「is diffused」に関連した英語例文の一覧と使い方(50ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a woody board made from a recycled woody chip or recycled woody fiber as a main raw material, passing a severely regulated value of a formaldehyde amount diffused from the products, that is, regulated by a building code, for reducing a production cost on using an MDI type compound as an adhesive and for giving an improving effect for the earth environment.例文帳に追加

リサイクル木質チップやリサイクル木質繊維を主原料として製造した木質ボードにおいて、その製品から放散するホルムアルデヒド量が建築基準法で規制された厳しい規制値に合格し、かつＭＤＩ系化合物を接着剤に使用したときの生産コストを低減し、地球環境改善効果を有する木質ボードの製造方法を提供する。 - 特許庁

Object light is diffused into a recording medium 10 for holograms by an optical recording part 54 constituted by integrally laminating, in a curved state, a lenticular lens 60 as a diffusion lens for imparting a diffusion angle of a prescribed direction to a holographic stereogram and a prism plate 61 formed by paralleling a plurality of prisms capable of diffusing incident light only in the specific direction.例文帳に追加

ホログラフィックステレオグラムに所定方向の拡散角を持たせるための拡散レンズとしてのレンティキュラーレンズ６０と、入射光を特定方向にのみ拡散することが可能なプリズムを複数個並列して構成されたプリズム板６１とを湾曲させた状態で一体に貼り合わせて構成された光学記録部５４によって、ホログラム用記録媒体１０に対して、物体光を拡散させる。 - 特許庁

In this crystal growth method of a p-type group III nitride semiconductor, hydrogen as well as p-type dopant is doped or diffused in the p-type group III nitride semiconductor by controlling the partial pressure of hydrogen in an atmosphere, in at least one step during crystal growth of a group III nitride semiconductor doped with the p-type dopant, during cooling after the crystal growth, and during annealing after the crystal growth.例文帳に追加

本発明のｐ型III族窒化物半導体の結晶成長方法は、ｐ型ドーパントをドープしたIII族窒化物半導体の結晶成長中、結晶成長後の冷却中、結晶成長後のアニール中の少なくとも１つの工程で、雰囲気中の水素分圧の制御により、ｐ型III族窒化物半導体中にｐ型ドーパントの他に水素をドープもしくは拡散する。 - 特許庁

The method includes a step for transmitting the light generated from a light source 10 through the sample 20, a step for collimating the light transmitted through the sample by using the null lens 50 or the liquid lens, and a step for measuring the haze after the collimated light transmitted through the null lens or the liquid lens is separated into the collimated light and a diffused light through the integrating sphere 30.例文帳に追加

光源１０から発生した光を、試料２０を介して透過させるステップと、前記試料を介して透過された光を、ナルレンズ５０又は液体レンズを介して平行光にするステップと、前記ナルレンズ又は液体レンズを介して透過された平行光を、積分球３０を介して平行光と拡散光とに分離した後、ヘイズを測定するステップとを含む。 - 特許庁

In the super calender having a metal roll, the metal roll RM has a core body part 5 having a cylindrical circumferential surface, a hard circumferential surface layer 6 by the hydrostatic pressure hot press of alloy powder is diffused/bonded on/to the cylindrical circumferential surface of the core body part 5 in an area corresponding at least to the calender working surface of the cylindrical circumferentiaI surface 5p of the core body part 5.例文帳に追加

金属ロールを有するスーパーカレンダー装置であって、その金属ロールＲ_M が、円筒周面を有する芯体部５を有し、この芯体部５の円筒周面５ｐの少なくともカレンダー作業面に相当する領域に粉末合金の熱間静水圧プレスによる硬質周面層６が芯体部５の円筒周面に拡散接合された構成とする。 - 特許庁

A MOS field-effect transistor is provided with a SOI substrate 30, where contact holes 13-1 and 13-2 are each bored in source/drain diffused layers 10 and 11 from above extending over an adjacent element isolation oxide film 7 so as to reach to a silicon substrate 1, and impurity ions are implanted into the exposed surface region of the silicon substrate 1 for the formation of P-N junctions.例文帳に追加

