「forbidden band width」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Light stimulated from the inner quantum well layer 5a with the greater forbidden band width is made incident on the outermost quantum well layers 5b, 5c with the smaller forbidden band width and absorbed in them so that the stimulated emission effect can be improved.例文帳に追加

禁制帯幅の大きい内側の量子井戸層５ａから生じた光が、禁制帯幅の小さい最も外側の量子井戸層５ｂ，５ｃに入射して吸収され、誘導放出効果を高めることができる。 - 特許庁

The first semiconductor layer 14 has a crystal structure that is different from that of the second semiconductor layer 13, and the forbidden band width Eg_1 of the first semiconductor layer 14 and the forbidden band width Eg_2 of the second semiconductor layer 13 satisfy the relation Eg_1<Eg_2.例文帳に追加

第１の半導体層１４と第２の半導体層１３の結晶構造が異なり、第１の半導体層１４の禁制帯幅Ｅｇ_1と第２の半導体層１３の禁制帯幅Ｅｇ_2とが、Ｅｇ_1＜Ｅｇ_2の関係を満たす。 - 特許庁

The emitter layer 26 includes a second semiconductor having a larger forbidden band width than that of the first semiconductor.例文帳に追加

エミッタ層２６は、第１の半導体材料の禁制帯幅より大きな禁制帯幅を有する第２の半導体を含む。 - 特許庁

In the semiconductor device 1, an active layer 5 is formed of a first III group nitride semiconductor with a first forbidden band width.例文帳に追加

半導体装置１では、活性層５は、第１の禁制帯幅を有する第１のIII族窒化物半導体から成る。 - 特許庁

Especially, an electroconductive oxide such as an SnO_2 or ITO film, or a wide forbidden band width semiconductor such as GaN or SiC is used.例文帳に追加

特に、ＳｎＯ_２やＩＴＯ膜などの導電性酸化物、ＧａＮやＳｉＣなどの広禁制帯幅半導体を用いる。 - 特許庁

The gate layer 28 is formed of semiconductor material, whose forbidden band width is wider than that of an adjacent channel region.例文帳に追加

ゲート層２８が、隣接するチャネル領域の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有する半導体材料で形成される。 - 特許庁

This deodorizing antimicrobial agent comprises a hydrotalcite compound, a semiconductor having 0.5-5 eV forbidden band width and a binder for fiber.例文帳に追加

ハイドロタルサイト化合物と、０．５〜５ｅＶの禁止帯幅を有する半導体と、繊維用バインダーとを含有してなる消臭抗菌剤。 - 特許庁

A source layer 30 is formed of semiconductor material whose forbidden band width is wider than that of an adjacent channel region.例文帳に追加

また、ソース層３０が、隣接するチャネル領域の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有する半導体材料で形成される。 - 特許庁

The light emitting deice includes an active layer provided with a quantum dot formed of a first material whose forbidden band width becomes wider with temperature rise, and a barrier layer formed of a second material whose forbidden band width becomes narrower with temperature rise and having the quantum dot embedded therein.例文帳に追加

温度が上昇すると禁制帯の幅が広くなる第１の材料で形成された量子ドットと、温度が上昇すると禁制帯の幅が狭くなる第２の材料で形成され、前記量子ドットを埋め込む障壁層とを有する活性層を具備すること。 - 特許庁

A photovoltaic cell structure, wherein a p-type light absorption layer has a localized level or an intermediate band in the forbidden band is obtained, by forming a p-n heterojunction that is laminated of an n-type semiconductor, having the forbidden band width larger than that of the light-absorbing layer on the light-incident side thereof.例文帳に追加

p型光吸収層の光入射側に、前記光吸収層よりも禁制帯幅の大きいn型半導体が積層したヘテロ接合型のpn接合の形成により、前記光吸収層は禁制帯中に局在準位または中間バンドをもつ太陽電池構造とする。 - 特許庁

A forbidden band width of the n-reverse conductivity layer 9 is larger than that of the luminous layer 8 and is smaller than that of the p-clad layer 10.例文帳に追加

ｎ−逆導電帯層９の禁制帯幅は、発光層８の禁制帯幅に比べて大きくかつｐ−クラッド層１０の禁制帯幅に比べて小さい。 - 特許庁

To provide the solar cell which has high conversion efficiency by properly combining the electron affinity, forbidden band width, and material of a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層の電子親和力、禁制帯幅および材料を好適に組み合わせることによって、変換効率が高い太陽電池を提供する。 - 特許庁

