「focused beam」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

Secondary electrons are more generated at the edge 15 than at the other region, so that the secondary electron image of the edge 15 becomes brighter on a CRT, and the electron-beam exposure system is focused on the pattern of the reticle 10 at a position where the secondary electron image of the edge 15 becomes brightest.例文帳に追加

エッジ１５での二次電子の発生効率が高いため、エッジの部分の二次電子像がＣＲＴ上で明るく見え、エッジ１５の二次電子像が最も鮮明に見える位置でパターンのフォーカスも合うことになる。 - 特許庁

A body to be observed 105 is surrounded in at least its one part with a grounded conductor 103 formed into a groove shape having the depth larger than that of the body to be observed 105 and surrounding the body to be observed 105 using a focused ion beam.例文帳に追加

集束イオンビームを用いて、被観察体１０５の深さよりも深く、かつ被観察体１０５を囲うような溝状の接地された導電体１０３で被観察体１０５の外周の少なくとも一部を囲むようにした。 - 特許庁

When the surface of the mold material 2 being a composite material of the vapor-phase growth carbon fiber and the glassy carbon is worked with a focused ion beam, a working efficiency is fallen at the vapor-phase growth carbon fiber and then the worked face of the mold material 2 becomes uneven.例文帳に追加

ガラス状カーボンおよび気相成長炭素繊維の複合材の型材２の表面を集束イオンビーム加工した際に、気相成長炭素繊維の部分で加工効率が低下し、型材２の加工面が凹凸になる。 - 特許庁

To provide drift correction method and apparatus in FIB (Focused Ion Beam) automatic processing, which can quickly perform positioning and FIB processing of a test piece.例文帳に追加

本発明はＦＩＢ自動加工時のドリフト補正方法及び装置に関し、試料の位置決めとＦＩＢ加工を速やかに行なうことができるＦＩＢ自動加工時のドリフト補正方法及び装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

A specimen is picked up from a processed substrate by the use of a focused ion beam in an in-line monitor, and the processed substrate which has been subjected to processing is cleaned to satisfy the cleanliness level required for the following substrate treatment and then returned to a semiconductors production line.例文帳に追加

インラインモニタにおいて被処理基板を集束イオンビーム加工して試験片をピックアップし、加工後の被処理基板を、次段の基板処理工程において要求される清浄度にクリーニングしてから半導体製造ラインに戻す。 - 特許庁

More specifically, in the focused ion beam system, the adhesion of the fine particle can be measured by a contact needle, a means for immobilizing the fine particle and a measurement of an amount of variation in a leaf spring moving along with the contact needle.例文帳に追加

すなわち、本発明によれば、集束イオンビーム装置内で、接触針と微小粒子の固定手段及び接触針に連動した板バネの変化量の計測により微小粒子の付着力を測定することができる。 - 特許庁

The focus error signal is corrected based on the stored signal intensity, focus control is performed so that the light beam is focused on the reproducing layer L0 by the corrected focus error signal and data recorded in the reproducing layer L0 are read.例文帳に追加

記憶された信号強度に基づいてフォーカス誤差信号が補正され、補正されたフォーカス誤差信号により再生層Ｌ０に光ビームのフォーカスが合うようにフォーカス制御され、再生層Ｌ０に記録してあるデータが読み出される。 - 特許庁

Curvature of the substrate 70 is selected such that n light emitting parts 4 arranged in the same row in the subscanning direction are directed toward an exposure position S on a photosensitive body 41 and a beam 15 is focused at the exposure position S.例文帳に追加

その際に、副走査方向に同列に配列されたｎ個の発光部４は全て、感光体４１上の露光位置Ｓを向くように、ビーム１５を露光位置Ｓに集束させるように基板７０の曲率を選定する。 - 特許庁

Thereafter, grooves 6 are formed on both sides of a center part of the protrusion 2 for sample part formation by drilling by irradiation of a focused ion beam, and a sample part 7 is formed by the protrusion 2 for sample part formation remained between both grooves 6.例文帳に追加

次に、試料部形成用凸部２の中央部両側に、集束イオンビームの照射による掘削加工により、溝６を形成し、両溝６間に残存された試料部形成用凸部２により試料部７を形成する。 - 特許庁

Detection time is shortened and the cost is reduced by scanning the surface of a substrate, while irradiating with a focused zone laser beam 11, thereby detecting a defect on the surface of the substrate regardless of the directivity of the defect 6.例文帳に追加