ＳＯＩ基板３０を用いたＭＯＳ型電界効果トランジスタにおいて、コンタクト孔１３−１，１３−２をソース・ドレイン拡散層１０，１１上から隣接する素子分離用の酸化膜７上に亘って、シリコン基板１に到達する深さに形成し、露出されたシリコン基板の表面領域に不純物をイオン注入してＰＮ接合を形成することを特徴としている。 - 特許庁

A semiconductor device is equipped with gate electrodes 22 and 23 formed on the semiconductor layer of a silicon substrate 11 through the intermediary of a gate insulating layer 21, impurity diffused layers 24, 25, and 26 which form a source region and a drain region provided in the semiconductor layer in an active region, and contacts 42 to 44 and contacts 47 to 49 formed on the gate electrodes 22 and 23 located in the active region.例文帳に追加

半導体装置は、シリコン基板１１の半導体層上に、ゲート絶縁層２１を介して形成されたゲート電極２２，２３、アクティブ領域の半導体層に形成された、ソース領域またはドレイン領域を構成する不純物拡散層２４，２５，２６、およびアクティブ領域に存在するゲート電極２２，２３上に形成された、複数のコンタクト部４２〜４４，４７〜４９、を有する。 - 特許庁

Flat additional reflective plates 13, 13 each having a reflection surface vertical to the extending direction of the ultraviolet lamp 11 are arranged on an opening part side of a light collecting reflector 12 for reflecting and collecting the ultraviolet ray from the ultraviolet lamp 11 to collect the direct light, which is diffused to the outside of an opening part from the ultraviolet lamp 11, to the inside of a conveyer belt 40.例文帳に追加

紫外線ランプ１１からの紫外線を反射して集光する集光反射板１２の開口部側に、上記紫外線ランプ１１の延長方向に垂直な反射面を有する平板状の追加反射板１３，１３を配置して、上記紫外線ランプ１１から上記開口部の外側に拡散する直接光をコンベヤベルト４０の内側に集光するようにした。 - 特許庁

In a horizontal bipolar transistor, containing thermally diffused impurities provided on the upper part of a base region, contains a semiconductor layer, and has a collector diffusion layer and an emitter diffusion layer juxtaposed, and a semiconductor device that has such a transistor, the semiconductor layer is laid down to further implant impurities, and then, subjected to heat treatment, to make a collector diffusion layer and an emitter diffusion layer.例文帳に追加

ベース領域の上部に設けた不純物を含有する半導体層の前記不純物を熱拡散させてコレクタ拡散層とエミッタ拡散層とを並設してなる横型バイポーラトランジスタ、およびそれを有する半導体装置において、半導体層を横断させて不純物をさらにイオン注入した後に熱処理することによってコレクタ拡散層とエミッタ拡散層とを設ける。 - 特許庁

In a cylindrical reaction vessel having an inlet for introducing raw gas and an outlet for discharging the processed gas, a method of manufacturing a spherical semiconductor device for forming a diffusion layer wherein the impurities in the raw gas are diffused in the surface of a spherical semiconductor is carried out such that a spherical semiconductor may be flowed/rotated by rocking or rotating the reaction vessel.例文帳に追加

本発明は、処理ガスを導入する導入口およびガスを排出する排出口を有する円筒状の反応容器内において、球状の半導体の表面に処理ガス中の不純物を拡散させた拡散層を形成する球状半導体素子の製造方法において、反応容器を揺動または回転させることにより、球状の半導体を流動・回転させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing the excess growth of the metal silicide of the peripheral part of an element isolating film to a bump-like state when the metal silicide is formed by a salicide technology, and reducing a leakage current in a connecting interface of a diffused layer generated by the excess metal silicide and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

サリサイド技術により金属シリサイドを形成する際に素子分離膜の周辺部分の金属シリサイドが瘤状に過剰成長するのを抑制することができ、過剰な金属シリサイドにより発生する拡散層の接合界面におけるリーク電流を低減することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the obtained electronic material with the tin based plating, with the lapse of time or under reflowing at ≥210°C, the flash copper plating layer is mutually diffused with the nickel plating layer as a substrate, so as to be changed into a barrier layer composed of a copper-nickel alloy layer, and prevents the growth of acicular or columnar crystals caused by intermetallic compounds in the tin or tin alloy plating film.例文帳に追加

