「diamond type」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

DIAMOND PLANE TYPE ELECTRON EMISSION ELEMENT例文帳に追加

ダイアモンド平面型電子放出素子 - 特許庁

SYNTHESIZING METHOD OF LOW RESISTANCE n-TYPE DIAMOND例文帳に追加

低抵抗ｎ型ダイヤモンドの合成法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE USING n-TYPE DIAMOND例文帳に追加

ｎ型ダイヤモンドを用いた半導体デバイス - 特許庁

MOVEMENT-ESTIMATING METHOD OF IMPROVED TYPE DIAMOND SEARCH例文帳に追加

改良式ダイアモンドサーチ動き推定方法 - 特許庁

ALUMINA TYPE GRINDING WHEEL, DIAMOND TYPE GRINDING WHEEL AND CUTTING METHOD例文帳に追加

アルミナ系砥石、ダイヤモンド系砥石および切削加工方法 - 特許庁

DIAMOND PELLET TYPE HIGH DENSITY STICKING CORRECTION CARRIER例文帳に追加

ダイヤモンドペレット式高密度貼り修正キャリア - 特許庁

DIAMOND ELECTRO-DEPOSITED BLADE FOR BAND SAW TYPE CUTTER例文帳に追加

バンドソー型切断機用ダイヤモンド電着ブレード - 特許庁

METHOD FOR SYNTHESIZING n-TYPE SEMICONDUCTOR DIAMOND THIN FILM例文帳に追加

ｎ型半導体ダイヤモンド薄膜の合成法 - 特許庁

N-TYPE DIAMOND SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ｎ型ダイヤモンド半導体及びその製造方法 - 特許庁

n-TYPE SEMICONDUCTOR DIAMOND AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｎ型半導体ダイヤモンド及びその製造方法 - 特許庁

n-TYPE DIAMOND ELECTRON EMISSIVE ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

ｎ型ダイヤモンド電子放出素子及び電子デバイス - 特許庁

The n-type semiconductor diamond 1 is formed on a substrate 3 which is a diamond {110} single crystal substrate, and provided with a first non-doped diamond layer 7 and an n-type diamond layer 5.例文帳に追加

ｎ型半導体ダイヤモンド１は、ダイヤモンド｛１１０｝単結晶基板である基板３上に形成されており、第１のノンドープダイヤモンド層７及びｎ型ダイヤモンド層５を備えている。 - 特許庁

The diamond electron emitting element comprises a diamond substrate 1, a diamond n-type semiconductor layer 2 formed on the diamond substrate 1, a diamond p-type semiconductor layer 3 formed on the diamond n-type semiconductor layer 2, ohmic electrodes 4, 5 respectively formed on surfaces 2a, 3a of the diamond n-type semiconductor layer 2 and the diamond p-type semiconductor layer 3.例文帳に追加

ダイヤモンド下地基板１と、該ダイヤモンド下地基板１上に形成したダイヤモンドｎ型半導体膜２の層と、該ダイヤモンドｎ型半導体膜層上に形成したダイヤモンドｐ型半導体膜３の層と、前記ダイヤモンドｎ型半導体膜２の層及び前記ダイヤモンドｐ型半導体膜３の層のそれぞれの表面２ａ，３ａに形成したオーミック電極４，５とにより、ダイヤモンド電子放出素子を構成した。 - 特許庁

n-TYPE DIAMOND SEMICONDUCTOR, ELECTRIC CONDUCTIVITY CONVERTING METHOD OF DIAMOND SEMICONDUCTOR, AND ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

ｎ型ダイヤモンド半導体とダイヤモンド半導体の電気伝導性変換方法ならびに電子デバイス - 特許庁

LOW-RESISTANCE n-TYPE SEMICONDUCTOR DIAMOND AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

低抵抗ｎ型半導体ダイヤモンドおよびその製造方法 - 特許庁

METHOD OF JUDGING PRESENCE OF HEAT TREATMENT IN NATURAL TYPE II DIAMOND例文帳に追加

天然ＩＩ型ダイヤモンドの熱処理の有無の鑑別方法 - 特許庁

An emitter electrode 1 uses a p-type diamond semiconductor, and a collector electrode 2 uses an n-type diamond semiconductor.例文帳に追加

エミッタ電極１にｐ型ダイヤモンド半導体を用いると共に、コレクタ電極２にｎ型ダイヤモンド半導体を用いている。 - 特許庁

An undoped diamond film 12 formed by CVD is laminated on a diamond substrate 11, and an n type diamond layer 13 is formed on a surface of diamond film 12.例文帳に追加

