「oxygen chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

After an IC chip 1 and a substrate 2 are carried in a hermetically sealed chamber 13, the surfaces of the electrodes 3 of the chip 1 or connecting electrodes 4 provided on the substrate 2 are activated with an energy wave and the electrodes 3 and 4 are joined to each other under a condition where the oxygen concentration in the chamber 13 is reduced.例文帳に追加

密閉されたチャンバー１３内にＩＣチップ１と基板２とを搬入したのち、チャンバーの酸素濃度を低下させた状態で、ＩＣチップ１の電極３又は基板２上の接続電極４の表面をエネルギー波により活性化したのち、両者を接合する。 - 特許庁

In the method of manufacturing semiconductor device, an organic film formed on a semiconductor substrate 20 arranged within a chamber 20 is ashed using plasma consisting of the gas including oxygen, and a carbon-containing film 26a consisting of the material including carbon is formed to the internal wall of the chamber 20.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、チャンバー２０内に配置された半導体基板２０上に形成されている有機膜に対して、酸素を含むガスよりなるプラズマを用いてアッシングを行なうと共に、チャンバー２０の内壁に炭素を含む材料よりなる炭素含有膜２６ａを形成する。 - 特許庁

The mixed gas of these gases introduced into the processing chamber 11 is gradually separated, while flowing within the processing chamber 11 to form a helium area 25 in the highest side, a vapor area 26 under the highest side, an oxygen area 27 under the vapor area, and an argon area 28 in the lowest side.例文帳に追加

処理室１１内に導入されたこれらのガスの混合気体は処理室１１内を流れる間に次第に分離して、最上方の軽いヘリウムの領域２５と、その下の水蒸気の領域２６と、その下の酸素の領域２７と、最下方のアルゴンの領域２８とに分離する。 - 特許庁

The protective device includes an automated protective system performing the operation to stop the supply of the oxygen-containing gas to the gas chamber at the time of stopping the operation of the alkali chloride electrolytic cell provided with the gas diffusion negative electrode and the operation to replace by the inert gas in the gas chamber after the supply thereof is stopped.例文帳に追加

ガス拡散陰極を備えた塩化アルカリ電解槽が停止した際に、ガス室への酸素含有ガスの供給を停止する操作、及びその供給の停止後にガス室内を不活性ガスにて置換する操作を行う自動化保護システムを含む保護装置。 - 特許庁

The method for removing the soot in the vacuum heat treatment furnace, is performed, with which gas containing oxygen is introduced into a carburizing treating chamber 2 from a gas supplying body 28 and also, the above gas is made to be a plasma state with a high frequency induction discharge from a discharging electrode 7 and the soot deposited in the carburize-treating chamber 2 is removed by acting this plasma.例文帳に追加

浸炭処理室２内へガス供給体２８から酸素を含んだ気体を導入するとともに放電電極７からの高周波放電により上記気体をプラズマ化し、このプラズマを作用させることによって浸炭処理室２内に堆積した煤を除去する。 - 特許庁

As to cleaning of the inspection device, a means to produce active species of oxygen is provided in a sample observation chamber, contamination remaining in the inside of the observation chamber is reduced, and a sample to be observed is prevented from being contaminated.例文帳に追加

検査装置清浄化は、試料観察室に酸素の活性種を生成する手段を設け、観察室内部に残留している汚染を低減し、汚染影響による観察分解能の低下が少ない形状観察や寸法測定を可能とするとともに、観察対象の試料の汚染を防止する。 - 特許庁

In the method of forming the silicon oxide film on a surface of a substrate mounted in a pressure-reducible processing chamber, a silane gas and oxygen atoms are repeatedly and alternately supplied into the processing chamber to form the silicon oxide film on the surface of the substrate.例文帳に追加

減圧可能な処理室に載置された基板の表面にシリコン酸化膜を形成する方法であって、処理室に、シランガスと酸素原子を含むガスを交互に繰り返し供給し、基板の表面にシリコン酸化膜を形成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法が提供される。 - 特許庁

