択的にエッチングする。 - 特許庁

To suppress the thickness of an RIE(reactive ion etching) resist film within a specific range by forming a metallic pattern having a high RIE resistance on an organic film by the lift off method, and performing RIE on the organic film by using the metallic pattern as a resist.例文帳に追加

反応イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etchting）を用いて、多層配線基板の有機膜パターンを作製する上で、金属膜をＲＩＥレジストにする場合に、基板とのアライメントをとることができる有機膜パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The crystalline substrate 11 is set in a specimen chamber 12 of an ion beam irradiator, and a mixture gas of a CHF_3 gas and an Ar gas mixed at a ratio in a range of 1:10 to 1:2 is introduced from a gas inlet pipe 15 into an ion gun chamber 13 as a reactive etching gas.例文帳に追加

この結晶基板１１をイオンビーム照射装置の試料室１２に設置し、ガス導入管１５よりCHF_3ガスとArガスとを1:10〜1:2の範囲で混合したガスを反応性エッチングガスとしてイオン銃室１３内に導入する。 - 特許庁

Then, when reactive ion etching using the gas mixture of a fluorine gas (100 sccm) and an oxygen gas (100-400 sccm) as an etching gas is performed, the silicon nitride film 22 in an area other than the one below the resist film 23 is dry-etched, and its etching rate is about 2,000 Å/min.例文帳に追加

そして、エッチングガスとしてフッ素ガス（１００ｓｃｃｍ）および酸素ガス（１００〜４００ｓｃｃｍ）の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングを行なうと、レジスト膜２３下以外の領域における窒化シリコン膜２２がドライエッチングされ、そのエッチングレートは約２０００Å／ｍｉｎであった。 - 特許庁

Next, an opening part 8 is formed on an oxidized film 6a formed on the other surface in the thickness direction of the main substrate 1 to be used for a mask, and the through-holes 4a, 4b are formed by a reactive ion etching.例文帳に追加

次に、主基板１の厚み方向の他面に形成した酸化膜６ａに開口部８を形成してマスクに用い、反応性イオンエッチングにより貫通孔４ａ，４ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical waveguide device, in which a wafer is prevented from being damaged in an RIE (reactive ion etching) step and from being stuck to a stage and automatic conveyance of the wafer is made feasible.例文帳に追加

ＲＩＥ工程でのウェハの破損防止、ステージへの張り付き防止及びウェハの自動搬送を可能とした光導波路デバイスの製造方法を提供することである。 - 特許庁

The amorphous silicon film 24 and the SiN film 22 are used as masks, and the silicon substrate 20 is subjected to RIE(reactive ion etching), thereby forming trenches 25 for element isolation.例文帳に追加

そして、このアモルファスシリコン膜２４とＳｉＮ膜２２とをマスクにしてＲＩＥによりシリコン基板２０のエッチングを行い、素子分離用のトレンチ２５を形成することを特徴としている。 - 特許庁

To manufacture a master mold high in the uniformity of a recess of an uneven pattern containing a wide recess and a narrow recess in manufacturing the master mold using a reactive ion etching method.例文帳に追加

反応性イオンエッチング法を用いたマスターモールドの製造において、広幅凹部および狭幅凹部を含む凹凸パターンの凹部の均一性の高いマスターモールドを製造することを可能とする。 - 特許庁

To etch a polysilicon gate into which an element which does not generate a volatile compound, for example ytterbium (Yb), is implanted, during conventional reactive-ion etching.例文帳に追加

本発明は、従来の反応性イオンエッチングの間、揮発性の化合物を生成しない元素、例えばイットリビウム（Ｙｂ）が注入されたポリシリコンゲートをエッチングすることを目的とする。 - 特許庁

The core 44 is formed by performing reactive ion etching to a core layer 10 with oxygen pressure set to a considerably higher pressure 5Pa than usual.例文帳に追加

コア４４は、チャンバ内の酸素の圧力を通常よりも相当に高い圧力である５Ｐａに設定して反応性イオンエッチングをコア層１０に対して行うことによって形成される。 - 特許庁

A vertical trench in a silicon wafer 18 for forming a storage capacitor in a DRAM is etched in a reactive ion etching method to form an outline thereof with multiple waists 26 and 30.例文帳に追加

ＤＲＡＭの蓄積_キャパシタの形成に利用されるシリコンウエーハ１８における垂直トレンチは、多重ウエスト２６，３０を有する輪郭を有するように、反応性イオンエッチングによってエッチングされる。 - 特許庁

To reduce dimensional differences due to inconsistencies in pattern density in a plane by using a mixed gas, wherein a reducing gas is added to a reactive ion etching gas consisting of an oxygen-containing gas and a halogen- containing gas as a reactive etching gas.例文帳に追加

微細なパターンを形成する手段としてのドライエッチングにおいて、面内のパターンの疎密の違いに起因する寸法差を小さくするドライエッチング方法、この方法を利用して得たクロム系ハーフトーン位相シフトフォトマスクおよびその作製方法、ならびにこのフォトマスクを用いて得た半導体回路およびその製作方法の開発。 - 特許庁

After a sheet 16 is stuck to the whole surface of a semiconductor Si wafer 11 on the pattern forming side, chemical etching is performed to the no-pattern forming side (rear surface side) of the Si wafer 11 to the bottom face of a step 15 formed by performing reactive ion etching.例文帳に追加

半導体Ｓｉウエハ１１のパターン形成側全面に、シート１６を貼り付けた後、半導体Ｓｉウエハ１１の非パターン形成側（裏面側）に対して、リアクティブイオンエッチングを行って形成した段差１５の底面までケミカルエッチングを行う。 - 特許庁