得られた錫系めっき付き電子材料は、経時中、または２１０℃以上の温度でのリフロー中に、フラッシュ銅めっき層が下地のニッケルめっき層と相互拡散して、銅−ニッケル合金層からなるバリア層に変化して、錫もしくは錫合金めっき皮膜中に金属間化合物による針状もしくは柱状晶が成長するのを防止する。 - 特許庁

To provide: a method of manufacturing a nitride-based semiconductor laser which replaces local impurity diffusion carried out so far for such materials that an impurity is not easily diffused like nitride-based semiconductor materials, for example, GaAlAs-based and AlGaInP-based materials, the manufacturing method being effective, good in precision, and suitable for mass production; and nitride-based semiconductor laser manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

窒化物半導体材料のような不純物の拡散が容易で無い材料系において、ＧａＡｌＡｓ系やＡｌＧａＩｎＰ系などで従来行われてきた局所的不純物拡散に代わる、効果的で、精度の良い、量産化に適した、窒化物系半導体レーザの製造方法およびその製造方法で製造される窒化物系半導体レーザを提供することを目的とする。 - 特許庁

In a semiconductor device including a thin film of a metal oxide used as a gate insulating film or the like, and a manufacturing method thereof; the semiconductor device is formed on a substrate made of a group IV semiconductor substance, and thermally treated using a metal oxide at a first temperature, so that it includes a thin film comprising the group IV semiconductor substance from the substrate that has thoroughly been diffused into the metal oxide.例文帳に追加

ゲート絶縁膜等に適用する金属酸化物の薄膜を含む半導体装置及びその製造方法において、前記半導体装置は、４族半導体物質の基板上に形成され、金属酸化物及び第１温度で熱処理を行って、前記基板から前記金属酸化物に充分に拡散させた前記４族半導体物質で構成される薄膜を含む。 - 特許庁

Specifically, we will attempt to verify: (i) whether there are differences in productivity increase rate among industries between sectors that manufacture IT equipment and those that are predominant users of IT equipment (and whether productivity increase is concentrated in the former type of sectors); and (ii) the level to which IT use has diffused in various industrial sectors.例文帳に追加

具体的には、①当該部門がIT機器を製造する部門であるか、それらを利用している部門であるかによって、産業間での生産性の上昇率に格差が生じているのかどうか（生産性の上昇が前者に集中しているのかどうか）、また、②IT利用が多様な産業部門の中で、どの程度の広がりを持っているのかについて検証することとする。 - 経済産業省

In the hologram reflector using a hologram holographically recoding reference light and object light which are mutually coherent on a photosensitive material, the object light is passed through a diffusion screen of horizontal size of 60 to 300 mm and vertical size of 100 to 300 mm as diffused light and holographically recorded under a condition of a distance of 100 to 500 mm from the photosensitive material up to the diffusion screen.例文帳に追加

互いにコヒーレントな参照光と物体光とを、感光材料にホログラフィック記録してなるホログラムを用いるホログラム反射板において、前記物体光が、水平方向が６０ｍｍ〜３００ｍｍ，垂直方向が１００ｍｍ〜３００ｍｍのサイズの拡散スクリーンを通過した拡散光であり、感光材料から前記拡散スクリーンまでの距離が１００ｍｍ〜５００ｍｍの条件でホログラフィック記録する。 - 特許庁

The resistive element is formed by stacking a first plate made of Cu-Ni-based alloy and a second plate made of Ni-Cr-based alloy, and has a diffusion layer 11c, in which the metal materials thereof are diffused, formed between the first plate 11a and second plate 11b, and the diffusion layer occupies 10% or more of the overall thickness of the resistive element.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｎｉ系合金からなる第１の板材と、Ｎｉ−Ｃｒ系合金からなる第２の板材とを積層することにより形成される抵抗体であって、第１の板材１１ａと第２の板材１１ｂとの間に、それぞれの金属材料が拡散した拡散層１１ｃが形成されており、前記拡散層は、前記抵抗体の全体厚みに占める割合が１０％以上である。 - 特許庁

