「n is a」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

Digital image data of n-bit is converted to n+m-bit by a γ compensation table and is displayed by using the D/A converter of n+m-bit.例文帳に追加

ｎビットのデジタル画像データをγ補正テーブルでｎ＋ｍビットに変換し、ｎ＋ｍビットのＤ／Ａコンバータを用いて表示する。 - 特許庁

The control command of the program access (PGN#n) is issued in a step (13) or the control command of the program access (PGN#n) is issued in a step (14).例文帳に追加

そしてステップ〔１３〕でプログラムアクセス（PGN #n）の制御指令が発行されるか、ステップ〔１４〕でプログラムアクセス（PGN #1）の制御指令が発行される。 - 特許庁

The optical disk apparatus determines A (A≥1, A<N, and A is an integer) recording layers to be adjusted on the basis of the arrangement of the recording layers of an optical disk having N (N≥3, and N is an integer) recording layers.例文帳に追加

Ｎ個（Ｎ≧３、Ｎは整数）の記録層を有する光ディスクの記録層の配置に基づいて、調整処理を実施するＡ個（Ａ≧１、Ａ＜Ｎ、Ａは整数）の記録層を決定する。 - 特許庁

A BiYIG membrane 207 is filmed on a (SiO2/Ta2O5)n layer 210 and while cooling a heat non-resistant substrate 203 and the (SiO2/Ta2O5)n layer 210 via a substrate holder 201, the crystallizing heat treatment of the BiYIG membrane 207 is performed by infrared rays.例文帳に追加

（SiO_2 /Ta_2O_5）^n 層210 の上にBiYIG 薄膜207 を成膜し、基板ホルダ201 を介して非耐熱性基板203 及び（SiO_2 /Ta_2O_5）^n 層210 を冷却しつつ赤外線によりBiYIG 薄膜207 の結晶化熱処理を行う。 - 特許庁

A P-N junction, between a deep N well 114 and a P type silicon substrate 126, is responsive to red light and the P-N junction between the deep N well and a P well 116 is responsive to the red light.例文帳に追加

深いＮウェル１１４とＰ型シリコン基板１２６の間のＰＮ接合が赤色光に反応し、深いＮウェルとＰウェル１１６の間のＰＮ接合が赤色光に反応する。 - 特許庁

In case of an oriented ceramic, a degree of orientation is within a range of 50-100%, and a piezoelectric constant is within a range of 10-5,000 pC/N.例文帳に追加

また、配向セラミックスである場合は、配高度が50〜100％の範囲内にあり、圧電定数が10〜5000pC/Nの範囲内にある。 - 特許庁

A base station is mounted in a vehicle and includes N pieces of the antenna coils.例文帳に追加

ベースステーションは、Ｎ個のアンテナコイルを含み、車載される。 - 特許庁

A semiconductor wafer is exposed by 1/N of a required light exposure.例文帳に追加

半導体ウエハを必要露光量の１／Ｎで露光する。 - 特許庁

When an FET is identified, a P/N ratio is calculated for every possible input combination.例文帳に追加

FETが識別されると、可能性のある全ての入力の組合せについてP/N比が計算される。 - 特許庁

Antenna arrangement is set so that a path difference is (n/2+1/4)λc or (n/2)λc.例文帳に追加

パス差が（ｎ／２＋１／４）λｃまたは（ｎ／２）λｃとなるようにアンテナ配置を設定する。 - 特許庁

When a contents ID is (n), an n-th bit from the head of the receiving-confirming file 11 is taken as '1'.例文帳に追加

コンテンツＩＤがｎの場合、受信確認ファイル１１の先頭からｎビット目を「１」とする。 - 特許庁

If the predetermined conditions can not be satisfied, the color difference information Cr'(n) and Cb'(n) of the pixel P(n) under consideration is replaced with a weighted average of original color difference values Cr(n) and Cb(n) of the intermediate values Crm(n) and Cbm(n) in S103.例文帳に追加

