「cell voltage」に関連した英語例文の一覧と使い方(84ページ目) - Weblio英語例文検索

To enhance breakdown voltage and avalanche resistance by preventing concentration of avalanche current to a corner of the channel region of cell structure of an FET having a square second conductivity channel region in the surface layer of a first conductivity semiconductor substrate, a heavily doped well region in the central part thereof, a first conductivity source region in the surface layer, and an MOS structure on the surface.例文帳に追加

第一導電型の半導体基板の表面層に、方形の第二導電型チャネル領域、その中央部に高不純物濃度のウェル領域、表面層に第一導電型ソース領域、さらに表面上のＭＯＳ構造を備えたＦＥＴのセル構造のチャネル領域の角部へのアバランシェ電流の集中を防ぎ、耐圧、アバランシェ耐量を向上させる。 - 特許庁

Each pixel cell of the plasma display panel has a phosphor layer containing a phosphor material and a secondary electron emitting material, and further the pulse voltage value and/or the pulse width of a drive pulse applied to each of a row electrode pair and a column electrode pair of the plasma display panel is adjusted according to the temperature of the plasma display panel and its ambient temperature.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの各画素セルには蛍光体材料及び二次電子放出材料を含む蛍光体層が形成されており、更に、プラズマディスプレイパネルの行電極対の各々及び列電極の各々に印加される駆動パルスのパルス電圧値、及び／又はパルス幅が、プラズマディスプレイパネルの温度、又はプラズマディスプレイパネル周囲の温度に応じて調整される。 - 特許庁

The control device 13 detects a flow rate of the fuel gas from a current obtained from the fuel cell output and the flow rate of the material fuel 30 obtained from the flowmeter 20 and adjusts the voltage of a steam reforming water supply pump 8 so as to set a dew point at a certain value defined by the fuel gas flow rate to control the flow rate of steam reforming water 32.例文帳に追加

制御装置１３は燃料電池出力より得られた電流と流量計２０により得られた原燃料３０の流量とから燃料ガス流量を検出し、燃料ガス流量によって定めた一定の露点となるように水蒸気改質用水供給ポンプ８の電圧を増減させて、水蒸気改質用水３２の流量を制御する。 - 特許庁

To discharge an action potential from neurocyte by flipping (changing a direction of) a charged particle (proton) in a cerebral nerve cell by an RF wave (electromagnetic wave) to generate a voltage and a current with a magnetic field generated by motion of the charged particle in the neurocyte, paying attention to that the charged particle placed in an electrostatic magnetic field behaves as a small precessing magnet.例文帳に追加

静磁場に置かれた荷電粒子が歳差運動する小さな磁石のように振る舞うことに注目し、脳神経細胞にある荷電粒子（プロトン）をＲＦ波（電磁波）でフリップ（向きを変えること）することで、神経細胞内の荷電粒子の運動が発生する磁場により電圧と電流を生じさせ、それにより神経細胞から活動電位を放出させる。 - 特許庁

The storage part 3 is provided with: storage circuits 4-7 each including a one-time PROM cell array; a selection circuit 8 for selecting one of storage circuit from among the storage circuits 4-7 corresponding to selection signals inputted from the outside and outputting an operation instruction signal instructing to perform an operation to the selected storage circuit; a control circuit 9; and a high voltage circuit 10.例文帳に追加

記憶部３は、ワンタイムＰＲＯＭセルアレイを各々が含む記憶回路４〜７と、外部から入力される選択信号に応じて、記憶回路４〜７の中から１個の記憶回路を選択し、選択された記憶回路に対して動作するように指示する動作指示信号を出力する選択回路８と、制御回路９と、高電圧回路１０とを具備する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a catalyst mixture carrying a very small quantity of metal capable of avoiding oxidation of carbon surface by increasing an area covered by cation exchange resin on a surface of the carbon, and restrain lowering of cell voltage generated when an FPFC is continuously operated by using the catalyst mixture carrying very small quantity of metal obtained by the above method.例文帳に追加

カーボン表面の陽イオン交換樹脂の被覆面積を増大させて、カーボンの表面酸化を回避することが可能な、超少量金属担持触媒混合体の製造方法を提供し、さらに、この製造方法で得られ超少量金属担持触媒混合体を含む電極をＰＥＦＣに用いることにより、ＰＥＦＣを連続運転した場合のセル電圧の低下を抑制する。 - 特許庁

The nonvolatile memory cell is built by using a variable resistance element which is composed of a variable resistance layer 11 changing its resistance by the applied voltage and a first electrode 104 and a second electrode 102 sandwiching the variable resistance layer 11; and a capacitor 12 which has an insulator layer 105 between the first electrode 104 or the second electrode 102 and the third electrode 106.例文帳に追加