The organic light-emitting display device includes a thin film transistor and an organic light-emitting element fabricated on the thin film transistor and electrically connected to the thin film transistor, wherein a light-shielding part that blocks the light diffusing from the organic light-emitting element is disposed in at least one side of the thin film transistor to prevent the diffused light from the organic light-emitting element from directly entering the thin film transistor.例文帳に追加

薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタ上に形成され、薄膜トランジスタに電気的に連結された有機発光素子を備え、有機発光素子から発散される光が薄膜トランジスタに直接入射されないように、薄膜トランジスタの少なくとも一側には、有機発光素子から発散される光を遮断する光遮断部が配されることを特徴とする有機発光ディスプレイ装置である。 - 特許庁

This powdery composition contains at least one of fat-soluble vitamins and is characterized by being diffused in a natural polysaccharide gum having emulsifying action, a mixture of the gum and/or a protein having emulsifying action or a mixture of the protein (wherein the fat-soluble vitamin exists in the powdery compound as liquid drops having about 70 nm to about 200 nm average diameter).例文帳に追加

少なくとも１種の脂溶性ビタミンを含む粉末組成物であって、該ビタミンが、乳化能を有する天然多糖ガム又は該ガムの混合物及び／又は乳化能を有するタンパク質又はタンパク質の混合物、の中に拡散している（ここで該脂溶性ビタミンは、該粉末組成物中に、平均直径が約７０〜約２００nmの範囲の液滴の形態で存在する）ことを特徴とする粉末組成物。 - 特許庁

A semiconductor device is the PMOS transistor formed on an active region 104 of a semiconductor substrate 101 isolated by an element isolation region 102, and the PMOS transistor has a gate insulating film 105b formed on the active region 104, a gate electrode 106b formed on the gate insulating film, a sidewall 108b, and a source/drain diffused layer region 107b.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０１における素子分離領域１０２によって分離された活性領域１０４上に形成されたＰＭＯＳトランジスタであって、このＰＭＯＳトランジスタは、活性領域１０４上に形成されたゲート絶縁膜１０５ｂと、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極１０６ｂと、サイドウォール１０８ｂと、ソース・ドレイン拡散層領域１０７ｂとを備える。 - 特許庁

The reticle having a first pattern hole corresponding to the opening of a resist film 102 for forming a source/drain region 115 included in an element region 11 by ion implanting and a second pattern hole corresponding to the opening of the resist film 102 for forming a diffused region 117 on a dummy region 113 on a p-type silicon substrate 101 by ion implanting is used.例文帳に追加

イオン注入により素子領域１１２に含まれるソース／ドレイン領域１１５をｐ型シリコン基板１０１上に形成するためのレジスト膜１０２の開口部に対応する第１のパターン孔と、イオン注入により拡散領域１１７をｐ型シリコン基板１０１上のダミー領域１１３に形成するためのレジスト膜１０２の開口部に対応する第２のパターン孔とを備えるレチクルを用いる。 - 特許庁

The method is equipped with steps: to generate a clock pulse with a single wavelength based on input signal light; to diffuse a spectrum of the clock pulse by supplying the clock pulse to an optical waveguide structure to provide a nonlinear optical effect; and to generate a plurality of clock pulses having a plurality of wavelengths by supplying the clock pulse with the diffused spectrum to an optical filter having a plurality of pass bands.例文帳に追加

入力信号光に基づき単一波長を有するクロックパルスを生成するステップと、非線形光学効果を提供する光導波構造に上ロックパルスを供給してクロックパルスのスペクトルを拡散させるステップと、複数の通過帯域を有する光フィルタにスペクトルが拡散されたクロックパルスを供給して複数の波長を有する複数のクロックパルスを生成するステップとを備えた方法。 - 特許庁

