「reactive ion etching」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

CLEANING METHOD OF REACTIVE ION ETCHING (RIE) DEVICE, AND REACTIVE ETCHING DEVICE例文帳に追加

リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）装置のクリーニング方法およびリアクティブエッチング装置。 - 特許庁

RETICLE ADAPTER FOR REACTIVE ION ETCHING SYSTEM例文帳に追加

反応性イオンエッチングシステムのためのレクチルアダプタ - 特許庁

REACTIVE ION BEAM ETCHING SYSTEM AND PROCESSING METHOD THEREFOR例文帳に追加

反応性イオンビームエッチング装置とその加工方法 - 特許庁

MASKING MATERIAL FOR REACTIVE ION ETCHING, MASK AND DRY ETCHING METHOD例文帳に追加

反応性イオンエッチング用のマスク材料、マスク及びドライエッチング方法 - 特許庁

METHOD FOR REDUCING NOTCHING GENERATED AT REACTIVE ION ETCHING例文帳に追加

反応性イオンエッチング時に生じるノッチング低減方法 - 特許庁

METHOD OF REDUCING REACTIVE ION ETCHING LAG IN DEEP- TRENCH SILICON ETCHING例文帳に追加

ディープ・トレンチ・シリコン・エッチングの反応性イオン・エッチング・ラグを低減する方法 - 特許庁

REACTIVE ION ETCHING METHOD AND APPARATUS THEREOF例文帳に追加

反応性イオンエッチング方法および反応性イオンエッチング装置 - 特許庁

METHOD FOR REMOVING MAGNETORESISTANCE SENSOR CAP DUE TO REACTIVE-ION ETCHING例文帳に追加

反応性イオンエッチングによる磁気抵抗センサキャップの除去方法 - 特許庁

Then, an opening 10 is provided by reactive ion etching.例文帳に追加

次いで、反応性イオンエッチングにより、開口部１０を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING THROUGH HOLE BY REACTIVE ION ETCHING AND SUBSTRATE HAVING THROUGH HOLE FORMED BY REACTIVE ION ETCHING例文帳に追加

反応性イオンエッチングによる貫通孔の形成方法及び反応性イオンエッチングにより形成された貫通孔を有する基板 - 特許庁

Further, a gate trench 21 is formed by reactive ion etching (c).例文帳に追加

さらに，反応性イオンエッチングにより，ゲートトレンチ２１を形成する（ｃ）。 - 特許庁

REACTIVE ION ETCHING CHAMBER THAT CONTAINS MANY TREATMENT STATIONS EXCLUDING COUPLINGS AMONG THEM例文帳に追加

多数の処理ステーションを含む結合を除くリアクティブイオンエッチングチャンバ - 特許庁

In some implementations, the etching may be performed by means of a reactive ion etching process.例文帳に追加

ある実施態様においては、エッチングは反応性イオンエッチングプロセスにより行うことができる。 - 特許庁

At this time, the intermediate layer 33 is used as an etching stop material for the reactive ion etching.例文帳に追加

この際、中間層３３を反応性イオンエッチングのエッチストップ材として使用する。 - 特許庁

Gas pressure in an etching chamber in the case of the reactive ion etching is set to be 9.3-10.7 Pa.例文帳に追加

反応性イオンエッチングの際のエッチング室内のガス圧を９．３〜１０．７Ｐａとする。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING CONTACT HOLE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING REACTIVE ION ETCHING例文帳に追加

反応性イオンエッチングを用いた半導体素子のコンタクトホール形成方法 - 特許庁

In the reactive ion etching, an etching gas comprising a halogen based gas and a carbon oxide based gas is used.例文帳に追加

反応性イオンエッチングでは、ハロゲン系ガスと酸化炭素系ガスとを含むエッチングガスが使用される。 - 特許庁

The surface of a substrate B is etched with a reactive ion etching(RIE) device.例文帳に追加

基板Ｂの表面はリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）装置によりエッチングする。 - 特許庁

To form a conductive layer for setting etching species of an ion free at the time of making a through hole on a substrate by reactive ion etching.例文帳に追加