所定条件を満たせない時は注目画素Ｐ(ｎ)色差情報Ｃｒ′(ｎ)Ｃｂ′(ｎ)をＳ１０３での中間値Ｃｒｍ(ｎ)Ｃｂｍ(ｎ)と元の色差値Ｃｒ(ｎ）Ｃｂ(ｎ)の加重平均で置換る。 - 特許庁

A curvature lessening layer composed of n-AlGaN is inserted to an n-contact layer 11 composed of n-GaN.例文帳に追加

ｎ−ＧａＮからなるｎコンタクト層１１中に、ｎ−ＡｌＧａＮからなる湾曲緩和層を挿入した。 - 特許庁

In order to get a contact with an n-side electrode 29, both sides of the stripe geometry is removed to the middle of the n-GaN buffer layer 13.例文帳に追加

ｎ側電極29とのコンタクトをとるために、ストライプの両側をn-GaNバッファ層13の途中まで除去する。 - 特許庁

A deep N+ type region 14 is formed in an N- type layer 13b to reach an N+ type layer 13a.例文帳に追加

Ｎ−型層１３ｂに、Ｎ＋型層１３ａに達するようにディープＮ＋型領域１４が形成されている。 - 特許庁

Therefore, provided that the diameter and number of layers of the winding 5 are represented by (d) and (n) respectively, the thickness T of the coil is represented by a formula, T=d{1+31/2(n-1)/2}.例文帳に追加

よって、巻き線５の直径をｄ、層数をｎとすると、コイルの厚みは、d{1+3^１／２(n-1)/2}となる。 - 特許庁

A bolt 21b-(n+1) mounted in a diagonal bolt segment 1-n is inserted into the bolt hole 5b-(n+1), and a bolt 17a-(n+1) mounted in a diagonal bolt segment 1-(m+1) is inserted into the bolt hole 5a-(n+1).例文帳に追加

斜ボルトセグメント１−ｎに取り付けられたボルト２１ｂ−（ｎ＋１）をボルト用穴５ｂ−（ｎ＋１）に、斜ボルトセグメント１−（ｍ＋１）に取り付けられたボルト１７ａ−（ｎ＋１）をボルト用穴５ａ−（ｎ＋１）に挿入する。 - 特許庁

In the case the contents of C of the surface layer part is [C] and the contents of N is [N], such a relation as 0.85 wt.% ≤ [C] + 1.5 [N] ≤ 1.3 wt.% and [N] ≥ 0.05 wt.% is formed.例文帳に追加

前記表層部のＣ含有量を［Ｃ］、Ｎ含有量を［Ｎ］とした場合、０．８５wt％≦［Ｃ］＋１．５［Ｎ］≦１．３wt％でかつ［Ｎ］≧０．０５wt％という関係を満たす。 - 特許庁

When it is determined that n is a natural number, the rubber hardness H(n+1) in the (n+1)-th region 22 from the center is higher than the rubber hardness Hn in the n-th region 20 from the center.例文帳に追加

ｎが自然数とされたとき、センターから（ｎ＋１）番目の領域２２のゴム硬度Ｈ（ｎ＋１）がセンターからｎ番目の領域２０のゴム硬度Ｈｎより高い。 - 特許庁

A value n(d-D)/h is calculated by using a height (h) 16 and diameter (d) 17 of a solder 9 after it is mounted, a diameter D 15 of a parts electrode 5, and a correction constant (n).例文帳に追加

実装後はんだ９の高さｈ１６と直径ｄ１７と、部品電極５の直径Ｄ１５と、補正定数ｎを用いて、n(d-D)/hなる値を計算する。 - 特許庁

The epoxy resin is represented by general formula (1) (R is a hydrogen atom or a phenylene group; a is 3-17; n is an average value and is 0.5<n≤20).例文帳に追加

下記式（１）（Ｒは水素原子もしくはフェニル基、ａは３〜１７、ｎは平均値であり０．５＜ｎ≦２０を表す。）で表されるエポキシ樹脂。 - 特許庁

An array list of values up to N from 1 being a definition area of an intermediate array index is introduced.例文帳に追加