集光輪帯レーザビーム１１を基板表面上に照射して走査させることにより、欠陥６の方向性に依存しない基板表面の欠陥検出を実現し、検出時間の短縮とコストの低減を図る。 - 特許庁

To provide a means and a method for cooling a plasma chamber and a means and a method for preventing abnormal discharge between the plasma chamber and a grounding potential in an inductive coupled plasma ion source to be used for a focused ion beam device.例文帳に追加

集束イオンビーム装置に用いられる誘導結合型プラズマイオン源において、プラズマ室を冷却する手段と方法、並びにプラズマ室と接地電位の間の異常放電を防止する手段と方法を提供する。 - 特許庁

As the unit emitters 9a are not focused, a laser beam 9c having a comparatively low aspect ratio can be obtained at a spot 8 comparatively low in intensity, so that problems such as thermal damage and others caused by the high output of the reproduction amplifier can be solved.例文帳に追加

収束がないので、比較的低いアスペクト比のレーザビーム９ｃが比較的低い強度のスポット８で得られ、それによって再生増幅器の高強度によって生じる熱的損傷その他の問題が解決される。 - 特許庁

This pattern is made to emerge as a patterned beam pb of the charged particles, that emerge from a surface of a material body via at least one crossover c and is focused into an image S having a given magnitude and distortions.例文帳に追加

このパターンは、少なくとも１つのクロス・オーバ（ｃ）を介して物体平面から出現する前記荷電粒子のパターン形成したビーム（ｐｂ）として表され、それは所与の大きさおよび歪曲を有する像（Ｓ）に結像される。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser array capable of arbitrarily adjusting to set a directional pattern of focused light, sheet light or the like as a laser beam while having a simple structure rquiring no complex control, a mechanism or the like.例文帳に追加

何ら複雑な制御や機構等を必要としない簡素な構造でありながら、集光光やシート光等、レーザ光としての指向特性を任意に調整、設定することのできる半導体レーザアレイを提供すること。 - 特許庁

A light beam that passes through an annular zone region which applies a phase difference that is equal to the integer multiple of 2π to a wavelength among the steps (region where height d of the step is 0 multiple of 2π, which means the region with no level difference) is focused on an optical recording media 107.例文帳に追加

段差のうち波長に対し２πの整数倍となる位相差を付与する輪帯状の領域（段差の高さｄが２πの０倍すなわち段差のない領域）の光束は、光記録媒体１０７に集光する。 - 特許庁

The condenser lens system condenses wavelength light of a wide band emitted from a light source (2a) and selectively emits wavelength light of a predetermined wavelength band as focused light beam.例文帳に追加

本発明による集光レンズ系は、光源（２ａ）から出射した広帯域の波長光を集光すると共に所定の波長帯域の波長光を集束性光ビームとして選択的に出射させる集光レンズ系である。 - 特許庁

The fibrous carbon 5 is formed by implanting a catalytic metal ion 4 on the fixed position of the surface of a substrate 1 using the ion implantation method, the focused ion beam method or the single ion implantation method and using a catalytic metal as a catalyst.例文帳に追加

イオン注入法、集束イオンビーム法又はシングルイオン注入法のいずれかによって、触媒金属イオン４を基板１表面上の所定位置に注入し、触媒金属を触媒として繊維状カーボン５を形成する。 - 特許庁

To provide a thin sample preparing method which prevents an FIB (focused ion beam) processing from forming any hole and allowing any redeposition to originate in holes when forming a protection film in preparing a thin sample, in order to obtain a good image by using an electron microscope.例文帳に追加

ＦＩＢ加工で薄片試料を作製する際に保護膜形成時に穴が形成されず穴からリデポすることを防ぎ、電子顕微鏡にて良好な像を取得することのできる薄片試料作製方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

A laser beam is emitted with a converging point focused on the inside of a workpiece 1, so that the quality modification region to be a cutting starting point is formed inside the workpiece 1 along the plurality of planned cutting lines set in the workpiece 1.例文帳に追加

加工対象物１の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、加工対象物１に設定された複数の切断予定ラインに沿って、切断の起点となる改質領域を加工対象物１の内部に形成する。 - 特許庁

To provide a master disk for manufacturing an optical recording medium which is capable of forming the sectional shape of minute rugged patterns with good controllability in forming the minute rugged patterns by utilizing a focused electron beam capable of performing the pattern exposure suitable for a higher recording density.例文帳に追加