反応性イオンエッチングにより基板に貫通孔を開ける際、イオン等のエッチング種を逃がすための導電層を形成する。 - 特許庁

With the pattern as a mask, reactive ion etching is conducted with a mixed gas of CF4/O2 for etching the SiO2.例文帳に追加

このパターンをマスクにＣＦ_4／Ｏ_2の混合ガスで反応性イオンエッチングを行いＳｉＯ_2をエッチングする。 - 特許庁

To form via-holes, each having a uniform depth, on a silicon by a reactive ion etching method, and to prevent the disappearance of a specific part of a protective film covering a silicon board in an etching process.例文帳に追加

反応性イオンエッチング法により、シリコン基板に深さが均一なビアホールを形成する。 - 特許庁

When a silicide block layer 10 is removed by a reactive-ion etching, it is set up to enhance the voltage amplitude value Vpp of a high-frequency bias electric power for ion drawing-in after detecting an end point of the reactive-ion etching rather than before detecting the end point of the reactive-ion etching.例文帳に追加

シリサイドブロック層１０を反応性イオンエッチングで除去する際、反応性イオンエッチングの終点検出前よりも反応性イオンエッチングの終点検出後のほうが、イオン引き込み用のバイアス高周波電力の電圧振幅値であるＶｐｐが高くなるように設定する。 - 特許庁

An initial trench 4 is formed by etching an Si substrate 1 through reactive ion etching by using an oxide film mask 2 as a mask.例文帳に追加

酸化膜マスク２をマスクとして、Ｓｉ基板１を反応性イオンエッチングして初期のトレンチ４を形成する。 - 特許庁

In the VSE, reactive ion etching or wet etching is used in order to etch the surface to be bonded slightly (3).例文帳に追加

ＶＳＥは、結合される面を僅かにエッチングするためにリアクチブイオンエッチングまたは湿式エッチングが用いられる（３）。 - 特許庁

To reduce damage on a substrate at the time of patterning electrodes by reactive ion etching.例文帳に追加

電極を反応性イオンエッチングによりパターニングする際の、基板の損傷を低減する。 - 特許庁

The sacrifice layer 14 is etched by a reactive ion etching to reduce its thickness.例文帳に追加

犠牲層１４を反応性イオンエッチングによってエッチングしその厚さを減少させる。 - 特許庁

To provide a method for forming a contact hole of a semiconductor element using a reactive ion etching.例文帳に追加

反応性イオンエッチングを用いた半導体素子のコンタクトホール形成方法を提供する。 - 特許庁

Protruding parts 4 are formed by reactive ion etching of the foundation layer 3.例文帳に追加

反応性イオンエッチングにより、下地層３をエッチングすることで、凸部分４を形成する。 - 特許庁

After the sensor stack body is formed by ion milling, the hard mask may be removed by reactive ion etching.例文帳に追加

センサ積重体が、イオンミリングによって形成された後、ハードマスクは、反応性イオンエッチングによって除去されうる。 - 特許庁

For example, the etching may be carried out by a reactive ion etching method whose temperature condition is made about 200°C and which uses chlorine gas.例文帳に追加

例えば、温度条件を２００℃程度とし、塩素ガスを用いた反応性イオンエッチング法によりエッチングすればよい。 - 特許庁

Correlation data corresponding to correlation between a flow of a hydrogen gas and an amount of side etching in reactive ion etching is obtained.例文帳に追加

反応性イオンエッチングにおける水素ガスの流量とサイドエッチング量との相関を示す相関データを取得する。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck device which can be commonly used for both down flow etching and reactive ion etching.例文帳に追加

ダウンフロー型のエッチング及びリアクティブイオンエッチングの両方に共用できる静電チャック装置及び載置台を提供する。 - 特許庁

Thereby, in RIE (Reactive Ion Etching) in which a pattern is formed in an alumina layer 16, etching (side etching) of the Ta film 18 can be suppressed.例文帳に追加