中間配列indexの定義域である1からNまでの値の配列listを導入する。 - 特許庁

At a step 108, an N-multiple signal of the N-phase phase-modulated signal is generated.例文帳に追加

ステップ１０８では、Ｎ相位相変調信号のＮ逓倍信号を生成する。 - 特許庁

The partial rate is first allocated, according to the S/N so as to obtain a prescribed transmission error rate.例文帳に追加

初め所定伝送誤り率を得るようS/Nに応じ部分速度を割当てる。 - 特許庁

In the case of 2r<n and 2(m-r)≤n, a pixel is not outputted.例文帳に追加

２ｒ＜ｎであって、しかも２（ｍ−ｒ）≦ｎである場合には、画素は出力しない。 - 特許庁

If n specifies a non-existent process or job, the return status is 127. 例文帳に追加

nが存在しないプロセスやジョブを指定している場合、返却ステータスは 127 になります。 - JM

An N+ type source layer 3 is formed on a surface of the N type epitaxial layer 6.例文帳に追加

前記Ｎ型エピタキシャル層６の表面にＮ＋型ソース層３を形成する。 - 特許庁

Ours is a world of nuclear giants and ethical infants- Omar N. Bradley 例文帳に追加

私たちの世界は、核保有国と論理的な幼児の世界である。−オマール・N・ブラッドレー - 日本語WordNet

An n--type drift layer and a p-type base region are laminated on an n+-type silicon carbide substrate, an n+-type source region is formed in a prescribed area in a surface layer part within a base region, and a gate trench is formed by a trench groove reaching the drift layer.例文帳に追加

本発明は、n+型炭化珪素基板上に、n-型ドリフト層とp型ベース領域を積層すると共に、ベース領域内の表層部における所定領域にn^+型ソース領域を形成し、かつ、前記ドリフト層に達するトレンチ溝によりゲートトレンチを形成する。 - 特許庁

Almost all the secondary difference values Δ2, n of Tn are -1, 0 or 1. and a permutation pattern of two continuing Δ2, n values is represented by a storage data element of four bits.例文帳に追加

Ｔnの二次差分値Δ2,nはほとんどが−１，０，１のいずれかであり、連続する２つのΔ2,nの順列パターンを４ビットの保存データ要素で表す。 - 特許庁

Compensation of frequency dependency of a Doppler shift or the like is executed for a difference between the gravity center frequencies fwr [1:n], fwt [1:n] to determine the Doppler shift amount fd.例文帳に追加

重心周波数ｆwr[1:n]、ｆwt[1:n]の差に対してドップラーシフトの周波数依存性の補償などが行われてドップラーシフト量ｆｄが求められる。 - 特許庁

An image projected on an imaging element is captured as a source image of n×m pixels and also captured as a reduced image of n'×m' pixels (n>n' and m>m').例文帳に追加

撮像素子に投影されている画像をｎ×ｍ画素の元画像として取り込むとともに、ｎ’×ｍ’画素（ｎ＞ｎ’、ｍ＞ｍ’）の縮小画像として取り込む。 - 特許庁

Compensation of frequency dependency of a Doppler shift or the like is executed for a difference between the gravity center frequencies fwr[1:n], fwt[1:n] to find the Doppler shift amount fd.例文帳に追加

重心周波数ｆwr[1:n]、ｆwt[1:n]の差に対してドップラーシフトの周波数依存性の補償などが行われてドップラーシフト量ｆｄが求められる。 - 特許庁

(4) Modeling shall be based on a subspace method, such as a regression analysis method with omission of N piece of data (N=0, 1, 2, and so on) or a projection distance method (for example, when N=1, modeling is carried out by excluding this, assuming that one abnormal data is mixed) or a local subspace method.例文帳に追加