高記録密度化に適したパターン露光を行い得る集束電子ビームを利用した微細凹凸パターンを形成するにあたって、制御性よく微細凹凸パターンの断面形状を形成し得る光記録媒体作製用原盤を提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method of a quartz glass member, a quartz glass substrate 1 of which surface has been mirror-finished is pasted on a laser processing bench and a laser beam is irradiated focused on the surface layer or the inside of the substrate 1, and the product is cut by moving the focus along its contour.例文帳に追加

表面を鏡面加工した石英ガラス基板１をレーザー加工台に貼り付け、基板１の表層又は内部に焦点を結ばせてレーザービームを照射し、焦点を製品の輪郭に沿って移動させて切断加工する。 - 特許庁

This method, for example, includes a step for preparing a calibration standard including some element in a known concentration and a step for collecting a part representing the concentration of the element in the calibration standard by using a focused beam.例文帳に追加

この方法は、一つの実施例においては、ある元素を既知の濃度にて含有する校正標準を調製するステップ、およびこの校正標準内の前記元素の濃度を代表する一部分を集束ビームを用いて採取するステップを含む。 - 特許庁

An electron beam is focused at the position different from the previously illuminated position of the target 36 according to the position of a permanent magnet 42, by changing the angle of a magnetic field to be formed by the permanent magnet 42 in a radial direction by the rotation of the magnet holder.例文帳に追加

磁石保持体の回動により、永久磁石４２により形成される磁界の径方向の角度が変わることにより、永久磁石４２の位置に従い電子ビームはターゲット３６の以前照射された位置と異なる位置に結像する。 - 特許庁

In the cleaning method of the outer circumferential surface (3) of the welding metal tube (1), a laser beam (7) focused on the outer circumferential surface (3) is used for fusing, evaporating, and/or sublimating the fouling and flaw which are present at the outer circumferential surface (3).例文帳に追加

溶接金属管（１）の外周面（３）のクリーニング方法において、該外周面（３）上に存在する付着物質、及び傷を融解、蒸発、及び／又は昇華させるために、該外周面（３）上に焦点を合わせたレーザービーム（７）を用いる。 - 特許庁

As for a both-side inclined cutting tool in which both sides of the blank are tapered and coated with a hard material, each coating surface of the blank is mulled with the focused ion beam (FIB) and a novel sharp edge part with an atomically sharp both-side inclined blade edge is produced.例文帳に追加

ブランクの両面をテーパして硬質材で被覆した両面傾斜切削器具の場合、ブランクの各被覆面を集束イオンビーム（ＦＩＢ）で研削して原子的に鋭利な両面傾斜刃先を有する新しい鋭端部を生成する。 - 特許庁

At the time of reproducing a CD-ROM, a diffraction element 2 divides the light emitted from a light source 1 being a semiconductor laser into three beams, a beam splitter 3 further branches the beams, and the branched beams are focused on an optical disk 7 through the objective lenses 5.例文帳に追加

ＣＤ−ＲＯＭの再生時には、半導体レーザである光源１から出射された光を回折素子２により３ビームに分割し、さらにビームスプリッタ３により分岐して、対物レンズ５を通して光ディスク７へ集光する。 - 特許庁

This sampling apparatus used in preparing samples for transmission electron microscope observation by a focused ion beam processing apparatus includes a probe which can rotate which its shaft being as an axis of rotation and a rotating means for rotating the probe.例文帳に追加

また、集束イオンビーム加工装置による透過電子顕微鏡観察用試料作製に用いるサンプリング装置は、プローブの軸を回転軸とする回転が可能なプローブと、その回転を行うための回転手段とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

Although scattering and diffraction of the beam flux by the shielding plate 18c is afraid therein, scattered light and diffraction light are regulated not to be image-focused on a photoreception face, by combination with the objective lens in an embodiment of the present invention, so as to solve the anxiety.例文帳に追加

ここで遮光板（１８ｃ）によるビーム光束の散乱、回折が懸念されるが、本実施例では対物レンズとの組合せにより、そうした散乱光や回折光が受光面に結像しない調整とすることで、解消することができる。 - 特許庁

A laser beam irradiated from a laser diode 12 enters, as a divergent ray, a reflecting mirror 19 having a recessed reflecting surface 19A, and the laser beam reflected on the reflecting surface 19A toward the objective lens 20 is focused on the signal recording layer of the optical disk D by focusing of the objective lens 20.例文帳に追加