印加される電圧パルスに従って抵抗値が変化する抵抗変化層１１と、抵抗変化層１１を挟む第１の電極１０４および第２の電極１０２と、を備える抵抗変化型素子と、第１の電極１０４または第２の電極１０２が第３の電極１０６の間に絶縁膜１０５を備えるキャパシタ１２から形成される不揮発性メモリセルである。 - 特許庁

The manufacturing method of the electrode for a lithium secondary cell is provided with a process forming a positive electrode active material layer including Li-Co-O layer on a collector 8 under an atmosphere including an Ar element being cation, using a sputtering method in a condition of a voltage impressed on the collector 8 using an RF power source 7 so that a potential of the collector 8 is to be practically negative.例文帳に追加

このリチウム二次電池用電極の製造方法は、集電体８の電位が実質的に負電位になるように、ＲＦ電源７を用いて集電体８に電圧を印加した状態で、スパッタリング法を用いて、正イオンになるＡｒ元素を含む雰囲気下で、集電体８上に、Ｌｉ−Ｃｏ−Ｏ層を含む正極活物質層を形成する工程を備える。 - 特許庁

To provide an IC card loaded with a display function wherein it is not needed to incorporate a cell necessary for continuation of display therein and to control high voltage for control by building a film liquid crystal display medium on the IC card, making it possible to display dynamic information by control from the loaded IC and providing a means for easily cancelling display while securing continuity of display.例文帳に追加

ＩＣカード上にフィルム液晶表示媒体を内蔵させ、搭載ＩＣからの制御による動的な情報の表示を可能し、表示の持続性を確保しつつ容易に表示の解除を行う手段を設けることで、表示の持続に必要な電池の内蔵や制御のための高い電圧の制御を必要としない表示機能搭載ＩＣカードを提供すること。 - 特許庁

The charger is configured so that one of at least two determination potentials is selected in accordance with a selection signal determined according to a chargeable voltage of a secondary cell, the selected determination potential is compared with a comparison potential based on a potential on the downstream side of a backflow prevention section, and when a fully charged state is detected, supply of a charging current into the backflow prevention section is shut down.例文帳に追加

二次電池の充電可能電圧に応じて決定される選択信号に応じて少なくとも２つの判定電位のうちの１つを選択して当該選択した判定電位と逆流防止部の下流の電位に基づく比較電位とを比較して満充電状態を検出たときに当該逆流防止部への充電電流の供給を遮断する充電装置。 - 特許庁

An ECU 17 of a control system for vehicle is constituted, by providing a cooperative control ECU 21, plural subsystems to form a client device mutually connected with the cooperative control ECU 21 via a network 51, namely, a motor control ECU 22, a reaction gas supply control ECU 23, a power distribution control ECU 24 and a cell voltage detection control ECU 25.例文帳に追加

車両用制御システム１０のＥＣＵ１７を、サーバ装置をなす協調制御ＥＣＵ２１と、この協調制御ＥＣＵ２１とネットワーク５１を介して相互に接続されたクライアント装置をなす複数のサブシステム、つまりモータ制御ＥＣＵ２２と、反応ガス供給制御ＥＣＵ２３と、配電制御ＥＣＵ２４と、セル電圧検出制御ＥＣＵ２５とを備えて構成した。 - 特許庁

The time required by the drive to respond to the change to the desired current produced as a function of the position of the accelerator pedal is kept as small as possible by producing a current convertible into a desired torque which is held continuously at a value sufficient to ensure that the output voltage of the fuel cell is not lower than the critical value.例文帳に追加

１つまたは複数の駆動装置が、加速ペダルの位置の関数として生成された所望電流値の変化に応答するのに要する時間は、燃料電池の出力電圧が臨界値を下回らないことを保証するに足る値に連続的に保持される所望のトルク値に変換可能な電流値を生成することにより、可能な限り短く保たれる。 - 特許庁

By allowing the inhibitor for inhibiting the measurement of the angle of rotation of the substance to be measured, the sample is allowed to be spaced apart from a light path by applying voltage to the sample cell the angle of rotation of the sample is measured.例文帳に追加

内部に複数の電極を有する試料セルと、試料セルに光線を透過させ、水溶液である試料の旋光度を測定する光学系手段とを有し、試料セルに電圧を印加することにより、試料中における測定対象物質の旋光度測定を妨げる妨害物質を光線の光路から離間させることにより、試料の旋光度を測定することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a polymer membrane electrode assembly which is hard to deteriorate even in a long-term continuous operation, and in which a high battery voltage is held stably and, further, to provide a polyelectrolyte type fuel cell which can demonstrate high output characteristic, stability and reliability in a primitive property and prolonged continuous operation and which can be equal also to further prolonged using.例文帳に追加