ダイヤモンド基板１１上にＣＶＤにより形成されたアンドープダイヤモンド膜１２が積層され、ダイヤモンド膜１２の表面にｎ型ダイヤモンド層１３が形成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a low resistance n-type semiconductor diamond containing lithium and nitrogen and the n-type semiconductor diamond.例文帳に追加

リチウムと窒素を含有した低抵抗ｎ型半導体ダイヤモンドの製造方法及びｎ型半導体ダイヤモンドを提供する。 - 特許庁

DIAMOND TOOL PLATE OSCILLATION ROTATION-TYPE LENS POLISHING METHOD AND ITS DEVICE例文帳に追加

ダイヤモンド工具皿揺動回転式のレンズ研削方法とその装置 - 特許庁

The n-type diamond layer 5 contains n-type dopant, and carrier diffuses to the first non-doped diamond layer 7 by carrier concentration gradient with the first non-doped diamond layer 7, so that the resistance of the n-type semiconductor diamond 1 can be reduced.例文帳に追加

ｎ型ダイヤモンド層５はｎ型不純物を含んでおり、第１のノンドープダイヤモンド層７とのキャリア濃度勾配によって第１のノンドープダイヤモンド層７へキャリアが拡散することにより、ｎ型半導体ダイヤモンド１の抵抗を低くできる。 - 特許庁

To provide a low resistance n-type semiconductor diamond doped with lithium and phosphorous in association with the diamond doped with lithium.例文帳に追加

リチウムをドープしたダイヤモンドに関し、リチウムとリンをドープした低抵抗ｎ型半導体ダイヤモンドを提供する。 - 特許庁

Further, a process forming the n-type diamond layer on the surface of the substrate and a process containing a transition metal element from a surface layer side of the n-type diamond layer to the surface layer part of the n-type diamond layer are included.例文帳に追加

また、基体の表面上にｎ型ダイヤモンド層を形成する工程と、前記ｎ型ダイヤモンド層の表層部に、該ｎ型ダイヤモンド層の表層側から遷移金属元素を含有させる工程と、を含むこと。 - 特許庁

What is more, the first diamond layer 1 is composed of, for example, an undoped diamond, and the second diamond layer 2 is doped with, for example, boron (B), and the second diamond layer 2 is a p-type semiconductor.例文帳に追加

なお、第１のダイヤモンド層１は、例えばアンドープ・ダイヤモンドから構成されており、第２のダイヤモンド層２には、例えばボロン（Ｂ）がドーピングされ、第２のダイヤモンド層２はｐ型半導体となっている。 - 特許庁

A p-type semiconductor diamond layer 3 serving as a light emitting layer is selectively formed on the high resistive diamond layer 2.例文帳に追加

また、高抵抗ダイヤモンド層２上には、発光層となるｐ型半導体ダイヤモンド層３を選択的に形成する。 - 特許庁

DIAMOND PARTICLE DISPERSION TYPE METAL-MATRIX COMPOSITE MATERIAL AND PRODUCING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ダイヤモンド粒子分散型金属基複合材料及びその製造方法 - 特許庁

A p-type diamond thin film formed by a CVD method from a carbon source is subjected to an inert gas, thereby converting it into an n-type diamond semiconductor.例文帳に追加

炭素源からのＣＶＤ法により形成されたｐ型ダイヤモンド薄膜を不活性ガスに曝すことでｎ型ダイヤモンド半導体に変換する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a diamond semiconductor for obtaining a high-quality P-type/N-type diamond semiconductor which can not be obtained by a conventional method by preventing the etching of a diamond surface caused by the high-temperature/high-pressure annealing of an ion-implanted diamond.例文帳に追加

イオン注入したダイヤモンドの高温高圧アニールにより起こるダイヤモンド表面のエッチングを防ぎ、従来の方法では得られない高品質Ｐ型、Ｎ型ダイヤモンド半導体を得るダイヤモンド半導体の作製方法を提供すること。 - 特許庁

A diamond crystal layer 1 having p-type or n-type conductivity is grown by a CVD device etc.例文帳に追加

ｐ型またはｎ型の伝導性を有するダイヤモンド結晶層１をＣＶＤ装置などで成長させる。 - 特許庁

SURFACE PLANTED TYPE DIAMOND BIT CAPABLE OF ADJUSTING PROJECTION HEIGHT OF DIAMOND ABRASIVE GRAINS FROM MATRIX AND STRONGLY MAINTAINING INNER AND OUTER DIAMETERS例文帳に追加

マトリックスからのダイヤ砥粒の突出高さを調節でき、内外径を強固に維持できる表面植込み型ダイヤモンド・ビット - 特許庁

To improve a diamond tool plate oscillation rotation-type lens polishing method.例文帳に追加

