「focused ion beams」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The focused ion beams are emitted to make the transmission type electron microscope plane-observed semiconductor thin sample.例文帳に追加

集束イオンビームを照射して透過型電子顕微鏡平面観察用半導体薄片試料を作製する。 - 特許庁

To form a cross section with few vertical stripes by focused ion beams even for a sample with large rugged parts on the surface.例文帳に追加

表面に大きな凹凸部を有する試料であっても集束イオンビームで縦筋の少ない断面を形成すること。 - 特許庁

To obtain piezoresistance characteristics in a microstructure made of diamond like carbon manufactured with focused ion beams.例文帳に追加

集束イオンビームを用いて作製したダイアモンドライクカーボンによる微小構造体で、ピエゾ抵抗特性が得られるようにする。 - 特許庁

With the emission of focused ion beams, a micro sample piece is cut out of a sample substrate, and separated and picked out by a microprobe, and then the mesh held in the inclined groove of the sample stage face is inclined so that the side face of the mesh is directed perpendicular to the focused ion beams.例文帳に追加

集束イオンビームの照射により試料基板から微小試料片を切り出し、マイクロプローブで分離摘出後、前記試料ステージ面の傾斜溝に挟み込まれたメッシュを、メッシュの側面が前記集束イオンビームに垂直な向きとなるように傾ける。 - 特許庁

The semiconductor substrate 1 is irradiated with focused ion beams 5 to form a convex part 2 acting as a solid immersion lens on a main surface 3a.例文帳に追加

半導体基板１に集束イオンビーム５を照射して、その主面３ａに固浸レンズとして作用する凸部２を形成する。 - 特許庁

This invention relates to irradiation of ion beams inclined with respect to an optical axis of the optical system by controlling a diaphragm, tilt deflector, beam scanner, and objective lens in a focused ion beam optical system.例文帳に追加

本発明は、集束イオンビーム光学系における絞り，チルト偏向器，ビームスキャナー、及び対物レンズを制御し、該光学系の光軸に対して傾斜したイオンビームを照射することに関する。 - 特許庁

Then, the formed microstructure is heated to remove ions of the focused ion beams from the microstructure to make the microstructure exhibit the piezoresistance characteristics (step S102).例文帳に追加

次に、形成した微小構造体を加熱して微小構造体より集束イオンビームのイオンを除去して微小構造体にピエゾ抵抗特性を発現させる（ステップＳ１０２）。 - 特許庁

The invention enables automatic endpoint-detection for a segregation process of the extraction sample and the sample in sampling of a microsample using focused ion beams.例文帳に追加

本発明によれば、集束イオンビームを用いた微小試料のサンプリングにおいて、摘出試料と試料との分離加工の終点検知等を自動的に実施できるようになる。 - 特許庁

To provide a fine region analyzer using focused ion beams capable of simply and accurately reproducing the optimum positional relationship of a focused ion beam irradiation axis, an electronic beam irradiation axis, an axis of a secondary particle take-in port of the analyzer and a sample surface with each other when a sample is exchanged.例文帳に追加

試料交換を行った際に、集束イオンビーム照射軸と電子ビーム照射軸と分析装置の２次粒子取り込み口の軸および試料表面の最適な位置関係を、簡便に精度良く再現することのできる集束イオンビームを用いる微細部位解析装置を提供する。 - 特許庁

Part of the halftone defect 2 in the binary mask to which the FIB-CVD light shielding film 8 is made less attachable by implantation of gallium of focused ion beams 1 is shaved up to a glass substrate by gas assisted etching.例文帳に追加

まず集束イオンビーム1のガリウムの注入によってFIB-CVD遮光膜8がつきにくくなったバイナリマスクのハーフトーン欠陥2の一部分をガス支援エッチングでガラス基板まで削り込む。 - 特許庁

To provide a sample processing method including a process of forming a first cross section on a sample, and a process of forming a second cross section crossing the first cross section with the focused ion beams.例文帳に追加

試料に第一の断面を形成する工程と、第一の断面と交差する第二の断面を集束イオンビームで形成する工程とを含む試料加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a charged particle beam apparatus and a focused ion beam apparatus, capable of lowering a charged particle accelerating voltage, while suppressing a decrease in precision and efficiency of processing due to charged particle beams.例文帳に追加

荷電粒子ビームによる加工精度、及び加工効率の低下を抑制しつつ、荷電粒子の加速電圧を下げることができる荷電粒子線装置及び集束イオンビーム装置を提供する。 - 特許庁

The micro sample piece adheres to the end face of the mesh so that its observed plane is directed perpendicular to the focused ion beams, and then the inclined sample stage is rotated 180° around the rotational axis.例文帳に追加

微小試料片の観察平面が集束イオンビームと垂直な向きとなるように前記メッシュの端面に接着した後、傾斜した試料ステージを回転軸の周りに１８０度回転させる。 - 特許庁

To provide a method and a device of inspecting a semiconductor device by charged particle beams and focused ion beams, for detecting, from a potential contrast difference of secondary electron images, a failure point such as leakage due to a defect in the semiconductor device, which cannot be detected merely through appearance shape observation in conventional semiconductor analysis.例文帳に追加

従来の半導体解析において外観形状観察だけでは検出することが不可能な、半導体装置内部の欠陥に基づくリーク等の不良箇所を、二次電子像の電位コントラスト差から検出する、荷電粒子ビームおよび集束イオンビームによる半導体装置の検査方法および検査装置を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a nanoimprint mold, a pattern of the nanoimprint mold is formed by depositing a metal at a desired position on a Si substrate having a SiO_2 layer using focused ion beams, and by heating the substrate to coagulate the deposited metal.例文帳に追加

本発明によるナノインプリント金型の製造では、ＳｉＯ_２層を設けたＳｉ基板に、集束イオンビームを用いて所望の位置に金属を堆積し、この基板を加熱して、堆積した金属を凝集させて、ナノインプリント金型のパターンを形成する。 - 特許庁

In the fine region analyzer using focused ion beams, a laser beam 9a is irradiated to a surface 3a of a sample 3 through a window plate 8 of the analyzer 5 arranged in the normal of the sample surface and through a secondary particle take-in port 5a of the analyzer 5.例文帳に追加

集束イオンビームを用いる微細部位解析装置において、試料表面法線方向に配置した分析装置５の窓板８を通り、かつ分析装置５の２次粒子取り込み口５ａを通ってレーザー光９ａを試料３の表面３ａに照射する。 - 特許庁

In this manufacturing method of a field emission electron gun provided with multiply divided emitter electrodes for emitting electron beams, by removing and processing a tip part 28 of the emitter electrode 21 by irradiating the tip part 28 with a focused ion beam I, a plurality of needle-like parts 30 independent of one another and extending in the emitting direction of the electron beams are formed at the tip part 28.例文帳に追加

電子ビームの出射のための複数分割エミッタ電極を備える電界放出型電子銃の製造方法であって、エミッタ電極（２１）の先端部２８に集束イオンビームＩを照射して先端部２８を除去加工することにより、先端部２８に互いに独立しかつ電子ビームの出射方向に伸長する複数の針状部３０を形成する。 - 特許庁