「cell block method」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

MEMORY CELL, STORAGE CIRCUIT BLOCK, AND METHOD FOR WRITING DATA例文帳に追加

メモリセル、記憶回路ブロック及びデータの書き込み方法 - 特許庁

BLOCK-SHAPED SUPPORT BODY FOR CELL TECHNOLOGY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ブロック状細胞工学用支持体及びその製造方法 - 特許庁

MEMORY CELL, STORAGE CIRCUIT BLOCK, DATA WRITE METHOD AND DATA READ METHOD例文帳に追加

メモリセル、記憶回路ブロック、データの書き込み方法及びデータの読み出し方法 - 特許庁

MEMORY CELL, STORAGE CIRCUIT BLOCK, DATA WRITE-IN METHOD, AND DATA READ-OUT METHOD例文帳に追加

メモリセル、記憶回路ブロック、データの書き込み方法及びデータの読み出し方法 - 特許庁

MEMORY CELL PROGRAMMING METHOD FOR SIMULTANEOUSLY PROGRAMMING MANY MEMORY BLOCK GROUPS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

多数のメモリブロックグループを同時にプログラミングするメモリセルプログラミング方法及び半導体装置 - 特許庁

To provide a memory cell programming method for simultaneously programming many memory block groups, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

多数のメモリブロックグループを同時にプログラミングするメモリセルプログラミング方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR INSERTING INPUT/OUTPUT BUFFER CELL IN BLOCK IN DESIGNING HIERARCHY OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

半導体集積回路の階層設計におけるブロック内入出力バッファセル挿入方法及び装置 - 特許庁

The apparatus 10 produces a cell block with concentrated cells that is embedded near the flat surface of a block to be cut off by a rapid and an effective method.例文帳に追加

装置１０は、切断されるブロックの平面の近くに集中された細胞を有する包埋された細胞ブロックを迅速かつ効果的な方法で作る。 - 特許庁

MULTIPLE BLOCK COPOLYMER, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, POLYMER ELECTROLYTE MEMBRANE PRODUCED FROM THE MULTIPLE BLOCK COPOLYMER, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND FUEL CELL CONTAINING THE POLYMER ELECTROLYTE MEMBRANE例文帳に追加

多重ブロック共重合体、その製造方法、多重ブロック共重合体から製造された高分子電解質膜、その製造方法及び高分子電解質膜を含む燃料電池 - 特許庁

FLASH MEMORY DEVICE HAVING FUNCTION FOR CHANGING SELECTIVELY SIZE OF MEMORY CELL BLOCK IN ERASING OPERATION, AND ITS ERASING METHOD例文帳に追加

消去動作時にメモリセルブロックのサイズを選択的に変更する機能を有するフラッシュメモリ装置及びその消去方法 - 特許庁

To provide a design method of a block cell which is suitable to reduce the skew of clock signals without an increase of a circuit in a semiconductor integrated circuit where block cells coexist.例文帳に追加

ブロックセルが混在する半導体集積回路において、回路の増加を伴わずにクロック信号のスキューを低減するのに好適なブロックセルの設計方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for connecting the electrolytic cell conductors by which the variation in current distribution in an electrolytic cell is eliminated in the terminal electrolytic cell at the furthest end of the electrolytic cell block, and consequently, the variation in the weight of electrolytic copper is eliminated.例文帳に追加

電解槽ブロックの一番端にある端末電解槽において電解槽内の電流分布のばらつきをなくし、従って、電気銅重量のばらつきをなくすことのできる電解槽導体の接続方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory element and an erasing method of a flash memory cell using the same which allow the erasing of a cell block unit and a page unit to be performed.例文帳に追加

セルブロック単位の消去及びページ単位の消去を行うことが可能なフラッシュメモリ素子及びこれを用いたフラッシュメモリセルの消去方法を提供する。 - 特許庁

To disclose a method and an apparatus for inspecting leakage current characteristics of a dielectric film formed on a selected cell block in a cell array region of a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体基板のセルアレイ領域内で選択されたセルブロック上に形成された誘電膜の漏洩電流特性を検査するための方法及び装置が開示される。 - 特許庁

After determining the layout of the input/output cell 100, the layout between layout regions 103 is performed by a building block layout method.例文帳に追加