To provide a solar battery capable of reducing any defect in a semiconductor layer functioning as a window layer, and freely changing the forbidden band width of the window layer.例文帳に追加

窓層として機能する半導体層中の欠陥が少なく、窓層の禁制帯幅を自由に変えることができる太陽電池を提供する。 - 特許庁

As a material of an upper electrode of this thin film type electron source, a material having a forbidden band width larger than Si, and having electroconductivity is used.例文帳に追加

薄膜型電子源の上部電極の材料として、Ｓｉよりも大きな禁制帯幅を有し、かつ導電性を有する材料を用いる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and equipment of a mixed crystal semiconductor thin film using alkaline earth metal which has a large forbidden band width of about 1.4 eV and is made of cheap materials.例文帳に追加

禁制帯幅が１．４ｅＶ程度と大きく、しかも安価な材料によるアルカリ土類金属を用いた混晶半導体薄膜の製造方法及び装置を提供する。 - 特許庁

Related to a semiconductor laser of a rib type or a PBH type of InGaAsP/InP group, a p-InGaAsP layer sandwiched between p-InP layers is formed so as to function as a current constriction layer by adjusting a forbidden band width.例文帳に追加

InGaAsP/InP系のリブ型またはPBH型の半導体レーザにおいて、p-InP層に挟まれたp-InGaAsP層を、禁制帯幅の調整により電流狭窄層として機能するように形成する。 - 特許庁

E_CLD2>E_CNT, and E_CW1<E_CW2 are satisfied, where forbidden band width energies of the second cladding layer 114, the contact layer 117, the first contact well layer 116w1, and the second contact well layer 116w3 as E_CLD2, E_CNT, E_CW1, and E_CW2, respectively.例文帳に追加

第２クラッド層１１４、コンタクト層１１７、第１コンタクトウェル層１１６ｗ１及び第２コンタクトウェル層１１６ｗ３の禁制帯幅エネルギーをＥ_CLD2、Ｅ_CNT、Ｅ_CW1及びＥ_CW2としたときに、Ｅ_CLD2＞Ｅ_CNT、かつ、Ｅ_CW1＜Ｅ_CW2である。 - 特許庁

The p-type wide gap semiconductor has the wide gap near the forbidden band width of the first semiconductor, and also functions as a p-type wide gap semiconductor through injection of holes due to the second semiconductor.例文帳に追加

このp型ワイドギャップ半導体は、第１半導体の禁制帯幅に近いワイドギャップを持ち、且つ、第２半導体により正孔が注入されることにより、１個のp型ワイドギャップ半導体として機能する。 - 特許庁

A high-purity molybdenum oxide having a forbidden band width of ≥3.45 eV is used for an electron running area provided in an electronic device, such as the diode, transistor, etc.例文帳に追加

本発明においては、ダイオードやトランジスタ等の電子デバイス中で電子が走行する領域に、高純度の酸化モリブデンであって、その禁制帯幅が３．４５ｅＶ以上であるような酸化モリブデンが用いられる。 - 特許庁

The solar cell having a film, comprising the composition, as a light absorber layer, realizes a remarkably high energy conversion efficiency because of its suitability to a forbidden band width of a solar spectrum (approximately 1.5 eV), without the necessity of using rare elements.例文帳に追加

この組成からなる薄膜を光吸収層として有する太陽電池は、希少元素を使用しなくても、太陽光スペクトル（約１．５ｅＶ）の禁制帯幅に適合できるから、極めて高いエネルギー変換効率を実現できる。 - 特許庁

To find out a group III oxide semiconductor having a hexagonal structure capable of forbidden band width control; and to provide a semiconductor device, a photoelectric conversion device, an ultraviolet ray detection device, an oxide light-emitting device, and a light-emitting device that contain the group III oxide semiconductor.例文帳に追加

禁制帯幅の制御が可能な六方晶構造を有するIII族酸化物半導体を見出し、これを含む半導体素子、光電変換素子、紫外線検出素子、酸化物発光素子、発光素子を提供することにある。 - 特許庁

The photocatalyst contains titanium dioxide and a second semiconductor material having a forbidden band width narrower than that of the titanium dioxide, and in the photocatalyst, the titanium dioxide and the second semiconductor material are brought into contact with each other.例文帳に追加

本発明の光触媒は、二酸化チタンと、該二酸化チタンの禁制帯幅よりも狭い禁制帯幅を有する第２の半導体材料とを含有し、該二酸化チタンと該第２の半導体材料とが接触していることを特徴とする。 - 特許庁

