「beam current density」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In a TEM, a thin specimen is illuminated with an electron beam of uniform current density. 例文帳に追加

TEMでは、薄い試料が均一な電流密度の電子ビームで照らされる。 - 科学技術論文動詞集

In the calculation step, a beam current density, which is the beam current per unit area, is calculated based on the beam shape and the beam current detected in the detection step.例文帳に追加

算出工程では、前記検出工程によって検出された前記ビーム形状および前記ビーム電流に基づき、単位面積あたりの前記ビーム電流であるビーム電流密度を算出する。 - 特許庁

The current density section control grating is so constituted, as to generate an electron beam having nonuniform current density section from the electron gun.例文帳に追加

電流密度断面制御格子は、不均一な電流密度断面をもつ電子ビームが電子銃から発生するように構成される。 - 特許庁

To improve a deposition speed without increasing the current density of an ion beam.例文帳に追加

イオンビームの電流密度を上げることなく、成膜スピードの向上を可能とする。 - 特許庁

To provide an ion source that generates an ion beam having a large effective diameter with an ion beam current density of 10 mA/cm2 or more, an ion beam uniformity of ±3% or less and a reproducibility (change with the passage of time) of ion beam current density of ±1% or less.例文帳に追加

本発明は、イオンビーム電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^2 以上、イオンビームの均一性±３％以内、イオンビーム電流密度の再現性（経時変化）±１％以内で、有効径の大きいイオンビームを発生するイオン源を提供する。 - 特許庁

To provide an electron beam device capable of maintaining a constant angle current density of an emitter.例文帳に追加

エミッタの角電流密度を常に一定に保つことができる電子線装置を提供すること。 - 特許庁

To efficiently adjust a beam current density distribution of each ion beam in an ion-beam-superposed region on a glass substrate irradiated with a plurality of ion beams.例文帳に追加

ガラス基板上に照射された複数本のイオンビームによる重ね合わせ領域において、各イオンビームのビーム電流密度分布を効率的に調整する。 - 特許庁

In the adjustment step, the ion beam is adjusted based on the beam current density calculated in the calculation step.例文帳に追加

調整工程では、前記算出工程によって算出された前記ビーム電流密度に基づいて前記イオンビームを調整する。 - 特許庁

To provide an ion implantation device in which a uniformity of a beam current density distribution in a Y direction of the ion beam can be improved even if a plasma density distribution is not uniform in a plasma generator of an ion source.例文帳に追加

イオン源のプラズマ生成部内におけるプラズマ密度分布が均一でない場合でも、イオンビームのＹ方向におけるビーム電流密度分布の均一性を良くする。 - 特許庁

To practically ease deviation of an ion beam current density distribution due to the influence of a magnetic field for a filter.例文帳に追加

フィルタ用の磁界の影響によるイオンビーム電流密度分布の偏りを実質的に緩和する。 - 特許庁

To provide an electron beam source capable of emitting a large diameter electron beam with homogeneous current density, with a simple structure.例文帳に追加

均一な電流密度を有する大口径の電子ビームを放出することができる簡単な構造の電子ビーム源を提供する。 - 特許庁

To enhance uniformity of a beam current density distribution in the y-direction (longitudinal direction) of an ion beam without having an adverse influence to parallelism and the divergence angle of the ion beam.例文帳に追加

イオンビームの平行度や発散角に悪影響を与えることなく、イオンビームのｙ方向（長手方向）のビーム電流密度分布の均一性を向上させる。 - 特許庁

Furthermore, it is provided with a beam measuring instrument 46 measuring a beam current density distribution in the Y-direction of the ion beam 4, and a control device 50 controlling each flow regulator 36 based on the measured information and uniformalizing the beam current density distribution in the Y-direction of the ion beam 4 at an injection position.例文帳に追加

更に、イオンビーム４のＹ方向におけるビーム電流密度分布を測定するビーム測定器４６と、それによる測定情報に基づいて各流量調節器３６を制御して、注入位置でのイオンビーム４のＹ方向におけるビーム電流密度分布を均一化する制御装置５０とを備えている。 - 特許庁

