「microcrystalline silicon」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a method for an intrinsic type microcrystalline silicon layer.例文帳に追加

真性微結晶シリコン層のための方法を提供すること。 - 特許庁

A hydrogen concentration in a microcrystalline silicon semiconductor film layer of the microcrystalline silicon thin-film transistor is larger than an oxygen concentration in the layer.例文帳に追加

微結晶シリコン薄膜トランジスタにおける微結晶シリコン半導体膜層における水素濃度を酸素濃度より大きくする。 - 特許庁

To suppress the formation of amorphous silicon in an early stage of the formation of an i-type microcrystalline silicon layer of a microcrystalline silicon solar cell having a pin structure.例文帳に追加

ｐｉｎ構造を有する微結晶シリコン太陽電池のｉ型微結晶シリコン層の形成の初期段階におけるアモルファスシリコンの形成を抑制する。 - 特許庁

POLYCRYSTALLINE SILICON FORMED BY CRYSTALLIZATION OF MICROCRYSTALLINE SILICON AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

微結晶シリコンの結晶化から形成される多結晶シリコンおよびその形成方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR MICROCRYSTALLINE SILICON FILM, AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

微結晶シリコン膜の作製方法、半導体装置の作製方法 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING MICROCRYSTALLINE SILICON FILM例文帳に追加

微結晶シリコン膜の製造装置および微結晶シリコン膜の製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF MICROCRYSTALLINE SILICON FILM AND MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

微結晶シリコン膜の作製方法および薄膜トランジスタの作製方法 - 特許庁

To provide a method of depositing a microcrystalline silicon film having high crystallinity.例文帳に追加

結晶性の高い微結晶シリコン膜を作製する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device and method for manufacturing a microcrystalline silicon film capable of forming a microcrystalline silicon film stable in film quality at a high yield.例文帳に追加

膜質の安定した微結晶シリコン膜を歩留まり良く形成可能な微結晶シリコン膜の製造装置および微結晶シリコン膜の製造方法を得ること。 - 特許庁

The semiconductor in the semiconductor element includes silicon having crystallinity (crystalline silicon), and more specifically, microcrystalline silicon, polysilicon, or monocrystalline silicon.例文帳に追加

そして、上記半導体素子が有する半導体は、結晶性を有するシリコン（結晶性シリコン）、具体的には、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコンを含む。 - 特許庁

The silicon oxide layer 4 effectively prevents the amorphous silicon from being formed in an early stage of the formation of the second silicon layer 5 of a microcrystalline silicon film.例文帳に追加

酸化シリコン層４は，微結晶シリコン膜である第２シリコン層５の形成の初期段階においてアモルファスシリコンが形成されることを効果的に防止する。 - 特許庁

To form a film of microcrystalline silicon having a large area and excellent film quality (high modulus of crystalization and low modulus of failure) in generating microcrystalline silicon using a high frequency plasma CVD method.例文帳に追加

高周波プラズマＣＶＤ法を用いた微結晶シリコンの生成において、大面積で、良好な膜質（高い結晶率、低い欠陥率）の微結晶シリコンを成膜する。 - 特許庁

The high-field drift layer 6 consists of an oxidized porous polycrystalline silicon layer and is constituted from a polycrystalline silicon grain 51, microcrystalline silicon 63, an oxidized silicon film 52 formed on the grain surface and oxidized silicon film 64 formed on the surface of the microcrystalline silicon 63, etc.例文帳に追加

強電界ドリフト層６は、酸化した多孔質多結晶シリコン層よりなり、多結晶シリコンのグレイン５１、シリコン微結晶６３、グレイン５１表面に形成された酸化シリコン膜５２、シリコン微結晶６３の表面に形成された酸化シリコン膜６４などにより構成される。 - 特許庁

A silicon microcrystalline film is formed on a transparent substrate so as to contain microcrystallites therein (S1).例文帳に追加

微結晶子を含むように、シリコンの微結晶膜を透明基板上に成膜する（Ｓ１）。 - 特許庁

An Ni film 13 is formed in contact with a semiconductor film 12 that is made of an amorphous silicon film, a microcrystalline silicon film, or the like.例文帳に追加

非晶質シリコン膜、微結晶シリコン膜等でなる半導体膜１２に接してＮｉ膜１３を形成する。 - 特許庁

To provide a PCVD (plasma chemical vapor deposition) method by which a microcrystalline silicon can be formed at a low flow rate of hydrogen gas, and to provide a more inexpensive microcrystalline silicon solar cell.例文帳に追加

