「growing a pair」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A slag icicle preventer 16 comprises a shearing jig 18 having a pair of plate-like shearing cutters 18a, 18b for clamping a slag icicle 15a growing in the circumferential direction of a sprue 17 provided at the lower part of a melting furnace 11, and cylinders 20, 21 for moving the shearing jig 18.例文帳に追加

スラグつらら防止装置１６は溶融炉１１の下方に設けた溶融炉湯口１７の周方向に生じるスラグつらら１５ａを挟む一対のプレート状のせん断刃１８ａ、１８ｂを有するせん断治具１８と、線断治具１８を可動するシリンダ２０、２１とから構成されている。 - 特許庁

The DNA is included by storing a DNA-containing solution 2 in a beaker 1, arranging a pair of electrodes 3 and 4 for arc discharge in the DNA-containing solution 2 in the beaker 1 so as to face to each other, and feeding a power source to the pair of the electrodes 3 and 4 for the arc discharge to give the arc discharge and to include the DNA while growing the carbon nanocapsule.例文帳に追加

ビーカー１内にＤＮＡ含有溶液２を貯留すると共に、ビーカー１のＤＮＡ含有溶液２中に一対のアーク放電用電極３，４を対向配置し、この一対のアーク放電用電極３，４に電源を供給してアーク放電を発生させてカーボンナノカプセルを成長させつつＤＮＡを内包させる。 - 特許庁

A large number of the inlet holes 522 are formed to the gas-sensitive layer 52, which is provided on an electrical insulating layer 4 so as to spread across a pair of sensing electrode layers 52 and 52, by growing a large number of inclined columnar crystals 521 inclined with respect to the surface of the electric insulating layer 4.例文帳に追加

一対の感知電極層５１，５１を渡すように電気絶縁層４上に設けられるガス感応層５２は、電気絶縁層４の表面に対して傾斜する多数の傾斜柱状晶５２１を成長させることで導入孔５２２が多数形成されるような層とした。 - 特許庁

The holder 20 for growing mushroom attached to the bottle port 13 of a mushroom cultivation bottle 10 has a short cylindrical ring member 21 as a holder body, a plurality of projections 22 provided on the internal circumferential wall of the ring member and a pair of flange-shaped projecting parts 23 and 24 projectedly disposed from the external circumferential wall of both the ends of the ring member.例文帳に追加

キノコ栽培瓶１０の瓶口部１３に装着されるキノコ生育用ホルダー２０は、ホルダー本体部としての短円筒状リング部材２１と、リング部材の内周壁に設けられた複数の突起２２と、リング部材の両端部においてその外周壁から突設された一対の鍔状凸部２３，２４とを備える。 - 特許庁

This magnet position measuring method is a method of finding deviation amounts of superconducting magnets 1A, 1B from a prescribed position, in an Si single crystal growing-up device 100 provided with the pair of substantially cylindrical superconducting magnets 1A, 1B arranged in the prescribed position in order to generate a proper magnetic field in an objective area.例文帳に追加

この磁石位置測定方法は、対象領域に適正な磁場を発生するように所定位置に配設される一対の略円筒状の超電導マグネット１Ａ，１Ｂを備えたＳｉ単結晶育成装置１００における超電導マグネット１Ａ，１Ｂの所定位置からのずれ量を求める方法である。 - 特許庁

The electrooptic element is equipped with: electrooptic crystal 1 having electrooptic effect; an electrode pair of a plus electrode 2 and a minus electrode 3 producing an electric field in the electrooptic crystal 1; and pressure application means 11, 12 and 13 for applying pressure in parallel to the crystal growing direction (x-axis direction) of the electrooptic crystal 1.例文帳に追加

電気光学効果を有する電気光学結晶１と、電気光学結晶１の内部に電界を発生させる、正極２と負極３とからなる電極対と、電気光学結晶１の結晶の成長方向（ｘ軸方向）と平行に圧力を印加する圧力印加手段１１，１２，１３とを備えた。 - 特許庁

From then on till the latter half of the seventh century, the name designating the country was still Wakoku or Wa, but in the process of remodeling its state and administrative apparatus on the ritsuryo system (a system of centralized government based on the ritsuryo code) by the Emperor Tenmu, there was growing national awareness about the avoidance of using Wa or Wakoku, so that before and after 701, a pair of Chinese characters, 日本, (meaning of 'the land from the sun-rise) came to be used. 例文帳に追加

その後、7世紀後半に至るまで国号の表記は倭国・倭のままであったが、天武天皇に始まる律令制建設の過程で、倭国・倭という表記を忌避する意識が再び高まり、701年前後に日本という表記が採用されることとなったと考えられている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

After growing GaAs in which Sn is doped by a liquid phase growth method, Ni is doped into the GaAs by an ion injection method, then, a heat processing is applied to the GaAs to remove the damage caused by the ion injection method, thereby producing Ni-Sn doped GaAs phosphor having the good light-emitting property of donor-acceptor pair.例文帳に追加

ＳｎがドーピングされたＧａＡｓを液相成長法により成長した後、ＧａＡｓにＮｉをイオン注入法によりドーピングし、この後、ＧａＡｓに熱処理を施してイオン注入によるダメージを取り除くことにより、良好なドナー・アクセプタ・ペアの発光特性を有するＮｉ及びＳｎドープのＧａＡｓ蛍光体が製造される。 - 特許庁

The method using an apparatus for growing the biopolymer crystal by a vapor diffusion process comprises holding a biopolymer-containing solution 11 in the void of a substrate 26 by surface tension, applying an alternating electric field to the above solution by a pair of electrodes 31 located near th void of the substrate to induce an induced dipole into the biopolymer so as to move in the solution, and thus promoting the formation of the crystal nucleus.例文帳に追加

生体高分子を蒸気拡散法によって結晶成長させる装置において、生体高分子を含有する溶液１１を表面張力により基板２６の間隙に保持し、その基板の間隙近傍に位置して対を成す電極３１によって、間隙に保持された溶液に対して交流電場を印加することで、生体高分子に誘起双極子を誘起して溶液中を移動させ、結晶核の形成を促進する。 - 特許庁