A substrate provided with a resist mask formed through an insulation film is held inside the chamber of an ashing device, gas containing oxygen atoms introduced into the chamber is activated by applying RF power, and the resist mask is ashed by applying the RF power to the substrate side.例文帳に追加

絶縁膜を介して形成されたレジストマスクを有する基板をアッシング装置のチャンバ内に保持し、ＲＦ電力を印加してチャンバー内に導入した酸素原子を含有するガスを活性化させるとともに、前記基板側にＲＦ電力を印加して前記レジストマスクのアッシングを行うアッシング方法。 - 特許庁

To provide an exhaust emission control device in a combustion chamber in an internal combustion engine for burning a non-burnt substance entering a quenching zone by providing an anion included crystal for generating an extremely large amount of active oxygen having high oxidation capacity at the opening end in the combustion chamber or a piston top surface.例文帳に追加

酸化能力の高い活性酸素を極めて大量に発生させることが可能なアニオン包接結晶を燃焼室開口縁又はピストン頂面に設けてクエンチングゾーンに侵入した未燃物質を燃焼させるようにした内燃機関の燃焼室内排気浄化装置を提供する。 - 特許庁

A gaseous starting material being a gaseous mixture of hydrogen with oxygen is fed to the upper part 1st chamber 14 from a gaseous starting material feed port 4 formed on the top wall 12 of the reaction furnace main body 1 and introduced into the lower part 2nd chamber 15 while being diffused by a 1st reflection plate 3 and the diffusion filter 2.例文帳に追加

水素と酸素との混合ガスである原料ガスは、反応炉本体１の頂壁１２に形成した原料ガス供給口４３から上位の第１室１４に供給され、第１反射板３及び拡散フィルタ２により拡散されつつ、下位の第２室１５へと導入される。 - 特許庁

This removal method of harmful substances from gas stream is a method for combustive decomposition of the harmful substances in the gas stream, therein, the gas stream is poured into a heating chamber which has oxygen sufficient to enable substancially perfect combustion therein, and at the same time, hydrogen exists in the chamber as a combustion gas.例文帳に追加

ガスストリームにおける有害物質の燃焼的分解のための方法であって、ガスストリームを、その中において実質的な完全燃焼を可能にするのに十分な酸素を有する加熱チャンバーに注入することを含み、水素が、また、チャンバー中に燃料ガスとして存在する方法。 - 特許庁

The impurity reducing method includes a step of supplying two kinds of gas selected out of hydrogen, oxygen, chlorine, and fluorine into a processing chamber 201, and a step of exposing a quartz member 278 in the processing chamber 201 to gas activated with plasma in a low-temperature atmosphere.例文帳に追加

本発明の不純物低減方法は、水素、酸素、塩素及びフッ素から選択される少なくとも２種類の気体を処理室２０１内に供給する工程と、プラズマにより活性化した気体を低温雰囲気にて処理室２０１内の石英部材２７８に曝す工程とを有する。 - 特許庁

To provide: an airtight package providing performance improved by preventing oxygen molecules caused upon anodic bonding from diffusing into a storage chamber and by keeping the inside of the storage chamber in a prescribed decompressed atmosphere or a prescribed gas atmosphere; a method of manufacturing the airtight package; and an electronic device with the airtight package.例文帳に追加

陽極接合に付随して発生する酸素分子の格納室内への拡散を防ぎ、格納室内を所定の減圧雰囲気または所定のガス雰囲気に保って高性能化された気密パッケージ、該気密パッケージの製造方法ならびに該気密パッケージを有する電子デバイスを提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of supplying an HMDSO(hexamethyldisiloxane) as a stock material into a reaction chamber 11 of a low pressure CVD unit 10, in a state in which an insulating film 15a of a semiconductor substrate 15 in the chamber 11 is irradiated thereon with a vacuum ultraviolet ray, and supplying oxygen as an adding gas.例文帳に追加

