「oxygen chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method for producing metal oxynitride by laser abrasion, nitride including transition metal composing metal oxynitride is used as a target material, and an oxygen-containing atmospheric gas is introduced into a reaction chamber under a fixed pressure.例文帳に追加

レーザアブレーションによる金属オキシナイトライドの製造において、ターゲット材に金属オキシナイトライドを構成する遷移金属を含む窒化物を用い、反応室内に酸素を含む雰囲気ガスを一定圧力で導入することを特徴とする。 - 特許庁

In an insulating film forming system, a gas feed means and an exhaust means are provided to a heating processing device which evaporates a solvent component contained in a liquid applied on a wafer W, and a processing chamber is filled up with low atmosphere of oxygen.例文帳に追加

絶縁膜形成システム１において，ウェハＷ上の塗布液中の溶剤成分を蒸発させる加熱処理装置に，ガスを供給する供給手段と排気手段を取り付け，前記処理室内を低酸素雰囲気とする。 - 特許庁

When voltages are applied to portions between these electrodes, electrical discharges occur in the discharge regions 7a to 7c, and the ozone is generated from oxygen contained in a first feed gas that is supplied into the reaction chamber 2 through a main supply path 3.例文帳に追加

各電極間に電圧が印加されると放電領域７ａ〜７ｃで放電が発生し、主供給路３を介して反応容器２の内部に供給される第一の原料ガスに含まれる酸素からオゾンが生成される。 - 特許庁

Hydrogen and oxygen are simultaneously led into a reaction chamber in which the silicon substrate 10 having the STI film 17 formed is mounted, and the sacrificial oxide film 19 is formed in the element forming region 18 surrounded by the STI film 17 by radical oxidation.例文帳に追加

ＳＴＩ膜１７を形成したシリコン基板１０を載置した反応室内に水素と酸素を同時に導入し、ラジカル酸化によってＳＴＩ膜１７で囲まれた素子形成領域１８に犠牲酸化膜１９を形成する。 - 特許庁

To provide a tubular flame burner allowing compact desulfurization, wherein gas containing fuel and oxygen is blown to the tangential direction of the inner peripheral face of a combustion chamber to form tubular flames.例文帳に追加

燃焼室の内周面の接線方向に向けて燃料と酸素含有ガスを吹き込んで管状火炎を形成させる管状火炎バーナであって、コンパクトな脱硫を行うことができるようにした管状火炎バーナを提供する。 - 特許庁

Electric current is made to flow between an insoluble anode 3 and a gaseous oxygen diffusion cathode 5 while holding the concentration of halide ions in an anode solution in an anode chamber 4 to ≤1 g/l, and hydrogen peroxide in a cathode solution is dissolved.例文帳に追加

陽極室４内の陽極液中のハロゲン化物イオン濃度を１ｇ／リットル以下の低濃度に維持しながら、不溶性陽極３と酸素ガス拡散陰極５間に通電して陰極液中の過酸化水素を溶解させる。 - 特許庁

Since the treatment liquid can be supplied to a plurality of the substrates W in the rotary mechanism 11 in a liquidtight state, the reaction caused by oxygen or the like at the interface of the substrates is not generated even if the purging in the chamber is imperfect.例文帳に追加

回転機構１１内の複数枚の基板Ｗに対して液密状態で処理液を供給することができるので、チャンバ内のパージが不完全であっても基板の界面における酸素等に起因する反応が生じない。 - 特許庁

For gap-filling applications, the substrate is biased with a bias power density between 4.8 and 11.2 W/cm2 and the ratio of flow rate for the oxygen-containing gas to the combined flow rate for all silicon-containing gases in the process chamber is between 1.0 and 1.8, preferably between 1.2 and 1.4.例文帳に追加

ギャップ充填応用については、基板に4.8〜11.2Ｗ/cm^2のバイアス電力密度のバイアスをかけ、酸素含有ガスの流量とプロセスチャンバ内の全ケイ素含有ガスの合計流量との比率が1.0〜1.8、好ましくは1.2〜1.4である。 - 特許庁

High-frequency power of 13.56 MHz and high-frequency power of 350 kHz is supplied to an electrode of a shower head 52 placed in the reaction chamber 51, where the flow rate ratio of the oxygen to TEOS is 3 or larger and smaller than 10.例文帳に追加