To provide a charged particle beam drawing device and a charged particle beam drawing method which can automatically adjust the current density distribution during drawing.例文帳に追加

描画中の電流密度分布の自動調整が可能な荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。 - 特許庁

The protection method has a step for predicting the current density on a detector before setting new beam parameters.例文帳に追加

本発明は、新たなビームパラメータの設定前に、検出器上での電流密度を予測する手順を有する。 - 特許庁

To provide an electron beam light source which can irradiate electrons having a uniform current density with respect to a wide area.例文帳に追加

広い面積に対して均一な電流密度で電子を照射できる電子線光源を提供すること。 - 特許庁

To provide a method capable of estimating the current density of an electron beam even during exposure transfer.例文帳に追加

露光転写を行っている途中でも、電子線の電流密度を推定することができる方法を提供する。 - 特許庁

NEGATIVE ION SOURCE FORMING NEGATIVE ION OF HIGH CURRENT DENSITY IN HIGH EFFICIENCY BY REDUCING GAS PRESSURE OF BEAM PASSAGE REGION例文帳に追加

ビーム通過領域のガス圧を低減し、高い電流密度の負イオンを高効率で生成する負イオン源 - 特許庁

To provide an ion beam having constantly uniform current density even at a short distance from an ion source.例文帳に追加

イオン源から近距離であっても、常に均一な電流密度を有するイオンビームを得ることができるようにする。 - 特許庁

Control means 16 indicated to correct an angle current density controls an optical system so that an optical condition of an electron beam device becomes a predetermined one for measuring the angle current density.例文帳に追加

角電流密度補正の指示を受けた制御手段１６は、装置の光学条件が角電流密度を測定するための所定の光学条件になるように光学系を制御する。 - 特許庁

To provide a charged particle beam apparatus such as an electron beam drawing apparatus or the like enabling improvement of a current density, and retaining uniformity of charged particle beams at the same time.例文帳に追加

荷電粒子ビームの一様性を保ちつつ電流密度の向上を図る電子線描画装置等の荷電粒子線装置を提供する。 - 特許庁

The current density of the ion beam 2 is favorably at most 65 μA/cm^2, and the magnetic material thin film can be irradiated with the ion beam during the deposition of the thin film.例文帳に追加

イオンビーム２の電流密度は、６５μＡ／ｃｍ^2以下であることが好ましく、磁性材料薄膜を成膜中にイオンビームを照射してもよい。 - 特許庁

The lens element 40 is set so that the current density distribution of the ion beam can be adjusted in a region near a focusing position 52 of the ion beam.例文帳に追加

レンズ要素４０は、イオンビームの収束位置５２の近傍の領域で、イオンビームの電流密度分布が調整されるようにレンズ要素４０が設けられている。 - 特許庁

To adjust a current density distribution of an ion implantation apparatus with precision by finely bending a part of a stripe type ion beam in a surface of the stripe type ion beam.例文帳に追加

イオン注入装置において、帯状イオンビームの一部分を帯状イオンビームの面内で小さく曲げて電流密度分布を精度よく調整する。 - 特許庁

To provide an ion implantation apparatus capable of improving uniformity of a beam current density distribution in the Y-direction of an ion beam in a ribbon shape at an injection position.例文帳に追加

注入位置でのリボン状イオンビームのＹ方向におけるビーム電流密度分布の均一性を高めることができるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

The electron beam energy is 1 keV or more and a current density per unit area is 1 pA/cm^2 or more.例文帳に追加

電子ビームのエネルギーは１ｋｅＶ以上、単位面積あたりの電流値は１ｐＡ／ｃｍ^2以上となっている。 - 特許庁

The corrections of the table can be rewritten, and the table can be rewritten, corresponding to a current density and the spread angle of the beam.例文帳に追加

テーブルの補正量は書き換え可能であり、電流密度、ビーム開き角等に応じて書き換えることができる。 - 特許庁

MEASURING METHOD OF CURRENT DENSITY DISTRIBUTION OF ION BEAM, ION INJECTION METHOD USING THE SAME AND ION INJECTION DEVICE例文帳に追加