減圧ＣＶＤ装置１０の反応室１１内の半導体基板１５の絶縁膜１５ａ上に真空紫外光を照射した状態で、前記反応室内に原料ガスとして、ＨＭＤＳＯ（ヘキサメチルジシロキサン）が供給されかつ添加ガスとして酸素が供給される。 - 特許庁

The method is composed of a first process for plasma-etching a member to be etched 17, which is arranged in the reaction chamber 11, by using SiCl_4 or BCl_3 and a second process for introducing a plasma of gas, comprising oxygen into the reaction chamber 11, after the first process.例文帳に追加

反応室１１内に配置された被エッチング部材１７に対し、ＳｉＣｌ_４ またはＢＣｌ_３ を用いてプラズマエッチング処理する第１工程と、この第１工程の後、反応室１１内に、少なくとも酸素を含むガスのプラズマを導入する第２工程とからなっている。 - 特許庁

A hydrogen gas tank 15 and an oxygen gas tank 14 are provided in a gas discharge system of a cathode side vapor-liquid separator 11 communicated with a cathode chamber 3 and a gas discharge system of an anode side vapor-liquid separator 10 communicated with an anode chamber 2, and the ratio of the inner volume of these gas tanks is set to be substantially 2:1.例文帳に追加

陰極室３に連通する陰極側気液分離器１１のガス排出系と、陽極室２に連通する陽極側気液分離器１０のガス排出系に、水素ガスタンク１５と酸素ガスタンク１４を設け、さらにこれらのガスタンクの内容積の比を略２：１とする。 - 特許庁

The oxygen radical causes chemical reaction with contaminants adhering to printed substrates in a magazine 7 and discharged through a discharge port 1C formed in the rear wall of the vacuum chamber 1.例文帳に追加

そして、ラジカル化された酸素がマガジン７内のプリント基板６に付着している汚染物質と化学反応を起こして、真空チャンバー１の後壁に開設された排出口１Ｃを介して排出される。 - 特許庁

After the oxygen concentrations in both internal spaces match with the desired values, semiconductor wafers 30 held on a wafer boat 32 are inserted into the chamber 22 from the area 40, using a boat lifter 36.例文帳に追加

両者の酸素濃度が所望濃度で一致した後に、ボート昇降機３６により、ウェハボート３２に保持されている半導体ウェハ３０を、ローディングエリア４０から反応チャンバー２２内に挿入する。 - 特許庁

Oxygen-based gas is introduced into the 2nd chamber 2 to generate plasma, and resist provided to the base material and a part of reaction products produced through an etching process are ashed off with the above plasma.例文帳に追加

第２チャンバ２内に酸素系ガスを導入してプラズマを生成し、基材に設けてあるレジスト及びエッチング処理にて生成された反応生成物の一部を前記プラズマによってアッシング除去する。 - 特許庁

To prevent the generation of an arc caused by the insertion/extraction of a connector during the passage of electric current in a nursing chamber of a high oxygen concentration by installing a plane humidifying heater fitted integrally to the lower surface of an evaporation tank.例文帳に追加

蒸発槽の下面に一体に取付られた面状加湿ヒータを設けて、高酸素濃度下での保育室内における通電中のコネクタの抜き差しに起因するアークの発生を回避する。 - 特許庁

To provide a treating device, using superheated steam as a heat source, thereby heating the inside of a treatment chamber at a high temperature in an atmosphere of little oxygen under normal pressure so that heat efficiency is good and treatment can be made in a short time, and also performing bactericidal action and sterilization.例文帳に追加

過熱蒸気を熱源とし、常圧下の少酸素雰囲気で高温加熱し、熱効率がよく、短時間での処理が可能で、殺菌、滅菌もできる処理装置を提供する。 - 特許庁

The control device 80 controls the operation of the blower fan 28 not to increase oxygen concentration in the heating chamber 20 during cooking with steam supplied from the steam generator 40.例文帳に追加

