「metal oxide semiconductor transistor」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The semiconductor device 1 includes an SBD (Schottky Barrier Diode) 20 in parallel with the parasitic diode of an SJMOSFET (Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 17.例文帳に追加

半導体装置１は、ＳＪＭＯＳＦＥＴ（Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）１７の寄生ダイオードと並列に、ＳＢＤ（Schottky Barrier Diode）２０を備えている。 - 特許庁

Each switch (M1-M4) of the first switch group and the second switch group is constituted by a P-channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).例文帳に追加

第１スイッチ群および第２スイッチ群の各スイッチ（Ｍ１〜Ｍ４）は、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）で構成される。 - 特許庁

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

酸化膜電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device having a complementary LDMOS (Laterally diffused Metal Oxide Semiconductor) transistor and a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) transistor mounted together thereon, while suppressing variations of characteristics for every transistor.例文帳に追加

相補型ＬＤＭＯＳトランジスタとＣＭＯＳトランジスタとを混載した半導体装置を、トランジスタ毎の特性のばらつきを抑制して製造する。 - 特許庁

To provide a metal oxide semiconductor particle dispersion composition which can form a metal oxide semiconductor thin film having excellent electrical characteristics even at low temperatures, and to provide a metal oxide semiconductor thin film, a transparent conductive film and a thin film transistor using the metal oxide semiconductor particle dispersion composition.例文帳に追加

電気的特性に優れる金属酸化物半導体薄膜を低温でも形成することが可能な金属酸化物半導体粒子分散組成物を提供する。 - 特許庁

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND THIN-FILM TRANSISTOR例文帳に追加

金属酸化物半導体、その製造方法及び薄膜トランジスタ - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR, THE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME, AND THIN-FILM TRANSISTOR例文帳に追加

金属酸化物半導体の製造方法、金属酸化物半導体及びこれを用いた半導体素子、薄膜トランジスタ - 特許庁

To provide a semiconductor device with large on-current of a MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのオン電流の大きな半導体装置を提供する。 - 特許庁

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURING IT, AND THIN-FILM TRANSISTOR例文帳に追加

金属酸化物半導体とその製造方法および薄膜トランジスタ - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR, METAL OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM AND THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

薄膜トランジスタの製造方法、金属酸化物半導体薄膜及び薄膜トランジスタ - 特許庁

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR RELAY EQUIPMENT USING IT例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ、その製造方法及びそれを用いた光半導体リレー装置 - 特許庁

METAL OXIDE FILM SEMICONDUCTOR TRANSISTOR CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT USING IT例文帳に追加

金属酸化膜半導体トランジスタ回路およびそれを用いた半導体集積回路 - 特許庁

To provide a semiconductor transistor device having improved capability such as an MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), an HEMT (High Electron Mobility Transistor) and the like.例文帳に追加

改善した能力を備えた、ＭＯＳＦＥＴやＨＥＭＴなどの半導体トランジスタ素子を提供する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING METAL OXIDE THIN-FILM PATTERN, METAL OXIDE THIN-FILM, SEMICONDUCTOR, AND THIN-FILM TRANSISTOR例文帳に追加

金属酸化物薄膜パターンの製造方法、金属酸化物薄膜、半導体および薄膜トランジスタ - 特許庁

THIN SILICON-ON-INSULATOR DOUBLE-DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR例文帳に追加

薄膜シリコン・オン・インシュレータ二重拡散金属酸化物半導体トランジスタ - 特許庁

UNIDIRECTIONAL METAL OXIDE FILM SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND APPLICATIONS THEREOF例文帳に追加

単方向金属酸化膜半導体電界効果トランジスターとその応用 - 特許庁

METAL OXIDE FILM SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

金属酸化膜半導体電界効果型トランジスターとその製造方法 - 特許庁

To provide a metal oxide semiconductor (MOS) transistor and a forming method thereof.例文帳に追加