反応室５１内に配置されたシャワーヘッド５２の電極には、１３．５６ＭＨｚの高周波電力および３５０ｋＨｚの高周波電力を供給し、酸素とＴＥＯＳとの流量比を、３以上、１０未満とする。 - 特許庁

The sensor cell 4 includes an oxygen ion-conductive solid electrolyte 41 for sensor and a pair of electrodes 421, 422 for sensor disposed at a surface facing the measured gas chamber 2 in the solid electrolyte 41 for sensor and at a surface opposite thereto.例文帳に追加

センサセル４は、酸素イオン伝導性のセンサ用固体電解質体４１とセンサ用固体電解質体４１における被測定ガス室２に面する面と反対側の面とに配設された一対のセンサ用電極４２１、４２２とを備える。 - 特許庁

To provide a method by which, in the case of treating combustible waste by using a pressure two-stage gasification method, the tip of an oxygen- containing mixed gas feed pipe is not eroded in a combustion chamber of a high-temperature gasification furnace so as to solve a problem.例文帳に追加

加圧二段ガス化処理方法を用いて可燃性廃棄物を処理する場合に、問題となる、高温ガス化炉の燃焼室内にて、含酸素混合ガス供給管の先端部が溶損しないようにする方法を提供すること。 - 特許庁

Methods for forming graded dielectric layers include supplying a nitrogen-containing source gas at a declining flow rate or concentration, while supplying an oxygen-containing source gas at rising flow rate or concentration, to a deposition chamber.例文帳に追加

傾斜誘電体層を形成する方法は堆積室に、下降流量または濃度で窒素含有原料ガスを供給する一方で、上昇流量または濃度で酸素含有原料ガスを供給するステップを含む。 - 特許庁

The deposition method of the metal-containing film in one embodiment includes a step for introducing into a reaction chamber, a metal amide precursor, a silicon-containing precursor, and an oxygen source wherein each precursor is introduced after introducing a purge gas.例文帳に追加

一実施形態における金属含有膜の堆積法は、金属アミド前駆体、ケイ素含有前駆体、及び酸素源を燃焼室に導入する工程（ただし、パージガスを導入した後に各前駆体を導入する）を含む。 - 特許庁

A NOx concentration in an exhaust gas introduced into the second detection chamber 160 is detected precisely and accurately, since a current flowing in the Ip2 cell 130 is hardly affected by fluctuation of an oxygen concentration in the exhaust gas.例文帳に追加

Ｉｐ２セル１３０を流れる電流は排気ガス中の酸素濃度の変動の影響を受け難くなるため、第２検出室１６０内に導入された排気ガス中のＮＯｘ濃度を精確に検出することができる。 - 特許庁

The coating apparatus is provided with an application part which applies a liquid body including the metal that is easily oxidized on a substrate, a chamber which surrounds an application space for the liquid body to be applied by the application part and a transferring space after the application of the substrate that the liquid body has been applied, and an adjustment part which adjusts at least one of the oxygen concentration and humidity within the chamber.例文帳に追加

易酸化性の金属を含む液状体を基板に塗布する塗布部と、前記塗布部によって前記液状体の塗布される塗布空間及び前記液状体の塗布された前記基板の塗布後移動空間を囲むチャンバと、前記チャンバ内の酸素濃度及び湿度のうち少なくとも一方を調整する調整部とを備える。 - 特許庁

To prevent occurrence of abnormal film formation by reducing occurrence of arcing and preventing various parts in a chamber from being damaged when cleaning is performed by plasma treatment, using gas mixture of hydrofluorocarbon gas and oxygen as cleaning gas, in order to remove deposits deposited in the chamber and the exhaust pipe of a plasma CVD film forming apparatus.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ成膜装置のチャンバーおよび排気管路内に堆積した堆積物を除去する場合において、ハイドロフルオロカーボンガスと酸素との混合ガスをクリーニング用ガスとして使用してプラズマ処理によりクリーニングする際に、アーキングの発生を抑えてチャンバー内の各種パーツを損傷せず、成膜異常などが生じないようにする。 - 特許庁

In the method of etching process for selectively etching a silicon nitride film for a silicon oxide film after arranging, within a plasma processing chamber, a laminated film formed by laminating the silicon nitride film 15 on the silicon oxide film 14, a gas including oxygen is supplied into the plasma processing chamber using a halogen gas including boron as the principal gas as an additive gas.例文帳に追加