上記制御装置８０は、蒸気発生装置４０から供給される蒸気による加熱調理中に加熱室２０内の酸素濃度が上昇しないように、送風ファン２８の運転を制御する。 - 特許庁

Then, in the same chamber, the selective etching is carried out to the first insulating film 104 by a second etching gas using an oxygen gas as the main constituent, and a lower section 108b of the hole is formed.例文帳に追加

次に、同じチャンバー内において、第１の絶縁膜１０４に対して、酸素ガスを主成分とする第２のエッチングガスにより選択的エッチングを行なって、ホールの下部１０８ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a film-forming apparatus with the use of an arc-type ion plating process, which can form an adequate film, especially the film into which oxygen and (or) hydrogen originating in remaining moisture in a film-forming chamber is inhibited from entering.例文帳に追加

良質の膜、特に、成膜室内残留水分に起因する酸素及び（又は）水素の取り込みの抑制された膜を形成できるアーク式イオンプレーティングによる成膜装置を提供する。 - 特許庁

To realize etching characteristics with high accuracy by suppressing the etching amount of a resist by reducing the quantity of oxygen emitted from an etching chamber member into plasma, and making a pattern sidewall protective film thin.例文帳に追加

エッチングチャンバ構成部材からプラズマ中に放出される酸素の量を低減してレジストのエッチング量を抑え、パターン側壁保護膜の薄膜化を図り、より高精度なエッチング性能を実現する。 - 特許庁

This ceramic insulator cleaning method comprise a step to calcine the part of the ceramic insulator in an oxygen atmosphere at 600-1,300°C in the dry etching chamber.例文帳に追加

前記目的を達成するために、本発明は乾式エッチング装置内の絶縁体部品を酸素雰囲気下、６００〜１３００℃でか焼する段階を含むセラミック絶縁体の洗浄方法を提供する。 - 特許庁

Plasma is generated in the processing chamber 2 by supplying microwaves from a microwave supply device 37 and the surface of the article T is subjected to radical oxidation with oxygen radicals generated from the plasma.例文帳に追加

マイクロ波供給装置３７の供給によって，処理容器２内にプラズマを発生させ，それによって発生した酸素ラジカルによって被処理体Ｔの表面にラジカル酸化処理を行う。 - 特許庁

The prescribed quantity of an inert gas such as nitrogen is supplied into the plasma decomposition chamber 21 together with additional gases such as an oxygen and water steam, and the PFC gas is subjected to plasma decomposition under the presence of the inert gas.例文帳に追加

プラズマ分解室２１内に、添加ガスの酸素、水蒸気と共に、窒素などの不活性気体を所定量供給して、不活性気体の存在下、ＰＦＣガスのプラズマ分解を行う。 - 特許庁

Furthermore, when a selection ratio of Si and SiO2 is adjusted in an etching process, an oxygen gas 42 and a hydrogen gas 43 are led into the etching chamber 1 via mass controllers 52, 53.例文帳に追加

この同位体組成比を異ならせることによって、質量分析で検出される同じ原子組成の検出物質について、エッチング処理の段階に応じて質量に差を生じさせることができる。 - 特許庁

With such a constitution as above, it is possible to stop supplying of oxygen flowed from the discharging port, perform a positive extinguishing of fire even if a user is not present at the site and at the same time to restrict the smoke from leaking out of the heating chamber.例文帳に追加

この構成により、排気口からの酸素供給を絶ち、使用者がその場にいなくても、確実に消火できると共に、煙が加熱室の外に漏出するのを抑えることができる。 - 特許庁

Plasma of oxidative gas produced by a plasma generating device 2, e.g. the plasma of oxygen gas or steam is guided into a processing chamber 11 and made to react on the substrate 19 to be processed, thereby performing ashing.例文帳に追加

