| 例文 (1件) |
reactive ion etcherの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
The system includes a processor 33 having an element constituted so that the optimum motor bias route for a deep reactive ion etcher 22 is determined on a wafer, a stepper for imprinting a pattern of the gyro in the direction corresponding to the optimum motor bias route calculated to be the nearest to each gyro on the wafer, and a deep reactive ion etcher 37 for etching the gyro on the wafer.例文帳に追加
システムは、ウェハ上で深反応性イオンエッチャ22用の最適モータバイアス経路を決定するように構成された要素を備えたプロセッサ33、ウェハ上で各ジャイロに最も近いものと算出された最適モータバイアス経路に対応した向きに該ジャイロのパターンをインプリントするステッパ35及びウェハにジャイロをエッチングする深反応性イオンエッチャ37を含む。 - 特許庁
| 例文 (1件) |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|