金属酸化物半導体（MOS）トランジスタとその形成方法を提供する。 - 特許庁

METAL OXIDE FILM SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS GATE STRUCTURE例文帳に追加

金属酸化膜半導体電界効果トランジスタおよびそのゲート構造 - 特許庁

A charging transistor M2 is an N-channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) disposed between the high voltage terminal VH and the power terminal VCC and biased to be normally on.例文帳に追加

充電用トランジスタＭ２は、ハイ電圧端子ＶＨと電源端子ＶＣＣの間に設けられ、ノーマリオンとなるようバイアスされたＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）である。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING TRENCH TYPE METAL OXIDE FILM SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

トレンチ型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタを作製する方法 - 特許庁

A first transistor M1 is an N-channel MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) in which a first terminal 12 of a conduction channel, a gate 14 and a back gate 16 are connected to a terminal P1 to be protected.例文帳に追加

第１トランジスタＭ１は、伝導チャンネルの第１端子１２、ゲート１４およびバックゲート１６が、保護対象となる端子Ｐ１に接続されたＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）である。 - 特許庁

To provide a lateral diffusion metal oxide semiconductor (LDMOS) transistor, and a method for manufacturing the transistor.例文帳に追加

本発明は、横方向拡散金属酸化物半導体（LDMOS）トランジスタと、これを製造する方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 has a semiconductor substrate 12 on which a p-type channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 20 is formed.例文帳に追加

ｐ型チャネルＭＯＳＦＥＴ２０が形成されている半導体基板１２を有する半導体装置１０。 - 特許庁

SILICON-ON-NOTHING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

シリコンオンナッシング金属酸化物半導体電界效果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND THIN FILM TRANSISTOR USING THE SAME例文帳に追加

金属酸化物半導体、その製造方法、及びそれを用いた薄膜トランジスタ - 特許庁

To provide a cellular trench metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET).例文帳に追加

多孔質のトレンチ金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF METAL OXIDE SEMICONDUCTOR, AND THIN-FILM TRANSISTOR USING OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM MANUFACTURED BY USING THE SAME例文帳に追加

金属酸化物半導体の製造方法及びこれを用い作製された酸化物半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタ - 特許庁

The dummy metal oxide field effect transistor may be formed simultaneously with a metal oxide semiconductor field effect transistor located over a semiconductor substrate that includes the isolation region.例文帳に追加

ダミー金属酸化物電界効果トランジスタは、分離領域を含む半導体基板の上に配置された金属酸化物半導体電界効果トランジスタと同時に形成することができる。 - 特許庁

To provide a metal insulator device and/or metal-insulator-metal capacitor such as a metal oxide semiconductor field effect transistor.例文帳に追加

金属酸化物半導体電界効果トランジスタのような金属絶縁体デバイスおよび／または金属絶縁体金属キャパシタを提供する。 - 特許庁

To provide the simulation circuit of an MOS (Metal Oxide Semiconductor) transistor for precisely simulating the DC characteristics of the MOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタの直流特性を精度良くシミュレーションできるＭＯＳトランジスタの模擬回路を提供すること。 - 特許庁

The capacitor element C_1 is formed by using a storage region of a p-channel metal insulator semiconductor field-effect transistor having a gate oxide film 9B thicker than the metal insulator semiconductor field-effect transistor of a logic section.例文帳に追加

論理部のＭＩＳＦＥＴよりも厚いゲート酸化膜９Ｂを有するｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴの蓄積領域を利用して容量素子Ｃ_1を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a lateral double diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) transistor with high breakdown voltage that can achieve reduction in on-resistance.例文帳に追加

オン抵抗の低減を実現できる、高耐圧のＬＤＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR THIN-FILM TRANSISTOR COMPRISING COMMON GATE, LOGIC DEVICE COMPRISING IT, AND METHOD OF MANUFACTURING TRANSISTOR例文帳に追加