シリコン酸化膜１４上にシリコン窒化膜１５を積層してなる積層膜をプラズマ処理室内に配置して、前記シリコン窒化膜をシリコン酸化膜に対して選択的にエッチングするエッチング処理方法において、前記プラズマ処理室内に、主ガスとしてホウ素を含むハロゲンガスを、添加ガスとして酸素含有ガスを供給する。 - 特許庁

The transparent conductive thin film 4 is produced by introducing argon at a flow rate of 18.0 cm^3/min into a vacuum chamber with a glass substrate 2 and a target containing Zn as a component are arranged in the vacuum chamber and sputtering the target while introducing oxygen at a flow rate of 1.0 cm^3/min or more and 2.0 cm^3/min or less.例文帳に追加

透明導電薄膜４は、真空チャンバ内に、ガラス基板２と、Ｚｎを成分とするターゲットとを配置した状態で、真空チャンバ内に、１８．０ｃｍ^３／ｍｉｎの流量でアルゴンを導入し、且つ、１．０ｃｍ^３／ｍｉｎ以上、２．０ｃｍ^３／ｍｉｎ以下の流量で酸素を導入しながら、ターゲットをスパッタすることで製造される。 - 特許庁

Combustion air introduction pipes 10a-10d are disposed in a combustion chamber 1 receiving the waste A, magnetizing portions 12a-12d formed by arranging permanent magnets 13a, 13b in an opposed state, are disposed in the introduction pipes, and the combustion air is introduced into the combustion chamber 1 through the magnetizing portions little by little to burn the waste A in a low oxygen state.例文帳に追加

廃棄物Ａが収容される燃焼室１に燃焼用空気導入管１０ａ〜１０ｄを設け、該導入管に永久磁石１３ａ，１３ｂを対向状に配置した磁化部１２ａ〜１２ｄを設け、燃焼用空気が該磁化部を通って燃焼室１内に僅かずつ導入されるようにし、廃棄物Ａを低酸素状態で燃焼させる。 - 特許庁

Thus, the operation of each burner is controlled so that the length of flame emanated roughly along the burner axial center during the combustion of fuel with the oxygen-containing gas is controlled to be within the range of 60-100%, preferably 65-95% of the interval distance to the wall face in the combustion chamber opposing to the burner axial center direction passing through the center of the combustion chamber.例文帳に追加

本発明によれば、各バーナーの作動は、酸素含有ガスで燃料が燃焼している間にほぼバーナー軸心に沿って生じる火焔の長さが燃焼室の中心を通ってバーナー軸心方向に対向する燃焼室内壁面までの間隔距離の60％〜100％、好ましくは65％〜95％の範囲内となるように制御される。 - 特許庁

To establish a heat regenerative combustion technique by which the cost of heat regenerative combustion equipment 50 which stores the sensible heat of a combustion exhaust gas e discharged from a combustion chamber 3 and utilizes the stored sensible heat for warming up an oxygen-containing gas a for combustion supplied to the chamber 3 can be reduced.例文帳に追加

本発明は、燃焼室３から排出される燃焼排ガスｅの顕熱を蓄熱し、蓄熱された顕熱を燃焼室３に供給される燃焼用の酸素含有ガスａの予熱として利用する熱再生型燃焼装置５０において、装置コストを低減することができる熱再生燃焼技術を確立することを目的とする。 - 特許庁

In this cleaning facility for removing the harmful gas discharged from the semiconductor manufacturing process by thermally decomposing the harmful gas by the combustion waste gas or flame obtained by burning the fuel, a side face of the thermal decomposition chamber is a wall having air permeability and heating insulating property, and the oxygen-containing gas is introduced into the thermal decomposition chamber through the wall.例文帳に追加

半導体製造工程から排出される有害ガスを、燃料を燃焼して得られる燃焼排ガスまたは火炎により熱分解して浄化する浄化装置において、熱分解室の側面を通気性及び断熱性を有する壁とし、これを介して酸素含有ガスを熱分解室へ導入する構成を備えた浄化装置とする。 - 特許庁

The etching method includes a process (a) of etching the material containing silicon using the gas plasma containing halogen atoms other than fluorine, a process (b) of dry cleaning the interior of the reaction chamber using the gas plasma containing fluorine after the above process (a), and a process (c) of generating oxygen plasma within the above reaction chamber and performing plasma treatment immediately after the above process (b).例文帳に追加