プラズマ発生装置２で発生した酸化性ガスのプラズマ、例えば酸素ガスや水蒸気のプラズマを、処理室１１内に導き、処理対象基板１９と反応させ、例えばアッシングを行う。 - 特許庁

Next the organic/inorganic composite film is subjected to a hydrogen plasma process by introducing a mixture of hydrogen, nitrogen and oxygen gases into the vacuum chamber and generating plasma of the mixture gas.例文帳に追加

次に、真空チャンバー内に、水素ガスと窒素ガスと酸素ガスとの混合ガスを導入すると共に、該混合ガスからなるプラズマを発生させることにより、有機無機複合膜に対して水素プラズマ処理を行なう。 - 特許庁

A mixture chamber contains a carbohydrate composition solvent in a selected amount, and further has a margin to receive and contain mixture gas of hydrogen and oxygen fed from the electrolytic bath through a pipe.例文帳に追加

混合チャンバは選択された量の炭水化合物組成物溶剤を収容し、さらに、パイプで電解槽より送られた水素と酸素の混合ガスを受け取り収容するための余地を有している。 - 特許庁

Salt electrolysis is performed using the electrolytic cell satisfying the above conditions, so that the pressure loss of a gas stream in the gas chamber can be reduced without damaging the mass transfer efficiency of oxygen.例文帳に追加

このような条件を満足する電解槽を使用して食塩電解を行なうと、酸素の物質移動効果を損なうことなく、ガス室のガス流の圧力損失を低下させることができる。 - 特許庁

To provide an ashing device and an ashing method in which oxygen gas in a chamber can be exhausted efficiently and a work to be processed can be irradiated with UV-rays effectively.例文帳に追加

チャンバー内の酸素ガスを効率良く排気できるとともに、処理されるワークに対し、効果的に紫外線を照射することのできるアッシング処理装置およびアッシング処理方法を提供する。 - 特許庁

In this design, turbulence atomization of the liquid fuel is generated, and the combustion inside the combustion chamber is improved by use of one or more jets as a jetting method for the liquid fuel and oxygen.例文帳に追加

本デザインでは、液体燃料の乱流霧化を発生させ、液体燃料と酸素のための射出方法として１つ又は複数のジェットを使用して、燃焼室内部の燃焼を改善する。 - 特許庁

Gaseous ammonia and air or oxygen are introduced through mass flow controllers 54 and 59, solenoid valves 56 and 60, and check valves 57 and 61, respectively electrically connected to a control section 69 into the nitriding treatment chamber.例文帳に追加

アンモニアガスと空気又は酸素はそれぞれ制御部６９に電気的に接続されているマスフローコントローラ５４，５９、電磁弁５６，６０、及び逆止弁５７，６１を介して窒化処理室に導入される。 - 特許庁

A hydrogen separation membrane layer 120 is arranged in a chamber 300 and an electrolyte membrane layer 110 is formed on its surface using an oxygen missing type proton conductor compound by membrane forming equipment 304.例文帳に追加

チャンバー３００内に水素分離膜層１２０を配置し、その表面に製膜機器３０４により、酸素欠損型プロトン伝導体化合物を用いて電解質膜層１１０を製膜する。 - 特許庁

Since the after-injection timing is corrected depending on the amount of oxygen sucked into a combustion chamber, the combustion of an after-injection fuel can be accurately started around the timing when the main injection combustion is finished.例文帳に追加

ここで、後噴射時期は、燃焼室への吸入酸素量に応じて補正されるので、主噴射燃焼終了時期付近で後噴射燃料の燃焼を正確に開始させることができる。 - 特許庁

Here, the blowing-out of the superheated steam through a circulating passage 9 is not performed, and the heating cooking can be performed in a state that oxygen concentration in the heating chamber 2 is efficiently lowered from the start of heating.例文帳に追加