（４）モデル化は、データのN個抜き（N=0,1,2,・・・）の回帰分析法や投影距離法等の部分空間法（例えばN=1の場合は、異常データが１個混入していると考え、これを除いてモデル化する）、或いは局所部分空間法によるものとする。 - 特許庁

When sound recording mode is selected, the sound is picked up by microphones MICh1, MICh2, MICh3, and sound data Shm1(n), Shm2(n), Shm3(n) are stored in a storage part 3.例文帳に追加

録音モードが選択されると、マイクロホンＭＩＣｈ１，ＭＩＣｈ２，ＭＩＣｈ３による収音が行われ、音声データＳｈｍ１（ｎ），Ｓｈｍ２（ｎ），Ｓｈｍ３（ｎ）が記憶部３に記憶される。 - 特許庁

An n-type semiconductor is epitaxially grown on an n-type low resistance substrate 1 and a trench is formed on the n-type semiconductor.例文帳に追加

ｎ型低抵抗基板１の上にｎ型半導体をエピタキシャル成長させ、そのｎ型半導体にトレンチを形成する。 - 特許庁

Antenna arrangement is set so that a path difference is (n/2)λc.例文帳に追加

パス差が（ｎ／２）λｃとなるようにアンテナ配置を設定する。 - 特許庁

There is no fellow that is not worried when a person important to him disappears.例文帳に追加

大事な人が消えてn心配しないやつなんて いねえよ - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

Additionally, the composition includes the polymer of a compound of formula (2) when it is required (wherein R^1 is a hydrogen atom or a methyl group and n is an integer of 10-22).例文帳に追加

（ここでＲ^1は水素又はメチル基で、ｎは１０〜２２の整数である。） - 特許庁

A metric m(t) with respect to the state transition t is defined as m(t)=v0(t)×(2×s(n)-V1(t)) when a signal s(n) {wherein n is time} is received.例文帳に追加

信号ｓ（ｎ）｛ただし、ｎは時刻｝が入力されたときの、ステート遷移ｔに対するメトリックｍ（ｔ）を、 ｍ（ｔ）＝ ｖ０（ｔ）・（２・ｓ（ｎ）−ｖ１（ｔ））とする。 - 特許庁

An N-ary (M>N≥2) image is generated from an encoded image that is an M-nary image, and a reference image and the N-nary image is used to perform a motion search.例文帳に追加

Ｍ値画像である符号化画像及び参照画像からＮ（Ｍ＞Ｎ≧２）値化した画像を生成し、Ｎ値化画像を使用して動き探索を行う。 - 特許庁

When the FS is shifted from the N-position to a fifth gear speed position by a shifting operation (N→fifth gear speed), the RA is not driven by the RF, and the GRd is maintained at the N-position.例文帳に追加

シフト操作（Ｎ→５速）によりＦＳがＮ位置から５速位置に移動する場合、ＲＡがＲＦにより駆動されず、ＧＲｄがＮ位置に維持される。 - 特許庁

When V(n) is less than Vth, a section (n) is acknowledged as an intermittent measurement section, and a measurement period is set to C(n) = C1 regardless of the previous period.例文帳に追加

Ｖ（ｎ）がＶｔｈ未満のとき、区間ｎは間欠計測区間と認定され、計測周期は前の周期に拘わらずＣ（ｎ）＝Ｃ１に設定される。 - 特許庁

In this case, it is preferable that the number of poles of a stator 19 be set as 5×n, where (n) is a natural number, and the number of poles of the magnet rotor 23 is set as 4×n.例文帳に追加

この場合、ステータ１９の極数を５×ｎ（但しｎは自然数）に設定し、マグネットロータ２３の極数を４×ｎに設定すると良い。 - 特許庁

An N electrode NT is formed on a part where the N-type gallium nitride layer N is exposed, and a P electrode PT is formed on the P-type gallium nitride layer P.例文帳に追加

そしてこのｎ型窒化ガリウム層Ｎが露出した部位にｎ電極ＮＴを、ｐ型窒化ガリウム層Ｐ上にｐ電極ＰＴを形成する。 - 特許庁