A plurality of semiconductor layers (a first semiconductor layer 1, a second semiconductor layer 3, a third semiconductor layer 5) where each semiconductor layer of different forbidden band with a pn junction have an activatable semiconductor layer (the third semiconductor layer 5) which is a semiconductor layer of wide forbidden band width outputting a photovoltaic voltage that can activate the boost circuit in a boost type power supply device at the output destination.例文帳に追加

ｐｎ接合を有する禁制帯の異なる各半導体層が絶縁膜を介して積層される複数の半導体層（第一の半導体層１、第二の半導体層３、第三の半導体層５）は、出力先の昇圧型電源装置の昇圧回路を起動可能な光起電圧を出力する広禁制帯幅の半導体層である起動可能半導体層（第三の半導体層５）を有する。 - 特許庁

The p-type wide gap semiconductor has an aligned lamination of a layer 12 formed of a second semiconductor showing the p-type electrical characteristic on the layers 11, 11' formed of a first semiconductor having the forbidden band width of 2.8 eV or more.例文帳に追加

本発明のp型ワイドギャップ半導体は、2.8eV以上の禁制帯幅を有する第１の半導体から成る層１１、１１’の上に、p型の電気特性を示す第２の半導体から成る層１２が整合積層していることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor, a p-type semiconductor, a semiconductor bonding element, a pn-junction element, and a photoelectric converter capable of correctly controlling at least one of a forbidden band width and a conductivity type according to the application purpose and capable of being put into practical use.例文帳に追加

禁制帯幅および導電型のうちの少なくとも一つを応用目的に応じて正確に制御できて、実用に足る、半導体、ｐ型半導体、半導体接合素子、ｐｎ接合素子、および光電変換装置を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor protection layer 10 is composed of a semiconductor, having a forbidden band width larger than those of the first and third semiconductors, and is arranged so as to cover the surfaces of the collector layer 20, the base layer 22, and the emitter layer 26.例文帳に追加

半導体保護層１０は、第１及び第３の半導体の禁制帯幅より大きな禁制帯幅を有する半導体から構成されており、コレクタ層２０、ベース層２２およびエミッタ層２６の表面を覆うように設けられている。 - 特許庁

To provide a method of forming a metal oxide semiconductor layer having a large forbidden band width on an existing metal and a semiconductor substrate or a semiconductor material layer at low temperatures, and to provide a semiconductor material layer manufactured by the method.例文帳に追加

大きな禁制帯幅をもつ金属酸化物半導体層を、既存の金属および半導体基板や半導体材料層上に、低温で形成する方法およびその方法によって作製される半導体材料層を提供する。 - 特許庁

This photocatalyst consists of a clay molding which contains a semiconductor having forbidden band width of 0.5 to 5 eV and the surface of which to be irradiated with at least ultraviolet rays has 20-200 μm arithmetical mean roughness.例文帳に追加

０．５〜５ｅＶの禁止帯幅を有する半導体を含有する粘土成形物からなる光触媒体であって、前記粘土成形物の、少なくとも紫外線に照射される表面の算術平均粗さが２０〜２００μｍであることを特徴とする光触媒体。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a p-type clad layer 11 consisting of a hexagonal-crystal SiC single crystal thin film; and a light emission layer 12 which consists of an alloy ZnO compound semiconductor having a wurtzite structure and a forbidden band width Eg not less than 1.8 eV and less than 3.1 eV, and forms a hetero junction with the clad layer 11.例文帳に追加

六方晶系ＳｉＣ単結晶薄膜からなるｐ型クラッド層１１と、ウルツ鉱構造で、禁制帯幅Ｅｇ＝１．８ｅＶ以上、３．１ｅＶ未満のＺｎＯ系化合物半導体混晶からなり、クラッド層１１とヘテロ接合をなす発光層１２とを備える。 - 特許庁

To provide a p-type semiconductor film readily controlling a forbidden band width or an electron affinity distribution in the p-type semiconductor film constituted of a p-type semiconductor and used as a light absorbing layer of a solar cell, so as to provide a high conversion efficiency solar cell.例文帳に追加

ｐ型半導体で構成され、太陽電池の光吸収層として使用されるｐ型半導体膜内の禁制帯幅或いは電子親和力の分布を容易に制御することができ、変換効率の高い太陽電池を得ることができるｐ型半導体膜を提供する。 - 特許庁