エッチング方法は、（ａ）反応室内で、シリコンを含む材料を弗素以外のハロゲン元素を含むガスプラズマを用いてエッチングする工程と、（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記反応室内を弗素を含むガスプラズマを用いてドライクリーニングする工程と、（ｃ）前記工程（ｂ）の直後に、前記反応室内で酸素プラズマを発生させ、プラズマ処理する工程とを含む。 - 特許庁

When a mixture gas f the fuel and air in an aux. combustion chamber 1 is ignited by an ignition plug 3, the mixture gas undergoes combustion to produce a high-temperature gas which is injected into the main combustion chamber 5 from a jet 4, and the ammonium nitrate captured by a dimple 8 is pyrolyzed to result in generation of oxygen.例文帳に追加

補助燃焼室１内の燃料と空気の混合ガスに点火プラグ３が点火すると、補助燃焼室１内の燃料と空気の混合ガスが燃焼し、発生した高温ガスが高温ガス噴射孔４から主燃焼室５内に噴射され、硝安捕捉用窪み８に捕捉されている硝安を加熱分解し、酸素を発生させる。 - 特許庁

This sensor comprises a pretreatment chamber 3 comprising a diffusion rate-determining part 2 for introducing a measuring gas 1 containing NOx and for limiting an introducing volume of the gas 1, and a an oxidation- treatment part for oxidation-treating the measuring gas 1 with active oxygen gas, and comprises a sensing part 22 for sensing and/or measuring the NOx in the gas oxidation-treated in the pretreatment chamber 3.例文帳に追加

ＮＯ_x を含む測定ガスを導入し且つ前記測定ガスの導入量を制限する拡散律速部と、前記測定ガスを活性酸素ガスで酸化処理する酸化処理部とからなる前処理室、並びに前記前処理室で酸化処理したガス中のＮＯ_x を検知及び／又は測定する検知部からなる窒素酸化物センサ。 - 特許庁

The method for forming a group III-nitride crystalline material includes: (a) providing a mineralizer substantially free of oxygen and water to a reaction chamber of an ammonothermal growth reactor 1; (b) evacuating the chamber; (c) providing a seed crystalline material 11 subjected to back-etching before growing the group III-nitride crystalline material; and (d) growing the group III-nitride crystalline material in the chamber.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物結晶性材料を形成する方法であって、（ａ）実質的に酸素と水とを含まない鉱化剤をアンモノサーマル成長反応器１の反応チャンバーに提供することと、（ｂ）該チャンバーを排気することと、（ｃ）該ＩＩＩ族窒化物結晶性材料を成長させる前に、バックエッチングされたシード結晶性材料１１を提供することと、（ｄ）該チャンバー内で該ＩＩＩ族窒化物結晶性材料を成長させることとを含む、方法。 - 特許庁

To provide a method and a system for depositing an AlOx film in which film characteristics are controlled in such a manner that, in a vacuum film deposition chamber, the film characteristics (the permeability of water vapor, the permeability of oxygen and the transmissivity of all rays) of the AlOx film are simultaneously controlled at the time of film deposition.例文帳に追加

真空成膜室内で、ＡｌＯｘ膜の膜特性（水蒸気透湿度、酸素透過率、全光線透過率）を同時に、成膜時に制御可能とし、膜特性の制御されたＡｌＯｘ膜を形成する方法および装置の提供。 - 特許庁

To provide an electrolytic cell and an electrolytic method by which the pressure drop of a gas stream in a gas chamber is lowered, the mass transfer effect of the oxygen to be absorbed into a gas diffusion cathode is enhanced, the fabrication of the cell is facilitated, and the plating cost for corrosion inhibition is drastically reduced.例文帳に追加

ガス室のガス流の圧力損失を低下させ、ガス拡散陰極中に吸収される酸素の物質移動効果を高め、製作が容易で、防食のためのメッキコストを大幅に低減する電解槽及び電解方法を提供する。 - 特許庁

The exhaust-gas lambdasonde includes a first electrode disposed in a gas measurement chamber connected to the exhaust gas canal and a second electrode disposed in a reference gas canal connected to the first electrode through an oxygen ion-conductive solid electrolyte.例文帳に追加