これにより、アルミナ層１６にパターンを形成するＲＩＥの際に、Ｔａ膜１８がエッチング（サイドエッチング）されるのを抑制することができる。 - 特許庁

The underlying film 12 is then exposed by subjecting the electrode film 13 to reactive ion etching with chlorine based gas.例文帳に追加

塩素系ガスにより電極膜１３を反応性イオンエッチングして下地膜１２を露出させる。 - 特許庁

The process for cleaning the electrode surface can be carried out by reactive ion etching.例文帳に追加

ここで、電極表面をクリーニングする工程を反応性イオンエッチングにより行なうことができる。 - 特許庁

Then the film to be patterned is etched by reactive ion etching using the magnetic layer 12a as a mask.例文帳に追加

次に、磁性層１２ａをマスクとして、反応性イオンエッチングによって、被パターニング膜をエッチングする。 - 特許庁

The third stage is performed by a wet etching process, and the fourth stage is performed by laser beam work or reactive ion etching.例文帳に追加

第３段階は湿式蝕刻工程によりなされ、第４の段階はレーザービーム加工または反応性イオン蝕刻によりなされる。 - 特許庁

Then etching is carried out by reactive ion etching in a region which is not covered, in the resist 14.例文帳に追加

そして、反応性イオンエッチングによりレジスト１４の覆われていない領域の水晶位相差板１２０のエッチングが行なわれる。 - 特許庁

An reactive ion is formed by generating plasma in a vacuum container 12, an etching material 30 provided in the vacuum container 12 is dry-etched by the reactive ion.例文帳に追加

真空容器１２内にプラズマを発生させて反応性イオンを生成し、真空容器１２内に設けられた被エッチング材料３０を、反応性イオンによりドライエッチングする。 - 特許庁

(e) A reactive ion etching utilizing the trench etching mask 32 is carried out by using a reactive gas having a high etching selection ratio between a monocrystalline silicon and a silicon oxide, thereby performing an anisotropic etching for the monocrystalline silicon layer 21C.例文帳に追加

（ｅ）トレンチエッチングマスク３２を利用した反応性イオンエッチングを、単結晶シリコン及び酸化シリコン間のエッチング選択比が高い反応性ガスを使用して行うことにより単結晶シリコン層２１Ｃを異方性エッチングする。 - 特許庁

In the surface roughening method for a semiconductor substrate to roughen the surface of the semiconductor by the reactive ion etching method, after forming an oxide film on the surface of the semiconductor substrate, perform surface roughening by the reactive ion etching method.例文帳に追加

半導体基板の表面を反応性イオンエッチング法で粗面状にする半導体基板の粗面化法において、前記半導基板の表面に酸化膜を形成した後、反応性イオンエッチング法で粗面状にする。 - 特許庁

An exposed portion of the insulation layer 11 corresponding to an aperture 13a of a mask layer 13 is etched with the reactive ion etching, an element remaining in the process atmosphere after this reactive ion etching process is then eliminated and thereafter further etching is conducted with the sputter etching process to form a through hole.例文帳に追加

マスク層１３の開口１３ａに対応する絶縁層１１の露出部分を反応性イオンエッチングによってエッチングし、次いでこの反応性イオンエッチング後に処理雰囲気中に残留する成分を除去した後、スパッタエッチングによってさらにエッチングして貫通させる。 - 特許庁

To provide wiring structure that can prevent charging damages in a plasma process such as reactive ion etching(RIE), etc.例文帳に追加

ＲＩＥ等のプラズマ工程におけるチャージングダメージを防止することが可能な配線構造を提供する。 - 特許庁

When the tantalum cap is removed due to a fluorine reactive-ion etching, a tantalum/fluorine byproduct having low volatility remains.例文帳に追加

フッ素反応性イオンエッチングでタンタルキャップを除去すると、揮発性の低いタンタル/フッ素副生成物が残る。 - 特許庁

When a reactive ion etching method is carried out, the semiconductor substrate 101 is kept at a temperature of 80 to 150°C.例文帳に追加

反応性イオンエッチング法を行っている時には、半導体基板１０１を８０乃至１５０℃にしておく。 - 特許庁