イオンビームの電流密度分布測定方法及び同測定方法を用いたイオン注入方法及びイオン注入装置 - 特許庁

To improve the uniformity of an longitudinal direction (Y direction) ion beam current density distribution at an implantation position to a substrate.例文帳に追加

基板に対する注入位置での長手方向（Ｙ方向）のイオンビーム電流密度分布の均一性を向上させる。 - 特許庁

To provide an electron gun forming electron beams uniformly over a wide region and of high current density in a fixed beam diameter or variable beam diameters, an electron beam irradiating device applying the electron gun, corresponding to wide-region beam scanning, and corresponding to irradiation time throughputs, or an electron beam irradiating device with uniform beams on a treated object and with enhanced electron beam efficiency of high current density.例文帳に追加

広領域にわたって均一で、高電流密度の電子ビームをビーム径固定若しくは可変に形成する電子銃、その電子銃を適用し、広領域のビームスキャンに対応し，照射時間スループットに対応した電子線照射装置、或いは被処理物上ビームが均一で、高電流密度の電子線効率を高めた電子線照射装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electron beam apparatus which can improve the sharpness of the edge of a beam even when the current density is enhanced.例文帳に追加

本発明は電子線装置に関し、電流密度を高めた場合でも、ビームの縁の鮮明さを向上させることができる電子線装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a device capable of: corresponding to enlargement of a substrate; alleviating weight increase; and preventing increase of beam-line length and degradation of beam-current density.例文帳に追加

基板の大型化に対応することができ、かつ重量増大を軽減し、ビームライン長増大およびビーム電流密度低下を防止することができる装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for measuring a beam current of an electron-beam plotting apparatus capable of measuring the current density of an electron beam while carrying out the on-line operation.例文帳に追加

本発明は電子ビーム描画装置のビーム電流検出方法に関し、オンライン動作させながら、電子ビームの電流密度を測定することができるようにした電子ビーム描画装置のビーム電流測定方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide an adjusting method for a charged particle illumination optical system, in which an electric current density of illumination beam can stably be measured and an illumination beam adjusting, having a superior uniformity in an illumination beam surface can (uniform in illumination) be made.例文帳に追加

照明ビームの電流密度を安定に計測でき、照明ビーム面内均一性（照明一様性）に優れた照明ビーム調整が可能な荷電粒子線照明光学系の調整方法を提供する。 - 特許庁

To irradiate an ion beam having sufficiently uniform current density distribution against a semiconductor substrate even when energy reduction of the ion beam is advanced.例文帳に追加

イオンビームの低エネルギー化が進んだ場合においても、半導体基板に対して十分に均一な電流密度分布を有するイオンビームを照射することを主たる目的としている。 - 特許庁

Correction dose is determined to correct a deviation of dose between a first time point t1 at which a charged particle beam is regarded to get to a reference current density by a controlling unit configured to control the shot period of the particle beam drawing system, and a second time point t2 at which the charged particle beam really gets to the reference current density on a target substrate.例文帳に追加

粒子ビーム描画装置のショット期間を制御するように構成された制御ユニットが荷電粒子ビームが基準電流密度に到達したと見なす第１時点ｔ１と、前記荷電粒子ビームが実際にターゲット基板にて基準電流密度に到達する第２時点ｔ２との間の線量偏差を補正する補正線量が決定される。 - 特許庁

The region where the coil 5 is wound includes a first density winding region where the coil is wound with a first density and a second winding region where the coil is wound with a second density lower than the first density in a region avoiding a position where a beam current is maximum when the whole of the coil is wound with a uniform density.例文帳に追加

コイル５が巻かれている領域は、第１密度で巻かれた第１密度巻回領域と、コイルの全体が一定の密度で巻かれたときにビーム電流が最大となる位置を避ける領域において第１密度よりも小さい第２密度で巻かれた第２密度巻回領域とを含む。 - 特許庁

A ribbon beam 20 whose current density is proportional to the distance from the first pivot is formed with a collimator to irradiate the wafer to achieve uniform injection.例文帳に追加