従来のダイヤモンド工具皿揺動回転式のレンズ研削方法を改良する。 - 特許庁

FIELD EMISSION DISPLAY ELEMENT USING DIAMOND TYPE MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ダイヤモンド系材料を用いた電界放出表示素子及びその製造方法 - 特許庁

To produce n-type semiconductor diamond as an electronic emitting material at a low cost.例文帳に追加

電子エミッタ材料としてｎ形半導体ダイヤモンドを安価に製造する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR P-TYPE SURFACE CONDUCTIVE LAYER ON OXYGEN-TERMINATED (111) DIAMOND例文帳に追加

酸素終端（１１１）ダイヤモンド上におけるｐ型表面伝導層の製造方法。 - 特許庁

The diamond abrasive grains 6A, 6B and 6C different in type are made to adhere to surfaces of the respective diamond abrasive adhesive portions 4A, 4B and 4C.例文帳に追加

各ダイヤモンド砥粒接着部４Ａ、４Ｂ、４Ｃには、夫々相違する種類のダイヤモンド砥粒６Ａ、６Ｂ、６Ｃを接着する。 - 特許庁

A wire saw mounted with an impregnated type diamond beads on an annular element wire is used.例文帳に追加

環状の素線ワイヤにインプリグネーテッド型ダイヤモンドビーズを装着したワイヤソーを使用する。 - 特許庁

An n type semiconductor diamond having excellent characteristics is simply produced by the method.例文帳に追加

この方法により特性の良好なn型半導体ダイヤモンドの製造が簡便になる。 - 特許庁

The n-type diamond layer 5 is formed selectively on the first crystalline plane 10.例文帳に追加

ｎ型ダイヤモンド層５は、第１の結晶面１０上に選択的に形成されている。 - 特許庁

The electron emission element comprises a conductive substrate, a first conductive-type first diamond layer formed on the conductive substrate, and a first conductive-type second diamond layer formed on the first diamond layer.例文帳に追加

電子放出素子は、導電性基板と、前記導電性基板上に形成された第１導電型の第１のダイヤモンド層と、前記第１のダイヤモンド層上に形成された第１導電型の第２のダイヤモンド層とを具備する。 - 特許庁

To provide an n-type diamond semiconductor having low resistant n-type electric conductivity and an electric conductivity converting method of the diamond semiconductor which can easily obtain the diamond semiconductor having required electric conductivity.例文帳に追加

低抵抗のｎ型電気伝導性を有するｎ型ダイヤモンド半導体および容易に必要な電気伝導性を有するダイヤモンド半導体を得ることのできる、ダイヤモンド半導体の電気伝導性変換方法を提供する。 - 特許庁

In an electric field emission type cold cathode, an electron emission part is made from a crystal diamond and a fine crystal diamond by a CVD method.例文帳に追加

電界放出型冷陰極において電子放出部となる部分を、ＣＶＤ法にて結晶ダイヤモンドと微結晶ダイヤモンドで構成する。 - 特許庁

To provide a method for synthesizing a diamond free from defects, especially a diamond having surely improved n-type semiconductor characteristics by a CVD process.例文帳に追加

ＣＶＤ法による欠陥のないダイヤモンド、とりわけ、ｎ型半導体特性の確実に向上したダイヤモンドの合成方法を提供する。 - 特許庁

Electron affinity on a surface 3a of an n-type diamond layer 3 is reduced in this electron emission element 1 because a work function of n-type diamond is small as compared with, for instance, silicon.例文帳に追加

電子放出素子１では、例えばシリコンに比べｎ型ダイヤモンドの仕事関数は小さいため、ｎ型ダイヤモンド層３の表面３ａにおける電子親和力は小さくなっている。 - 特許庁

The diamond field effect transistor has a P-type nitride layer containing at least one of Al, Ga, B and In on P-type diamond, and also includes: a source electrode and a drain electrode coming in electric ohmic contact with a heterojunction between the P-type diamond and P-type nitride layer; and a gate electrode on the P-type nitride layer between the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

Ｐ型ダイヤモンド上に、少なくともＡｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｉｎの１つを含むＰ型窒化物層を有し、Ｐ型ダイヤモンドとＰ型窒化物層との間のヘテロ接合に電気的にオーミック接触するソース電極およびドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間のＰ型窒化物層上にゲート電極を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a p-type surface conductive layer on a (111) homoepitaxial diamond thin film.例文帳に追加

(111)ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜上におけるｐ型表面伝導層の製造方法を提供する。 - 特許庁