この際、循環経路９を通じての過熱蒸気の吹き出しは行われないので、加熱室２内の酸素濃度を加熱開始から効率よく低下させて加熱調理を行うことができる。 - 特許庁

This device is provided with a fuel injection valve injecting fuel to the combustion chamber 1a, an air injection valve supplying secondary air into the combustion chamber 1a, oxygen enrichment membrane 6 provided on a supply route 4 of secondary air and increasing oxygen concentration of secondary air, and injects fuel and secondary air to a cylinder stopping in expansion stroke before start of the engine 1.例文帳に追加

燃焼室１ａに燃料を噴射する燃料噴射弁と、燃焼室１ａ内に２次空気を供給するエア噴射弁と、２次空気の供給経路４上に設けられて２次空気の酸素濃度を高める酸素富化膜６とをそなえるとともに、エンジン１の始動時には、エンジン１の始動前に膨張行程で停止していた気筒に対して燃料及び２次空気を噴射するように構成する。 - 特許庁

The method includes the steps of introducing into a remote plasma source 66 a gas mixture including sulfur hexafluoride and an oxygen-containing chemical compound selected from a group composed of oxygen and nitrogen monoxide, dissociating a portion of the gas mixture into ion, transferring their atoms into a processing region 212 of a chamber 202, providing in situ plasma, and rinsing out a deposit from the chamber through ionic reaction.例文帳に追加

六フッ化硫黄と、酸素および亜酸化窒素からなる群から選択された酸素含有化合物とを含むガス混合物を、リモートプラズマ源６６に導入するステップと、ガス混合物の一部分をイオンに解離するステップと、それらの原子をチャンバ２０２の処理領域２１２に移送するステップと、インシチュプラズマを与えるステップと、イオンとの反応によって、チャンバ内から堆積物を洗浄するステップとを含む方法。 - 特許庁

This film forming equipment 10 includes parallel plate electrodes 16, 22 provided in a reaction chamber 12, gas supply sources 20, 30 for introducing process gases containing SiH4, SiF4, and an oxygen source substance into the reaction chamber 12, valves 36, 38, 40, a gas mixing chamber 28 and a power source 44 for supplying RF power to generate plasma of the process gases.例文帳に追加

成膜装置１０は、反応チャンバ１２内に設けられた平行平板型電極１６、２２と、ＳｉＨ_4、ＳｉＦ_4および酸素ソース物質を含むプロセスガスを反応チャンバ１２内に導入するためのガス供給源２０、３２、３４、バルブ３６、３８、４０、およびガス混合室２８と、プロセスガスのプラズマを生成するためのＲＦ電力を供給する電力源４４と、を備える。 - 特許庁

The wafer processor includes a transfer chamber 10 which is vaccumized for exhaustion and has a plurality of gate valves, a plurality of vacuum processing chambers 20, 30, and 40 which can severally communicate with the transfer chamber through any one of the plural gate valves, and a load lock chamber 50 which is possible of vacuum exhaustion and in which a first gas supply line for supplying oxygen-containing gas is coupled to it.例文帳に追加

ウェーハ処理装置は、真空排気され、複数のゲート弁を有するトランスファチャンバ１０と、複数のゲート弁のうち何れか１つを通じて各々トランスファチャンバと連通可能な複数の真空処理チャンバ２０，３０，４０と、真空排気が可能であり、内部に酸素含有ガスを供給するための第１ガス供給ラインが連結されているロードロックチャンバ５０とを含む。 - 特許庁

In the bottle stopper, a stopper body 110 configured to be inserted into the opening of the bottle 10 for sealing the opening is formed as a storage chamber for storing oxygen absorber 12, thereby securely and continuously absorbing and removing the oxygen remaining in the bottle 10.例文帳に追加

本発明に係る瓶の栓は、瓶１０の開口の内側に挿入して開口を再密封できる形態に構成した栓本体１１０を、酸素吸収剤１２を収容可能な収容室に形成して、瓶１０の内部に残存する酸素を安全的且つ持続的に吸収して除去できるようにしたものである。 - 特許庁