そして、入出力セル１００の配置が決まった後、配置領域１０３間をビルディングブロックレイアウト方式にてレイアウトする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device which reduces defects in inter-cell insulation film to divide the block insulation film of a cell part without lowering the dielectric constant of the block insulation film of a cell part, thereby restraining electric charge retention characteristics from deteriorating, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

セル部のブロック絶縁膜の誘電率を低下させることなく、セル部のブロック絶縁膜を分断するセル間における絶縁膜中の欠陥を低減し、電荷保持特性の劣化を抑制する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device for preventing deterioration of capacitor characteristics at a terminal end of a memory cell block, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

メモリセルブロック終端部でのキャパシタ特性の劣化を防止する半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method is provided with a step in which the prescribed voltage level is applied to a first word line connected to a first resistive memory cell block.例文帳に追加

この方法は第１抵抗型メモリセルブロックに接続された第１ワードラインに所定の電圧レベルを印加する段階を備える。 - 特許庁

To provide a multiple block copolymer, a method for producing the same, a polymer electrolyte membrane produced from the multiple block copolymer, method for producing the same and a fuel cell equipped with the polymer electrolyte membrane.例文帳に追加

多重ブロック共重合体、その製造方法、前記多重ブロック共重合体から製造された高分子電解質膜、その製造方法及び前記高分子電解質膜を備える燃料電池を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a honeycomb formed body by which the cell block of the honeycomb formed body is formed finely and in a large number of pieces, and the size and the number of the cell block and the shape and the size of the honeycomb formed body are freely adjustable.例文帳に追加

ハニカム成形体の小室区画を微小かつ多数個形成可能であるとともに、その小室区画の大きさや個数、及びハニカム成形体の形状や大きさを自在に調整可能であるハニカム成形体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A method for designing a semiconductor memory device includes a first step of designing a first semiconductor memory device including a first number of cell array blocks, and a second step of designing a second semiconductor memory device including a second number of cell array blocks smaller than the first number by reducing a predetermined number of cell array block of the first number of the cell array block.例文帳に追加

半導体記憶装置の設計方法は、第１の数のセルアレイブロックを含む第１の半導体記憶装置を設計する第１の段階と、第１の数のセルアレイブロックのうちの所定数のセルアレイブロックを削除することで第１の数より少ない第２の数のセルアレイブロックを含む第２の半導体記憶装置を設計する第２の段階を含む。 - 特許庁

The program method of the nonvolatile memory device includes: a stage 510 for performing the program operation on a selected memory cell block; a stage 520 for discharging an electric charge which is charged to the channel of memory cell strings contained in unselected memory cell blocks; and a stage 530 for performing a verify operation on the selected memory cell block.例文帳に追加

不揮発性メモリ装置のプログラム方法は、選択されたメモリセルブロックに対してプログラム動作を行う段階５１０と、非選択のメモリセルブロックに含まれたメモリセルストリングのチャネルに充電された電荷を放電させる段階５２０と、前記選択されたメモリセルブロックに対して検証動作を行う段階５３０を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a memory cell capable of reducing a writing current, to provide a storage circuit block, and to provide a method for writing data.例文帳に追加

本発明は、書き込み電流を減少させることが可能なメモリセル、記憶回路ブロック及びデータの書き込み方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide an architecture capable of avoiding an error by previously carrying out a predictive diagnosis of a defective memory cell having a small margin in an SRAM block with an acceleration test, and to provide a defective memory cell predictive diagnosis method.例文帳に追加

ＳＲＡＭブロック内のマージンの小さい不良メモリセルを加速試験によって事前に予知診断を行い、エラーを回避できるアーキテクチャーおよび不良メモリセル予知診断方法を提供する。 - 特許庁

To provide a test method and device that can confirm which of segmentation/reassembly functions of an ATM adaptation layer AAL1-cell division assembly SAR function block has a fault.例文帳に追加

ＡＡＬ１−ＳＡＲ機能ブロックのセグメンテーション／リアセンブリ機能のどちらに障害が発生しているかを判別する試験方法及び装置を提供する。 - 特許庁

BLOCK COPOLYMER AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, POLYMER ELECTROLYTE, CATALYTIC COMPOSITION, POLYMER ELECTROLYTE MEMBRANE, MEMBRANE/ELECTRODE ASSEMBLY AND FUEL CELL例文帳に追加