長期の連続運転においても、劣化し難く、高い電池電圧が安定的に保持される高分子膜電極接合体を提供し、さらに、初期特性および長時間の連続運転において、高い出力特性、安定性、信頼性を発揮することができ、さらに長期間の使用にも耐えることができる高分子電解質型燃料電池を提供する。 - 特許庁

A perimeter breakdown voltage section 20 includes a perimeter surge relaxation region 21 provided at the perimeter of a cell section 10, a perimeter well region 22 provided at the perimeter of the region 21, and dummy trench structures 45 to 47 that each include a dummy gate electrode 47 and are provided in the region 21 and region 22, respectively, and are the same structures as in a trench gate structure.例文帳に追加

外周耐圧部２０は、セル部１０の外周に設けられた外周サージ緩和領域２１と、外周サージ緩和領域２１の外周に設けられた外周ウェル領域２２と、ダミーゲート電極４７を含んでおり外周サージ緩和領域２１および外周ウェル領域２２にそれぞれ設けられると共に、トレンチゲート構造と同じ構造のダミートレンチ構造４５〜４７とを備えている。 - 特許庁

The sensor current flowing through the sensor current detecting resistor Rm provided to a sensor current detection circuit 6, is detected in the monitor cell 2C of the gas concentration detector 1, while a change in the current flowing through the impedance measuring resistor Ri provided to the sensor current detection circuit 6 at the time of sweeping of voltage, is detected by an impedance measuring circuit 7 to measure an element impedance.例文帳に追加

ガス濃度検出装置１のモニタセル２Ｃにおいては、センサ電流検出回路６に設けたセンサ電流検出用抵抗Ｒｍに流れるセンサ電流を検出する一方、インピーダンス測定回路７により、電圧掃引時に、センサ電流検出回路６に設けたインピーダンス測定用抵抗Ｒｉに流れる電流変化を検出して、素子インピーダンスの測定を行う。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device is equipped with: first and second cells having an identical layout structure; a constant first power wiring which is disposed to a power layer and is fed with a first power voltage constantly; a provisional first power wiring disposed to the power layer; and a switch cell switching conduction and non-conduction between the constant first power wiring and the provisional first power wiring.例文帳に追加

半導体集積回路装置は、同一のレイアウト構造を有する、第１セル及び第２セルと、電源層に配置され、第１電源電圧が常時印加される、常時第１電源配線と、前記電源層に配置された、一時的第１電源配線と、前記常時第１電源配線と前記一時的第１電源配線との間の導通及び非導通を切り替える、スイッチセルとを具備する。 - 特許庁

In the flash memory, writing is done to each memory cell MC to be written out of a plurality of memory cells MC corresponding to a selected word line WL, verifying is done by using a low word line voltage V_VR than usual, and additional writing is done to all the memory cells MC corresponding to the selected word line WL under the condition that a charge injection rate is lower than usual.例文帳に追加

このフラッシュメモリでは、選択ワード線ＷＬに対応する複数のメモリセルＭＣのうちの書込対象の各メモリセルＭＣに書込を行なうとともに通常よりも低いワード線電圧Ｖ_ＶＲを用いてベリファイを行ない、書込が終了した後に、選択ワード線ＷＬに対応する全メモリセルＭＣに通常よりも電荷注入量が少ない条件で追加書込を行なう。 - 特許庁

Write data externally given is latched to data latch circuits DLL, DLR, it is discriminated that latched write data corresponds to which threshold of multi-level values for every write operation of plural stages, write control information being a discriminated result is latched to a sense latch circuit SL, write operation for setting threshold voltage of a multi-level to a memory cell is performed step up step.例文帳に追加

外部から与えられる書込みデータをデータラッチ回路（ＤＬＬ，ＤＬＲ）にラッチし、ラッチした書込みデータが多値のどの閾値に対応するかを複数段階の書込み動作毎に判定してその判定結果である書込み制御情報をセンスラッチ回路（ＳＬ）にラッチさせ、ラッチされた書込み制御情報に従って、多値の閾値電圧をメモリセルに設定するための書込み動作を段階的に行なう。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a sensing unit including first cross-coupled MOS transistors to sense and amplify difference between voltage applied to a first node and that to a second node, and a unit cell latching data by using second cross-coupled MOS transistor and providing a first signal and a second signal corresponding to the latched data to the first node and the second node.例文帳に追加

本発明の半導体メモリ装置は、第１のクロスカップルされたＭＯＳトランジスタを備え、第１のノード及び第２のノードに印加される電圧の差を検出して増幅するセンシング部と、第２のクロスカップルされたＭＯＳトランジスタを用いてデータをラッチし、ラッチされたデータに対応する第１の信号及び第２の信号を前記第１のノード及び第２のノードに提供する単位セルとを備える。 - 特許庁