本発明は、低流量の水素ガスで微結晶シリコンの形成が可能なＰＣＶＤ法を提供し、より廉価な微結晶シリコン太陽電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

The back electrode 2 and the n-type microcrystalline silicon semiconductor layer 31 do not come into complete contact.例文帳に追加

裏面電極２とｎ型微結晶シリコン半導体層３１は、完全に接することがない。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solar cell in which a microcrystalline silicon layer having a high abundance ratio of microcrystalline silicon to amorphous silicon can be formed in a short time, and the manufacturing time can be shortened.例文帳に追加

アモルファスシリコンに対する微結晶シリコンの存在比の高い微結晶シリコン層を短時間で形成することができ、製造時間の短期化を図ることのできる太陽電池の製造方法及び太陽電池を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the conductive silicon nitride film includes: a first step of forming a microcrystalline silicon film doped into an n-type or a p-type; and a second step of forming the conductive silicon nitride film by irradiating the microcrystalline silicon film with plasma including nitrogen to nitride the microcrystalline silicon film; wherein a dilution rate of material gas, introduced when forming the microcrystalline silicon film in the first step, is 150 to 600.例文帳に追加

本発明の導電性窒化シリコン膜の製造方法は、ｎ型またはｐ型にドーピングされた微結晶シリコン膜を形成する第１ステップと、該微結晶シリコン膜に対し、窒素を含むプラズマを照射して微結晶シリコン膜を窒化することにより、導電性窒化シリコン膜を形成する第２ステップとを含み、第１ステップにおいて、微結晶シリコン膜を形成するときに導入される材料ガスの希釈率は、１５０以上６００以下であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film transistor semiconductor film composed of polycrystalline silicon formed by crystallization of microcrystalline silicon.例文帳に追加

微結晶シリコンの結晶化から形成される多結晶シリコンからなる薄膜トランジスタ半導体膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

An Ni film 13 is formed to be brought into contact with a low rank crystal semiconductor thin film 12 constituted of an amorphous silicon film or a microcrystalline silicon film.例文帳に追加

非晶質シリコン膜、微結晶シリコン膜等でなる低級結晶性半導体膜１２に接してＮｉ膜１３を形成する。 - 特許庁

The semiconductor layer 14 is formed of microcrystalline silicon crystallized by, for example, laser annealing process of amorphous silicon.例文帳に追加

半導体層１４は、例えば非晶質シリコンをレーザーアニール処理することにより結晶化された微結晶シリコンにより形成されている。 - 特許庁

Accordingly, an imperfect crystal layer 32 containing a high proportion of a microcrystalline silicon region is formed near the surface of the polycrystalline silicon film 30.例文帳に追加

これにより、多結晶シリコン膜３０の表面付近には、微結晶シリコン領域を多く含む不完全結晶層３２が形成される。 - 特許庁

Then, the microcrystalline grains and amorphous silicon layer come into contact with each other to improve the interface area.例文帳に追加

よって、微結晶粒とアモルファスシリコン層とが接触することとなり、界面積を向上させることができる。 - 特許庁

As a result of these steps, the microcrystalline silicon film 20 with less dangling bonds can be formed and the mobility can be enhanced.例文帳に追加

これにより、ダングリングボンドの少ない微結晶シリコン膜２０を形成して、移動度を高めることができる。 - 特許庁

Preferably, a ratio of the hydrogen concentration to the oxygen concentration in the microcrystalline silicon semiconductor film layer is ≥1.5.例文帳に追加

微結晶シリコン半導体膜層における酸素濃度に対する水素濃度の比は１．５倍以上が望ましい。 - 特許庁

DOUBLE-ACTIVE-LAYER STRUCTURE WITH POLYSILICON LAYER AND MICROCRYSTALLINE SILICON LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND APPARATUS USING THE STRUCTURE例文帳に追加

ポリシリコン層及び微細結晶シリコン層を有する２重活性層構造、その製造方法及びこれを使用する装置 - 特許庁

To provide a microcrystalline silicon thin-film transistor having improved characteristics, a display device including the transistor, and methods of manufacturing the transistor and device.例文帳に追加

特性が向上された微結晶シリコン薄膜トランジスタと、それを備える表示装置、及び、それらの製造方法の提供。 - 特許庁

To inhibit reduction in characteristic due to non-uniformity of crystallinity of a microcrystalline silicon film in a surface of a solar cell module.例文帳に追加