ブロック共重合体及びその製造方法、高分子電解質、触媒組成物、高分子電解質膜、膜−電極接合体及び燃料電池 - 特許庁

To provide a method for cell reselection in a radio communication system, in which a parameter is transmitted through a network to a WTRU in the network by system information block.例文帳に追加

無線通信システムにおけるセル再選択の方法であって、パラメータは、システム情報ブロックで、ネットワークによって、ネットワーク上のＷＴＲＵに送信される。 - 特許庁

To provide a method of designing an electronic circuit apparatus, a method of forming electron beam exposure data, and a method of exposing electronic beam, which control a total of the number of block preparation of a contact layer and a first metal wiring layer, in an especially frequently used cell within the maximum number to be mounted on a block mask to shrink the shot number.例文帳に追加

電子回路装置設計方法、電子ビーム露光データ作成方法、及び、電子ビーム露光方法に関し、特に多く使用されるセルのコンタクト層と第１メタル配線層のブロック作成数の合計を、ブロックマスクに搭載できる最大の個数以内に抑えて、ショット数を圧縮する。 - 特許庁

Therefor, the method can accurately grasp a relationship between the power switch cell in an actual circuit and the circuit that must be shutdown by grasping a relationship between the virtual power switch cell described in an RTL data and the hierarchy block belonging to a same hierarchy for the virtual power switch cell.例文帳に追加

そのため、ＲＴＬデータの記述における仮想電源スイッチセルと同一階層の階層ブロックとの関係を把握することにより、実際の回路における電源スイッチセルとその電源遮断対象の回路との関係を明確に把握することができる。 - 特許庁

To provide a NAND flash memory device and a method of programming the same which are capable of rising a boosting level of a channel by isolating each source line of a flash memory cell block and controlling the each source line per block.例文帳に追加

フラッシュメモリセルブロックそれぞれのソースラインを分離し、それぞれのソースラインをブロック単位で制御することにより、チャンネルのブーストレベルを上昇させることが可能なＮＡＮＤフラッシュメモリ素子及びそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device and its control method which enable realization of approval or rejection control in access operation for each block of a memory cell array with compact circuitry.例文帳に追加

メモリセルアレイのブロック毎にアクセス動作の許否制御をコンパクトな回路構成で実現することができる半導体記憶装置及びその制御方法を提供すること - 特許庁

To provide a method for erasing a flash memory device, which can improve a margin for sensing of a program cell of a selected memory block.例文帳に追加

本発明は、選択メモリブロックのプログラムセルのセンシングマージンを改善することができる揮発性メモリ素子の消去方法を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which only sub word line in a selected memory cell array partial block can be selected, and to provide a word line selecting method.例文帳に追加

選択されたメモリセルアレー部分ブロック内のサブワードラインのみを選択することができる半導体メモリ装置の提供並びにワードライン選択方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for accessing memory which does not need memory cell separately to record a use state of a memory block, in order to solve various problems caused by prior art.例文帳に追加

従来の技術による諸問題を解決するため、メモリーブロックの使用状態を記録するために別途にメモリーセルを必要としないメモリーのアクセス方法を提供する。 - 特許庁

To provide a base station, a mobile communication system, and an interference suppression method which can suppress interference from a large cell with higher transmission power to a small cell with lower transmission power and reduce frequency block division loss.例文帳に追加

送信電力の大きい大セルから送信電力の小さい小セルへの干渉を抑圧することができ、周波数ブロックの分割損が少ない基地局、移動通信システム及び干渉抑圧方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a NAND flash memory element capable of preventing a delete disturbance by separating the well of a region on which a NAND flash memory cell is to be formed and distributingly forming the well on its upper part by each block so as to reduce a stress time m applied to each cell block, and to provide a well forming method thereof.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリセルが形成されるべき領域のウェルを分離してその上部にブロック別に分散して形成させることにより、セルブロックに対するストレスタイムｍを減少させて消去デスターバンスを防止することが可能なＮＡＮＤフラッシュメモリ素子及びそのウェル形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an automatic wiring method for a semiconductor integrated circuit device by which wires on a block or a cell can be wired again at a low cost to shorten a design time.例文帳に追加