レーザーダイオード１２から放射されたレーザー光を反射面１９Ａが凹面にて構成された反射ミラー１９に対して発散光として入射させるとともに該反射面１９Ａにて対物レンズ２０方向へ反射されるレーザー光を該対物レンズ２０による集光動作にて光ディスクＤの信号記録面に集光させる。 - 特許庁

While the first recording film 3 records data using a light beam, when the second recording film irradiated with the light beam having a wavelength of 650 nm band and being focused through the substrate and the L0 layer as a condensing spot having a predetermined area, a reflectance R1 of the L1 layer is set in the range from 5% or more to 10% or less.例文帳に追加

第１記録膜３が光によって情報が記録された記録済状態で、６５０ｎｍ帯の波長を有する光が基板とＬ０層を通して第２記録膜に対してフォーカスして所定の面積を有する集光スポットとして照射されたとき、Ｌ１層の反射率Ｒ１は５％以上１０％以下である。 - 特許庁

The device further comprises a means 12 for focusing laser beam 14 in the plane of object 10, a means 17 for taking-in the image of beam 14 focused at the circular opening part 16 as well as in the plane of object 10, and a means 18 for calculating the component of line segment between the impact point and the center of opening part 16.例文帳に追加

本装置は、さらに、対象物１０の面内にレーザビーム１４を焦点合わせする手段１２と、円形開口部１６及び対象物１０の面内に焦点合わせされたビーム１４の画像を撮る手段１７と、前記衝撃点と前記開口部１６の中心との間のセグメント（線分）の成分要素（components）を算出する手段１８と、を備えている。 - 特許庁

To provide a focused ion beam device for actualizing smooth and automatic processing of a processed pattern by improving the detecting probability of a processed pattern detecting mark and the reproductivity of a processing position, and to provide a sample processing method and program using the same.例文帳に追加

加工パターン検出用のマークの検出確率と加工位置の再現性を向上させ、加工パターンの自動加工を円滑化することができる集束イオンビーム装置、集束イオンビーム装置を用いた試料加工方法及び試料加工プログラムを提供する。 - 特許庁

The method for forming the fiducial marks on the micro-sized optical article has a step for forming at least one optical feature adjacent to the micro-sized optical article, wherein a collimated beam of light is focused on the surface opposite the mounting surface of the micro-sized optical article.例文帳に追加

ミクロサイズの光学部品に基準マークを形成する方法は、ミクロサイズの光学部品の取付表面と反対側の表面上にコリメートされた光ビームに焦点を結ばせ、ミクロサイズの光学部品と隣り合う少なくとも１つの光学形状を有している。 - 特許庁

To provide drift correction method and apparatus in FIB (Focused Ion Beam) automatic processing, which can make accurate correction for rotation even if the rotation happens in an irradiation position of a test piece.例文帳に追加

本発明はＦＩＢ自動加工時のドリフト補正方法及び装置に関し、試料照射位置に回転が生じた場合でもこの回転の補正を正確に行なうことができるＦＩＢ自動加工時のドリフト補正方法及び装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

The light flux passed through the peripheral area MD of the objective lens OL and the most peripheral area OT does not become flare light but is focused on the label surface, and can form a spot of higher intensity in conjunction with the light beam passed through the center area CN.例文帳に追加

対物レンズＯＬの周辺領域ＭＤ及び最周辺領域ＯＴを通過した光束はフレア光にならずレーベル面に集光されるので、中央領域ＣＮを通過した光束に加えて、より光強度の高いスポットを形成することができる。 - 特許庁

Since the minute specimen prepared beforehand on a specimen by a focused ion beam device can be sampled quickly and installed on the carrier, an occupation time of an FIB device for processing one specimen is shortened, to thereby heighten specimen preparation efficiency.例文帳に追加

本発明によれば、事前に集束イオンビーム装置で試料上に作製された微小試料を迅速に採取し、キャリアに設置することができるため、１個の試料を加工するためのＦＩＢ装置の占有時間が短縮し、試料作製効率が高まる。 - 特許庁

This method is constituted so as to laminate the observation sample 4 by using an existing FIB (focused ion beam) device, and to perform an extracting and sticking work of the laminated sample 4 by using an optical microscope having an existing micromanipulator equipped with an electrostatic pincette 10.例文帳に追加

この発明は、既存のＦＩＢ装置を用いて観察用試料４の薄片化加工を行い、静電ピンセット１０を装備した既存のマイクロマニピュレータ付きの光学顕微鏡を用いて、薄片化試料４の摘出と貼り付け作業を行うように構成される。 - 特許庁