排気ガスラムダゾンデは、排気ガスカナルと接続された測定ガス室に配置されている第一の電極と、酸素イオン伝導性の固体電解質を通して第一の電極と結合されている基準ガスカナルに配置された第二の電極を含んでいる。 - 特許庁

As a result, the radicals (active species) in the oxygen plasma are hardly deactivated even in contact with the surfaces of the forming members on a flow passage, guided from a plasma generating chamber S to a semiconductor substrate, and thereby the plasma treatment efficiency is improved.例文帳に追加

これにより、酸素プラズマ中のラジカル（活性種）が、プラズマ生成室Ｓから半導体基板まで案内される流路上の各形成部材の表面への接触等を起こしても失活し難くなり、プラズマ処理効率の向上を図ることができる。 - 特許庁

Then a mixed gas, which includes an oxygen gas and a nitrogen gas that are selected so as to prevent natural etching substantially and present at a predetermined proportion, flows into a reaction chamber to make plasma etching to the organic compound containing insulating layer 12.例文帳に追加

そして、反応チャンバー内に、自然エッチングが実質的に避けられるように選ばれる、あらかじめ決められた割合で存在する酸素ガスと窒素ガスとからなる混合気体を流入し、有機化合物含有絶縁層１２をプラズマエッチングする。 - 特許庁

The coating applied to an inner wall of a light emitting chamber of a plasma lamp is equipped with silicon, boron, oxygen, and nitrogen, and, as for layers, is equipped with a boron nitride layer most distant from the inner wall, and a silicon oxynitride layer adjacent to the inner wall.例文帳に追加

プラズマランプの光放射チェンバの内側壁部に施されるコーティングであって、珪素、硼素、酸素および窒素を備え、層は、前記内側壁部から最も離れた窒化硼素の層と前記内側壁部に隣接した酸窒化珪素の層とを備える。 - 特許庁

The single chamber fuel cell 1 is capable of generating electric power by means of a mixture gas with oxidizer gas containing hydrocarbon-based fuel gas and oxygen, and is composed of a perovskite type oxide expressed by a following general formula of an air electrode 5: La_1-xSr_xCo_1-yFe_yO_(3±δ).例文帳に追加

本発明の単室型燃料電池１は、炭化水素系燃料ガスと、酸素を含む酸化剤ガスとの混合ガスによって発電が可能なものであり、空気極５が以下の一般式（１）で表されるペロブスカイト型酸化物からなる。 - 特許庁

The regulating member 4 is formed with an orifice 43 so that the regulating member 4 is moved by gas pressure to close the flow passage 22 at the same time that the valve element 31 is moved to an open position to allow high pressure oxygen gas to flow into a valve chamber 26.例文帳に追加

流量調整部材４にはオリフィス４３が形成されており、弁体３１を開放位置に移動して高圧酸素ガスが弁室２６内に流入すると同時に、ガス圧によって流量調整部材４が移動し、流路２２を塞ぐ。 - 特許庁

In a film deposition chamber capable of controlling pressure- reduced atmosphere, a silicon dioxide film is deposited on a glass sheet or a resin sheet while irradiating an evaporation material of silicon with arc discharge plasma to evaporate silicon and allowing the resultant silicon vapor to react with oxygen.例文帳に追加

ガラス板または樹脂板上の二酸化珪素膜を、減圧された雰囲気が調整できる成膜室内で、シリコンの蒸着材料にアーク放電プラズマを照射し、これによりシリコンを蒸発させ酸素と反応させながら成膜する。 - 特許庁

The single chamber fuel cell 1 is capable of generating electric power by a mixture gas of a hydrocarbon based fuel gas and an oxidizer gas containing oxygen, and a support body 2, a fuel electrode 3, electrolyte membrane 4, and an air electrode 5 are laminated in this order.例文帳に追加

本発明の単室型燃料電池１は、炭化水素系燃料ガスと、酸素を含む酸化剤ガスとの混合ガスによって発電が可能なものであり、支持体２、燃料極３、電解質膜４及び空気極５がこの順で積層されてなる。 - 特許庁

By performing reduction of an oxide film of a surface of the target material 8 and removing deposition film attached to a wall and a member of the vacuum chamber with the active species, oxygen amount during sputter film depositing is reduced and the high quality silicon thin film is formed.例文帳に追加

この活性種を用いて、ターゲット材料８表面の酸化膜の還元や真空チャンバ壁及び部材についた堆積膜の除去を行うことで、スパッタ成膜中の酸素量を低減させ、高品質なシリコン薄膜を形成する。 - 特許庁