太陽電池モジュールの面内における微結晶シリコン膜の結晶性の不均一性による特性の低下を抑制する。 - 特許庁

To provide a thin film deposition apparatus which can stably deposit a microcrystalline silicon thin film of high crystallinity on a substrate.例文帳に追加

結晶性の高い微結晶シリコン薄膜を安定して基板上に成膜することができる薄膜形成装置を提供する。 - 特許庁

In the solar cell comprising an intrinsic microcrystalline silicon layer 2, and an amorphous or microcrystalline silicon layer 3 of second conductivity type opposite to first conductivity type formed in this order on a first conductivity type crystalline silicon substrate 1, total impurity concentration of the crystalline silicon substrate 1 is in the range of 1 ppm to 2%.例文帳に追加

第１の導電型の結晶シリコン基板１上に、真性微結晶シリコン層２と、第１の導電型と反対導電型の第２の導電型の非晶質或いは微結晶シリコン層３の順に形成された太陽電池において、結晶シリコン基板１の不純物濃度の総量が１ｐｐｍ〜２％の範囲であることを特徴とする。 - 特許庁

The film formation conditions of a microcrystalline silicon photoelectric conversion layer 4 in a photoelectric conversion device are set, based on a Raman peak ratio in a Raman spectrum at the side of a substrate 1 in a microcrystalline silicon layer 4, and a Raman peak ratio in the Raman spectrum at a side opposite to the substrate 1.例文帳に追加

微結晶シリコン層４中の基板１側のラマンスペクトルにおけるラマンピーク比と、基板１と反対側のラマンスペクトルにおけるラマンピーク比とに基づいて、光電変換装置における微結晶シリコン光電変換層４の製膜条件を設定する。 - 特許庁

After a gate oxide film 10 has been formed on a silicon substrate G, a first step of forming a microcrystalline silicon film by high electron density plasma of an electron temperature of 2.0 eV or less and a second step of forming an ultra-microcrystalline silicon film by high electron density plasma of an electron temperature higher than 2.0 eV are repeated.例文帳に追加

シリコン基板Ｇ上にゲート酸化膜１０を形成後、２．０ｅＶの電子温度以下の高電子密度プラズマにより微結晶シリコン膜を形成する第１の工程と、２．０ｅＶの電子温度より高い電子温度の高電子密度プラズマを用いて超微結晶シリコン膜を形成する第２の工程と、を繰り返し成膜する。 - 特許庁

A microcrystalline silicon thin film 7a constituting a channel region and a hydrogen-containing silicon-based insulation film 13 made of silicon nitride (SiNx) containing ≥8×10^21/cm^3 hydrogen [Si-H] bound to the silicon are sequentially laminated and formed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に、チャネル領域を構成する微結晶シリコン薄膜７ａと、シリコンに結合した水素［Ｓｉ−Ｈ］を８×１０^21個／ｃｍ^3以上含む窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる水素含有シリコン系絶縁膜１３とを積層成膜する。 - 特許庁

To provide a measure that is effective for improving the photoelectric conversion efficiency of a photoelectric conversion semiconductor device, such as the solar battery etc., having a photovoltaic layer composed of polycrystalline silicon, microcrystalline silicon, single-crystal silicon, amorphous silicon, etc.例文帳に追加

多結晶シリコン、微結晶シリコン、単結晶シリコン、非晶質シリコンなどによる光起電力層を有する太陽電池等の光電変換半導体装置における、光電変換効率を向上させるために有効な方策を提供する。 - 特許庁

A top gate transistor having a semiconductor layer of single-crystal and a bottom gate transistor having a semiconductor layer of amorphous silicon (or microcrystalline silicon) are formed over the same substrate.例文帳に追加

単結晶の半導体層を有するトップゲート型のトランジスタと、アモルファスシリコン（またはマイクロクリスタルシリコン）の半導体層を有するボトムゲート型のトランジスタとを同一基板に形成する。 - 特許庁

After that, hydrogenating anneal processing is executed to introduce hydrogen from a channel protection layer 13a formed by patterning the hydrogen-containing silicon-based insulation film 13 to the microcrystalline silicon thin film 7a.例文帳に追加

その後、水素含有シリコン系絶縁膜１３をパターニングしてなるチャネル保護層１３ａから微結晶シリコン薄膜７ａに対して、水素を導入するための水素化アニール処理を行う。 - 特許庁