This device is equipped with an array type search probe 3, a transmission/reception circuit 4, an addition amplifier 5, an evaluation circuit 6 for evaluating existence of a flaw based on a received signal, a delay circuit 7 for controlling a focused pattern of an ultrasonic beam of the array type search probe 3, and a control means 8.例文帳に追加

アレイ型探触子３、送受信回路４、加算アンプ５、受信信号に基づいて疵の有無を評価する評価回路６、アレイ型探触子３の超音波ビームの集束パターンを制御する遅延回路７と、制御手段８とを備える。 - 特許庁

The microstructure regarding a junction part of a tunnel magneto-resistance film 12 is formed by a lithography process using focused ion beam(FIB) drawing to prevent the problems of deterioration in shape caused by reflected electrons and electrostatic breakdown due to charging-up.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗膜１２の接合部に関わる微細構造を集束イオンビーム（ＦＩＢ）描画を用いたリソグラフィプロセスにより形成することにより、反射電子による形状の劣化や、チャージアップによる静電破壊という問題を防ぐことが可能となる。 - 特許庁

A sensor comprising detectors 11, 12 detects a luminescent light LR generated by a mutual reaction of the nearest lens element 10 to a substrate W with a projection beam PB focused on the substrate W through a mask MA in a projection system PL.例文帳に追加

マスクＭＡを通った投影ビームＰＢを基板Ｗ上に集束する投影システムＰＬの基板Ｗに最も近いレンズ素子１０がこの投影ビームＰＢと相互作用して発生するルミネセンス光ＬＲを検出器１１、１２を含むセンサによって検出する。 - 特許庁

A semiconductor laser is used for making a detector small, size, the optical path length of reflected light is extended with a mirror to about 100 mm, and a semiconductor laser beam that tends to diverge is almost focused on a measuring surface with a lens to obtain a high sensitivity.例文帳に追加

小型化のために半導体レーザーを使用し、鏡を使用して反射光の光路長を延ばして約１００ｍｍとし、幅が広がる性質を持つ半導体レーザーの光をレンズでほぼ被測定面上に集光することにより高感度を得ることが出来る。 - 特許庁

The ion beam machining system, where the focused ion beam 2 is radiated onto the semiconductor device 9 to be machined in its predetermined region, while preventing charge-up with the electron shower 19 supplied from an electron shower gun 20 comprises a controllable power supply 21 for applying a bias to the sample stage 10 and an ammeter 22 for detecting the sample current, without being affected by the electron shower 19.例文帳に追加

集束されたイオンビーム２を半導体装置９上に照射し、電子シャワー銃２０から供給される電子シャワー１９によりチャージアップを防止しつつ、所定の領域を加工するイオンビーム加工装置において、調整電源２１により試料ステージ１０にバイアス印加を行い、電子シャワー１９による影響を受けずに電流計２２で試料電流を検出する。 - 特許庁

This apparatus is equipped with a focused ion beam optical system and electron optical system in the same evacuation device and a manipulator, to separate a trace sample, including a desired region of the sample by a charged particle beam molding work and to pick up the separated trace sample, and a manipulator control device for driving the manipulator, independently of a wafer sample board.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するマニピュレータと、該マニピュレータをウェーハ試料台と独立に駆動するマニピュレータ制御装置を備えた。 - 特許庁

A straight line drawn on the surface in the part to be observed for shape observation is formed by local CVD or etching using a focused ion beam, and the straight line drawing direction on the sample surface in the part to be observed for shape observation and the sample stage tilting direction cross each other at right angles.例文帳に追加

形状を観察したい個所の試料表面に引く直線は、局所ＣＶＤ若しくは集束イオンビームを用いたエッチングによって施し、形状を観察したい個所の試料表面に引く直線の方向と試料ステージの傾斜方向は、直交するようにとる。 - 特許庁

In this slice sample fixing method, deposition by focused ion beam irradiation is applied to a predetermined position of the slice sample placed on the sample base or the fixing base such as a mesh while gas is jetted by means of a gas gun, and consequently, the slice sample is fixed to the fixing base.例文帳に追加

本発明の薄片試料の固定方法は試料台若しくはメッシュなどの固定台上に載置された薄片試料の所定個所に、ガス銃によってガスを噴射しつつ集束イオンビームを照射するデポジションを施し、これによって、前記固定台に薄片試料を固定するようにした。 - 特許庁