電流密度を第１のピボットからの距離に比例させたリボンビーム２０をコリメータによって形成し、ウェハに照射することにより均一な注入を行なう。 - 特許庁

An Si membrane, having a fine aperture 11, is provided on a reticle stage 9, a current density of the beam which passes through the aperture 11 is measured by a current detector 19 provided on a wafer stage, by scanning the illumination beam on the fine aperture 11.例文帳に追加

レチクルステージ上９に微小開口１１を有するＳｉメンブレン１０を設置し、微小開口１１上で照明ビームを走査して開口１１を通過したビームの電流密度をウエハステージ上に設置した電流検出器１９で計測する。 - 特許庁

When continuously irradiating the electron beam to a moving grain-oriented electromagnetic steel sheet in its width direction, a converging current of the electron beam is adjusted according to an incidence angle of the electron beam to the steel sheet surface so as to change the area of a beam spot, thereby homogenizing the energy density across the width direction of the beam spot.例文帳に追加

走行する方向性電磁鋼板の幅方向に、連続して電子ビームを照射するにあたり、該電子ビームの鋼板表面に対する入射角度に応じ、該電子ビームの収束電流を調整して、ビームスポットの面積を変更することにより、幅方向にわたる該ビームスポットのエネルギー密度を一定に制御する。 - 特許庁

A target distribution to be an adjustment target of a beam current density distribution is set for the respective ribbon-like ion beams, and first to (m-1)th ribbon-like ion beams are adjusted such that the beam current density distribution is within a first allowable range for the target distribution.例文帳に追加

各リボン状イオンビームに対してビーム電流密度分布の調整目標とする目標分布を設定し、予め決められた順番従って、１本目からｍ−１本目までのリボン状イオンビームに対して、ビーム電流密度分布が目標分布に対して第１の許容範囲内に入るように調整する。 - 特許庁

This ion implanting device includes an ion source 100 for generating an ion beam 50, an electron beam source Gn for emitting an electron beam 138 scanned in the Y direction to generate plasma 12, a power source 114 for the electron beam source, an ion beam monitor 80 for measuring the Y direction beam current density distribution of the ion beam 50 in the vicinity of the implanting position, and a control device 90.例文帳に追加

このイオン注入装置は、イオンビーム５０を発生するイオン源１００と、Ｙ方向に走査される電子ビーム１３８を放出してプラズマ１２４を生成する電子ビーム源Ｇｎと、それ用の電源１１４と、注入位置近傍におけるイオンビーム５０のＹ方向のビーム電流密度分布を測定するイオンビームモニタ８０と、制御装置９０とを備えている。 - 特許庁

The current value I_r detected by the reflected electron detector 8 is sent to a control unit 9, and the control unit 9 computes the current density of the electron beam incident upon the resist on the wafer 6 from this value.例文帳に追加

反射電子検出器８で検出された電流値Ｉ_ｒは、制御装置０に送られ、制御装置９は、この値から、ウエハ６上のレジストに入射する電子線の電流密度を算出する。 - 特許庁

To improve luminance unevenness while maintaining the brightness of a screen, in an electron beam display in which each of electron-emitting elements 10 emits an electron beam 5 by which a current density on an irradiation surface of the electron beam 5 of a corresponding pixel 7 becomes non-uniform.例文帳に追加

電子放出素子１０が、対応する画素７の電子線５の照射面における電流密度が不均一な電子線５を照射する電子線ディスプレイにおける輝度むらを、画面の明るさを維持したまま改善できるようにする。 - 特許庁

In ion beam processing using ion beams 3 for processing an optical element material 5, a current density measuring means 6 having an opening member formed of an insulating material is first irradiated with the ion beams 3 and electron beams 8 to measure the current density distribution of the ion beams 3.例文帳に追加

イオンビーム３によって光学素子材料５を加工するイオンビーム加工において、まず、絶縁性材料からなる開口部材を有する電流密度測定手段６に、イオンビーム３と電子ビーム８を照射してイオンビーム３の電流密度分布を測定する。 - 特許庁