A boron phosphide(BP) based semiconductor, containing boron(B) as a group III element and phosphorus(P) as a group V element, and having a forbidden band width of 2.8 eV-3.4 eV under room temperature is further added with a group V element, especially nitrogen(N), having electrical negativity which is different from that of phosphorus(P).例文帳に追加

第ＩＩＩ族元素として硼素（Ｂ）を含みかつ第Ｖ族元素としてリン（Ｐ）を含む、室温での禁止帯幅を２．８エレクトロンボルト（ｅＶ）以上３．４ｅＶ以下とするリン化硼素（ＢＰ）系半導体に、さらにリン（Ｐ）と電気陰性度を異にする第Ｖ族元素、特に窒素（Ｎ）を添加する。 - 特許庁

Since the width of a forbidden band of the spacer layer 2 is smaller than that of the single crystal substrate 1, it is possible to dissolve or melt the spacer layer 2 and to separate the thin semiconductor layer from the substrate while suppressing the generation of crystal defects or cracks in the epitaxial growth layer 3.例文帳に追加

スペーサ層２の禁制帯幅が単結晶基板１の禁制帯幅よりも小さいので、エピタキシャル成長層３における結晶欠陥やクラックの発生を抑制しつつ、スペーサ層２を分解又は融解させて、薄い半導体層を基板から分離することができる。 - 特許庁

Since a forbidden band width can be changed by changing a crystal ratio of the layer 3 to the layer 9, the peak wavelength of the emitting light can be changed by the crystal ratio, and wavelength intensity characteristics of combined light of the lights emitted from the layers 3 and 9 are set to desired characteristics.例文帳に追加

第１発光層３及び第２発光層９のそれぞれの結晶比を変化させることで禁制帯幅を変化させることができるので、発光のピーク波長を結晶比により変化させることができ、それら発光層３及び９からの発光の合成光の波長強度特性を所望の特性とした。 - 特許庁

The rare earth added semiconductor laminate structure 1 for a light emitting element has a double heterojunction structure in which p-type and n-type clad layers 3 and 4 with forbidden band width larger than an active layer 2 are laminated on both sides of the active layer 2, and where the active layer 2 is added with rare earth element or both rare earth element and oxygen.例文帳に追加

活性層２の両側に活性層２よりも禁制帯幅の大きいｐ型とｎ型のクラッド層３，４を積層したダブルヘテロ接合構造であって、活性層２に希土類元素または希土類元素と酸素が添加された発光素子用希土類元素添加半導体積層構造１である。 - 特許庁

The avalanche photodiode has such a structure as at least one crystal layer (referred to interface layer) having a forbidden band width larger than that of a light absorbing layer is formed with a composition or a material different from that of the light absorbing layer on the connection interface of a compound semiconductor (referred to light absorbing layer) absorbing a signal light and an Si multiplication layer.例文帳に追加

信号光を吸収する化合物半導体（光吸収層と称する）とＳｉ増倍層との接続界面に，少なくとも一層の，光吸収層とは異なる組成もしくは材料で形成され光吸収層よりも大きな禁制帯幅をもつ結晶層（界面層と称する）が形成されている構造をもつ。 - 特許庁

The ESD protector 114 includes first and second semiconductor layers 109 and 113 containing an impurity of a first conductivity type, and a third semiconductor layer 111 formed between the first and second semiconductor layers 109 and 113, and having a wider forbidden band width than the first and second semiconductor layers 109 and 113 and an impurity concentration of ≤1×10^17 cm^-3.例文帳に追加

ＥＳＤ保護部１１４は、第１導電型の不純物を含有する第１及び第２の半導体層１０９、１１３と、第１及び第２の半導体層１０９、１１３の間に形成され、第１及び第２の半導体層１０９、１１３の禁制帯幅よりも禁制帯幅が広く、かつ、不純物濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以下である第３の半導体層１１１と、を備える。 - 特許庁

One electrode is provided on a group III-V compound semiconductor-made buffer layer containing boron(B) and phosphorus(P) or arsenic(As) having a smaller forbidden band width than a lower clad layer, and another electrode is provided on a group III nitride semiconductor layer to obtain a group III nitride semiconductor light emitting element having a high light emission intensity and electrodes displaying good Ohmic characteristics.例文帳に追加

一方の電極を下部クラッド層よりも禁止帯幅を小とする硼素（Ｂ）とリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から構成される緩衝層上に設け、他方の電極をＩＩＩ族窒化物半導体層上に設けることにより、良好なオーミック特性を発揮する電極を備えた高発光強度のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を得る。 - 特許庁