ブロックあるいはセルの上にある配線を低コストで再配線することができ、設計時間を短縮できる半導体集積回路装置の自動配線方法を提供する。 - 特許庁

To realize a manufacturing method a contact which can block the occurrence of residue at a swelling phenomenon section caused by an interval between gate electrodes different in phases between a cell array region and a peripheral circuit region.例文帳に追加

セルアレイ領域と周辺回路領域間で相異するゲート電極間隔に起因する膨出現象部分の残留物発生を阻止できるようなコンタクト製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a basic cell that can improve the degree of freedom of wiring at the time of laying out a functional circuit block or a semiconductor integrated circuit device by utilizing the cell, and to provide a semiconductor integrated circuit device and a method and device for wiring.例文帳に追加

基本セルを利用して機能回路ブロックあるいは半導体集積回路装置をレイアウトする際、配線の自由度を向上させることのできる基本セル、半導体集積回路装置、配線方法、及び配線装置をを提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device, in which the increasing of chip size can be prevented and an arranging method for the device by preventing the increment of the number of column selection signal lines arranged between memory cell array blocks, even if the capacity of a memory cell array block is increased.例文帳に追加

メモリセルアレーブロックの容量が増加してもメモリセルアレーブロック間に配置されるコラム選択信号ラインの数が増加しないようにすることによりチップサイズの増加を防止できる半導体メモリ装置並びに装置の配置方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fuel cell stack in which an exchanging work can easily be done by opening a tightening pressure only on a cell block the part of which includes failed cells without releasing the tightening pressure on an entire unit cells, and also to provide an exchanging method of such unit cells.例文帳に追加

全ての単セルの締め付け圧を開放することなく、一部の不良セルが含まれるセルブロックのみ締め付け圧を開放して交換するための作業が容易に行えるような燃料電池スタックおよびその単セル交換方法を提供する。 - 特許庁

Further, in the cell terminal manufacturing method, at least one terminal is formed in a block, and in forming cell terminals in the outer package can by connecting the terminals to the outer package can of the box-like cell, a cap body of the outer package can and the terminals are jointed, then, a lead plate housed in the outer package can and the cap body are jointed.例文帳に追加

また、セル端子製造方法は、少なくとも１つの端子をブロックで形成し、形成した端子を箱状セルの外装缶に接続して外装缶にセル端子を形成するにあたり、外装缶のキャップ体と端子とを接合し、その後に外装缶の内部に収納されるリード板とキャップ体とを接合する。 - 特許庁

After that, the CVD method is used to form a deposition film 18 in the memory cell region Rmc and select gate region Rsg, remove the deposition film 18 from the memory cell region Rmc, form a block insulating film 16 on the charge film and deposition film 18, and form a word electrode WL and a select gate electrode SG on the block insulating film 16.例文帳に追加

次に、メモリセル領域Ｒｍｃ及びセレクトゲート領域ＲｓｇにＣＶＤ法により堆積膜１８を形成し、メモリセル領域Ｒｍｃから堆積膜１８を除去し、チャージ膜上及び堆積膜１８上にブロック絶縁膜１６を形成し、ブロック絶縁膜１６上にワード電極ＷＬ及びセレクトゲート電極ＳＧを形成する。 - 特許庁

To provide a method of operating a CAM block, in which deterioration of an electric property of a CAM cell by high voltage can be prevented by utilizing pass voltage of low voltage during read operation of a CAM block, also increment of instantaneous power consumption can be prevented during chip operation.例文帳に追加

ＣＡＭブロックの読出動作の時低電圧のパス電圧を利用することで、高電圧によるＣＡＭセルの電気的特性劣化を防止することができ、かつチップ動作の時、瞬間的な電力消耗の増加を防止することができるＣＡＭブロックの動作方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory cell, a storage circuit block, a data write method and data read method in which production yield is high, cost is low, reliability is high, and the chip area can be reduced by reducing the number of metal wiring layers.例文帳に追加

本発明の目的は、金属配線層の数を減らし、製造歩留まりが高く、コストが安く、信頼性が高く、チップ面積の縮小を可能とするメモリセル、記憶回路ブロック、データの書き込み方法及びデータの読み出し方法を提供することにある。 - 特許庁