This electronic component with outer metal terminals is characterized in that the terminal electrodes 12 of a ceramic capacitor element 1 are electrically connected through a solder layer 5 to the outer metal terminals 3 and the conductive content in the terminal electrode 12 diffuses into the solder layers 4, 5 and forms a diffused layer 5 μm thick or thicker when the terminal electrodes 12 are connected to the outer metal terminals 3.例文帳に追加

本発明は、外部金属端子付き電子部品において、セラミックコンデンサ素子１の端部電極１２と、外部金属端子３とをはんだ層５を介して電気的に接合し、かつ、セラミックコンデンサ素子１の端部電極１２と外部金属端子３とを接合する際に、端部電極１２の導電成分がはんだ層４、５に拡散してはんだ接合部分に５μｍ以上の厚さの拡散層が形成されていることを特徴とするものである。 - 特許庁

This semiconductor device wherein the diffusion region of an impurity is formed comprises a silicon substrate, a silicon oxide film formed on the silicon substrate except a part on the diffusion region of the impurity, a polysilicon layer formed on the silicon substrate without the silicon oxide film and on the silicon oxide film, and an impurity film formed on the polysilicon layer and containing the impurity diffused in the diffusion region by heat treatment.例文帳に追加

不純物の拡散領域が形成される半導体素子において、シリコン基板と、このシリコン基板の不純物の拡散領域の上の部分以外に形成されたシリコン酸化膜と、このシリコン酸化膜が形成されていないシリコン基板上及び前記シリコン酸化膜上に形成されたポリシリコン層と、このポリシリコン層上に形成され熱処理により前記拡散領域に拡散させる前記不純物を含有する前記不純物膜とを備える。 - 特許庁

The method for manufacturing an aluminum foil roughed and anodized as a support and a silver complex diffused transfer reversal material containing photosensitive silver halide emulsion coating comprises the step of corona treating the roughed and anodized foil in a corona station having a roller and at least one electrode coated by using a dielectric coating before the foil is coated with a photosensitive layer.例文帳に追加

本発明に従えば、支持体としての粗面化され且つ陽極酸化されたアルミニウム箔ならびに感光性ハロゲン化銀乳剤コーティングを含む銀錯体拡散転写反転材料を製造する方法であり、該粗面化され且つ陽極酸化されたアルミニウム箔を、該箔が感光層によりコーティングされる前に、ローラー及び誘電コーティングを用いてコーティングされている少なくとも１つの電極を含むコロナステーションでコロナ処理することを特徴とする方法が提供される。 - 特許庁

Of a plurality of diffused layer regions 2 and 3 formed within a semiconductor device 10, the region 2 has impurity concentration higher than that of the other region 3, and the sectional area of a first contact wiring layer 4 for connection to the region 2 having the higher impurity concentration is arranged to be larger than that of a second contact wiring layer 5.例文帳に追加

半導体装置内に形成された複数の拡散層領域２、３の内の少なくとも一部の拡散層領域２に於ける不純物濃度が、その他の部分に於ける拡散層領域３に於ける不純物濃度よりも高くなる様に構成されており、且つ当該不純物濃度の高い拡散層領域２に接続される第１のコンタクト配線４の断面積が、当該不純物濃度の低い拡散層領域３に接続される第２のコンタクト配線５の断面積よりも大きくなる様に構成されている半導体装置１０。 - 特許庁

The diffused layer 205b, gate electrode 204 and lower electrode 210 are connected by a common contact 208 which is formed in the interlayer insulating film 207.例文帳に追加

半導体基板２０１に形成された拡散層２０５ａ，２０５ｂと、半導体基板２１０の上にゲート絶縁膜２０３を介して形成されたゲート電極２０４と、半導体基板２０１上にゲート電極２０４を被覆して形成された層間絶縁膜２０７と、層間絶縁膜２０７上に形成されて、下部電極２１０、誘電体膜２１１および上部電極２１２の積層構造からなるキャパシタとを有し、拡散層２０５ｂ、ゲート電極２０４および下部電極２１０が、層間絶縁膜２０７に形成された共通のコンタクト２０８によって接続された構造を有する。 - 特許庁