A microcrystalline semiconductor film is formed by using a microwave plasma CVD apparatus at a frequency of not less than 1 GHz and using silicon hydride or silicon halide as source gas, and a thin-film transistor using the microcrystalline semiconductor film and a display element connected to the thin-film transistor are formed.例文帳に追加

水素化珪素またはハロゲン化珪素を原料ガスとし、周波数が１ＧＨｚ以上のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて微結晶半導体膜を成膜し、当該微結晶半導体膜を用いて薄膜トランジスタ及び当該薄膜トランジスタに接続する表示素子を形成する。 - 特許庁

The control of the film quality (modulus of crystallization and modulus of failure) of microcrystalline silicon is made easy by eliminating a restriction on the introduction of material gas by performing radical film formation using argon gas in forming the film of microcrystalline silicon for an optical absorption layer (an i layer) of a solar battery by using surface wave excitation plasma.例文帳に追加

表面波励起プラズマによる太陽電池の光吸収層（ｉ層）用の微結晶シリコンの成膜において、アルゴンガスを用いたラジカル成膜を行うことで、材料ガスの導入の制約を無くし、微結晶シリコンの膜質（結晶率、欠陥率）の制御を容易とする。 - 特許庁

To provide a method for safely treating polysilanes formed as by-products when a microcrystalline silicon film is formed by a CVD process.例文帳に追加

ＣＶＤ法により微結晶シリコン膜を形成する際に副生成物として形成されるポリシラン類を安全に処理する方法の提供。 - 特許庁

To provide a plasma CVD system and a method for depositing a film applicable to production of a microcrystalline silicon solar cell, or the like, in which a microcrystalline film having high crystallinity can be deposited at high rate while suppressing generation of powder and exhibiting excellent productivity.例文帳に追加

微結晶シリコン太陽電池等の製造に適用され、高い結晶性を有する微結晶膜を高速で堆積でき、かつパウダーの発生が少ない生産性に優れたプラズマＣＶＤ装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁

To readily optimize conditions where a microcrystalline silicon film (one type of silicon film containing crystals) is formed, and to provide a microcrystalline silicon film that has a sufficient crystal grain size and reduced structural defects and can provide a balance at a high level between an improvement in the characteristics of a semiconductor device or convention efficiency of a photovoltaic device and suppression of optical degradation.例文帳に追加

微結晶シリコン膜（結晶質を含むシリコン膜）の形成条件の最適化を容易に行うことにより、十分な結晶粒径を有し、構造欠陥を減少させ、半導体素子の特性向上及び光起電力素子の変換効率の向上と光劣化の抑制を高いレベルで両立させることを目的とする。 - 特許庁

There are provided a substrate 1, a first conductivity type first silicon layer 3 formed on an upper surface side of the substrate 1, a silicon oxide layer 4 formed on the first silicon layer 3, an intrinsic microcrystalline second silicon layer 5 formed on the silicon oxide layer 4, and a third silicon layer 6 of an opposite conductivity type to the first conductivity type formed on the second silicon layer 5.例文帳に追加

基板１と，基板１の上面側に形成された，第１導電型の第１シリコン層３と，第１シリコン層３の上に形成された酸化シリコン層４と，酸化シリコン層４の上に形成された，真性の，微結晶の第２シリコン層５と，第２シリコン層５の上に形成された，第１導電型と反対導電型の第３シリコン層６とを備えている。 - 特許庁

In a reverse stagger type thin film transistor, a silicon nitride layer as a gate insulating layer and a silicon oxide layer formed as an oxide of the silicon nitride layer are laminated, and a microcrystalline semiconductor layer crystal grown directly from the upper surface of an interface of the gate insulating layer with the silicon oxide layer is formed.例文帳に追加

逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層として窒化シリコン層と当該窒化シリコン層が酸化された酸化シリコン層を積層して形成し、該ゲート絶縁層の酸化シリコン層との界面直上から結晶成長した微結晶半導体層を形成する。 - 特許庁

In this flat display device manufactured from this substrate, the channel part of a pixel part transistor channel part is formed of a hydrogenated amorphous silicon film, and the channel part of a drive circuit part transistor is formed of a dehydrogenated polycrystalline (microcrystalline) silicon film.例文帳に追加

この基板から製造される平面表示装置は画素部トランジスタのチャネル部は水素化非晶質シリコン膜で、駆動回路部トランジスタのチャネル部は脱水素化多結晶（微結晶）シリコン膜で構成される。 - 特許庁