A copper electrowinning apparatus 200 employs the ferrous/ferric anode reaction at a total cell voltage of less than about 1.5 V and at current densities of greater than about 26 A per ft^2 (about 280 A/m^2) by using a flow-through anode 23, enables the efficient and cost-effective operation and reduces acid mist generation.例文帳に追加

第一鉄／第二鉄アノード反応を使用する銅の電解採取のための装置２００において、通り抜け式アノード２３を使用することにより、約１．５Ｖ未満の全セル電位および１平方フィートあたり約２６Ａ（約２８０Ａ／ｍ^２）より大きい電流密度での第一鉄／第二鉄アノード反応を採用する銅の電解採取システムの効率的かつ費用効果性の高い操作を可能にし、酸ミストの発生を低減する。 - 特許庁

In a head sub-field SF1, a voltage LP using row electrodes Y1-Yn as an anode side and using column electrodes D as a cathode side is applied across both side electrodes immediately after an addressing process, and thereby a micro light-emitting process LL which makes micro light-emitting discharge occur between the row electrodes Y1-Yn and column electrodes D in a display cell in the lighting mode is performed.例文帳に追加

先頭のサブフィールドＳＦ１では、アドレス行程の直後に、一方の行電極Ｙ１〜Ｙｎを陽極側とし且つ列電極Ｄを陰極側とした電圧ＬＰを両電極間に印加することにより、点灯モードの状態にある表示セル内の一方の行電極Ｙ１〜Ｙｎ及び列電極Ｄ間で微小発光放電を生起させる微小発光行程ＬＬを実行する。 - 特許庁

A detection circuit 40 uses the characteristic of a solar cell module 50 to detect an input voltage and an input current input into an input part of a power converter 20.例文帳に追加

検出回路４０により、太陽電池モジュール５０の特性を利用して、電力変換部２０の入力部に入力される入力電圧及び入力電流を検出し、検出した入力電圧Ｖｉｎが閾値電圧ＡＬＭ＿Ｖよりも小さく、且つ入力電流Ｉｉｎが閾値電流ＡＬＭ＿Ｉよりも大きい場合には、入力部が短絡していると判定しているので、短絡故障を簡単且つ的確に検出できる。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes: a plurality of first wiring and second wiring intersecting each other; a memory cell array including the plurality of memory cells connected to each intersection part of the plurality of first wiring and second wiring; and a first wiring control circuit and second wiring control circuit for respectively selecting the first wiring and second wiring to supply voltage and current required for a reset operation or set operation of the memory cells.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、互いに交差する複数の第１配線及び第２配線、これら複数の第１配線及び第２配線の各交差部に接続された複数のメモリセルからなるメモリセルアレイと、前記第１配線及び第２配線をそれぞれ選択し、前記メモリセルのリセット動作又はセット動作に必要な電圧又は電流を供給する第１配線制御回路及び第２配線制御回路とを備える。 - 特許庁

After intensity information on each pixel in a video frame, a field, a frame or a part of field is stored in the input capacitor 306 of a suitable micro mirror cell, a frame signal is applied to an input 308, then a charge is transferred between the capacitors 306, 310, a transistor 314 is turned on, a voltage is applied to the input 316, thereby charged a capacitor 318.例文帳に追加

ビデオ・フレーム又はフィールド或いはフレーム又はフィールドの一部分にある各々の画素に対する強度情報が適切なマイクロミラー・セルの入力キャパシタ３０６に記憶された後、フレーム信号が入力３０８に印加されて、キャパシタ３０６及び３１０の間で電荷の転送が出来るようにすると共に、トランジスタ３１４をターンオンし、入力３１６に電圧を印加して、キャパシタ３１８を充電することが出来るようにする。 - 特許庁

A discharge stability is improved by setting an amplitude Vg of a scanning waveform to be applied to scanning electrides SCNk for the writing period larger than an amplitude Vb of a data waveform to be applied to prescribed data electrodes Dj corresponding to discharge cell to display, and thus keeping a wall voltage on the surfaces of the scanning electrodes SCNk until the time the scanning electrodes SCNk actually generate writing discharge, and securing normal writing operation.例文帳に追加

書き込み期間において、走査電極ＳＣＮ_kに印加される走査波形の振幅Ｖｇを、表示すべき放電セルに対応する所定のデータ電極Ｄ_jに印加されるデータ波形の振幅Ｖｂより大きく設定することにより、走査電極ＳＣＮ_kが実際に書き込み放電を起こす時点まで走査電極ＳＣＮ_k表面の壁電圧を適切な電位に保ち、正常な書き込み動作を確保することで、放電安定度を改善する。 - 特許庁