The quantity of discharge gas supplied inside a gas mixing chamber at least as part of secondary combustion air and that of air supplied as part of secondary combustion air are adjusted on the basis of oxygen concentration in the discharge gas.例文帳に追加

二次燃焼用空気の少なくとも一部としてガス混合室内に供給される排ガスの供給量と、二次燃焼用空気の一部として供給される空気の供給量とを、前記排ガス中の酸素濃度に基づいて調整する。 - 特許庁

The substrate processing equipment has a system for supplying first processing gas containing trimethyl aluminum and second processing gas containing oxygen (O) alternately into a chamber for processing a wafer, and an exhaust system 250 and forms a thin film of aluminum oxide on the wafer.例文帳に追加

基板処理装置は、ウェハを処理する処理室内に、トリメチルアルミニウムを含む第１の処理ガスと、酸素（Ｏ）を含む第２の処理ガスとを交互に供給するガス供給系と、排気系２５０とを有し、ウェハ上に酸化アルミニウムの薄膜を形成する。 - 特許庁

The gas sensor control device 190 can determined whether the NOx gas sensor element 10 can control properly the oxygen partial pressure in the first measuring chamber 159, and can determine the deterioration state of the NOx gas sensor element 10 with various cells.例文帳に追加

ガスセンサ制御装置１９０は、ＮＯｘガスセンサ素子１０が第１測定室１５９における酸素分圧を適正に制御できるか否かを判定でき、各種セルを備えるＮＯｘガスセンサ素子１０の劣化状態を判定することが出来る。 - 特許庁

The incineration device 1A includes the rotary kiln 11, a stoker 13, an afterburning chamber 16, a mixing gas flow passage 34 connected to a front part 11a of the rotary kiln 11, an exhaust gas fan 23 or 24, a forced draft fan 21, and an oxygen concentration control means 81.例文帳に追加

焼却装置１Ａは、ロータリーキルン１１、ストーカ１３、再燃焼室１６、ロータリーキルン１１の前部１１ａに接続された混合ガス流路３４、排ガスファン２３又は２４、押込ファン２１、酸素濃度制御手段８１を具備する。 - 特許庁

By circulating exhaust emission to the engine, reduce oxygen concentration in intake air is reduced, the compression ratio of the engine is reduced, a longitudinal gas velocity in a combustion chamber is reduced by a shallow piston cavity, and combustion is controlled such that in- cylinder maximum pressure becomes 12 MPa or less.例文帳に追加

エンジンに排気還流して吸気の酸素濃度を低減し、エンジンの圧縮比を下げ、浅いピストンキャビティにより燃焼室内の縦方向ガス速度を低減し、筒内最高圧が１２ＭＰａ以下となるよう燃焼を制御する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, and a semiconductor manufacturing apparatus which is constituted so that an impurity gas such as oxygen is not introduced into a treatment chamber using an O ring as a seal member during a heat treatment stage for metal silicide formation on a semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｏリングをシール部材に用いた処理室で、半導体基板上の金属シリサイド形成を行う熱処理工程において、処理室に酸素等不純物ガスを引込まない半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

As the outside air does not intrude into the furnace in discharging the dry-distilled material 7, replacement by inert gas in the furnace for charging the next dry-distilled material 7 is unnecessary, and further as the discharge chamber 12 has low oxygen concentration, the discharged dry-distilled material 7 is not oxidized.例文帳に追加

被乾留物７の排出時に炉内に外気が侵入しないので、次の被乾留物７の投入のために炉内を不活性ガス置換する必要がなく、また排出室１２は低酸素濃度なので、排出された被乾留物７が酸化されることがない。 - 特許庁

The organic matter elimination mechanism 30 supplies a very small amount of an oxygen- family gas such as O2 and O3 gases between the substrates before the substrate W is thrown into the reaction chamber 1, and additionally supplies an nitrogen N2 gas between the substrates W for eliminating the organic matters from the substrate W.例文帳に追加

有機物除去機構３０は、基板Ｗを反応室１に投入する前に、基板Ｗ間に微量の酸素系ガス（Ｏ_2、Ｏ_3ガス等）を供給したうえで、さらに基板Ｗ間に窒素Ｎ_2ガスを供給して基板Ｗから有機物を除去する。 - 特許庁