共通ゲートを備える相補型金属酸化物半導体薄膜トランジスタ、それを備える論理素子及びそのトランジスタの製造方法 - 特許庁

In a transistor including an oxide semiconductor film, a metal oxide film is formed, and heat treatment is performed, the metal oxide film being in contact with the oxide semiconductor film, covering a source electrode and a drain electrode and having an antistatic function.例文帳に追加

酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つソース電極及びドレイン電極を覆う帯電防止機能を有する金属酸化膜を形成し、加熱処理を行う。 - 特許庁

According to one embodiment, the FET is a metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET).例文帳に追加

一実施形態では、このＦＥＴは、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）である。 - 特許庁

To control the crystalline orientation of a thin-film transistor made from a polycrystal semiconductor film and realize high performance and high reliability of a CMOS (complementary metal oxide semiconductor) thin-film transistor.例文帳に追加

多結晶半導体膜で作製された薄膜トランジスタの結晶配向を制御して、ＣＭＯＳ薄膜トランジスタの高性能化、高信頼化を実現する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE FILM SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR USING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT FORMED USING HYDROGEN TREATMENT OF GATE OXIDE FILM例文帳に追加

ゲート酸化膜の水素処理による炭化ケイ素半導体素子を用いた炭化ケイ素半導体の金属−酸化膜−半導体電界効果トランジスタの作製方法 - 特許庁

To provide a semiconductor device such as a power MISFET (metal-oxide semiconductor field effect transistor) or the like which is reduced in both on-resistance and gate resistance.例文帳に追加

オン抵抗とゲート抵抗の両方を低減したパワーＭＩＳＦＥＴ（ＭＯＳＦＥＴ）等の半導体装置を提供する。 - 特許庁

To make on-voltage to be low and to make element breakdown voltage and latch-up resistance quantity to be high in a lateral IGBT (Insulated Gatebipolar Transistor) and MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).例文帳に追加

横型のＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴにおいて、オン電圧を低くし、かつ、素子耐圧およびラッチアップ耐量を高くすること。 - 特許庁

A transistor that includes an oxide semiconductor film is provided with: a metal oxide film constituted by a constituent(s) similar to that of the oxide semiconductor film is laminated on the lower surface of the oxide semiconductor film; and an insulating film constituted by a different constituent(s) from that of the metal oxide film and oxide semiconductor film is formed in contact with a surface of the metal oxide film facing the oxide semiconductor film.例文帳に追加

酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜の下面部に、酸化物半導体膜と同種の成分でなる金属酸化物膜が積層され、さらに、金属酸化物膜において酸化物半導体膜と接する面と対向する面には、金属酸化物膜及び酸化物半導体膜とは異なる成分でなる絶縁膜が接して設けられているトランジスタを提供する。 - 特許庁

A transistor containing an oxide semiconductor film is provided in which a metal oxide film having the same kind of component as that of the oxide semiconductor film is stacked on an upper surface and a lower surface of the oxide semiconductor film, and further, an insulating film having a component different from the metal oxide film and the oxide semiconductor film is adjoined to a surface facing the surface contacting to the oxide semiconductor film in the metal oxide film.例文帳に追加

酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜の上面部及び下面部に、酸化物半導体膜と同種の成分でなる金属酸化物膜を積層され、さらに、金属酸化物膜において酸化物半導体膜と接する面と対向する面には、金属酸化物膜及び酸化物半導体膜とは異なる成分でなる絶縁膜が接して設けられているトランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a gate structure for improvement in device performance in a metal oxide film semiconductor field-effect transistor.例文帳に追加

金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ内にデバイス性能を改善するゲート構造体を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of manufacturing a trench type metal oxide film semiconductor field effect transistor (MOSFET) upward.例文帳に追加

トレンチ型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)が上方向に作製され得る方法を提供すること。 - 特許庁

A MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) Q4 is turned off by output of a delay circuit after elapse of prescribed time from turn off.例文帳に追加

ターンオフして所定時間経過後、ディレイ回路の出力によって、ＭＯＳＦＥＴＱ４がオフとなる。 - 特許庁