「at v」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The adhesive grooves 36 are formed approximately in the V shape at cross section and formed approximately in parallel with the storage grooves 34.例文帳に追加

この接着溝３６は、断面略Ｖ字状に形成し、収容溝３４に略平行に形成されている。 - 特許庁

When a fuse that is brown out by melting at about the two- times current is selected, only the V-phase fuse is blown out by melting.例文帳に追加

従って、２倍程度の電流で溶断するヒューズを選定すれば、Ｖ相ヒューズ２１だけを溶断できる。 - 特許庁

The server executes 1:1 collation between a template at the group in the DB and the transformed feature V.例文帳に追加

サーバは、該当グループのＤＢ内のテンプレートと変換特徴量Ｖとの間で１：１照合を実行する。 - 特許庁

The lithium ion secondary battery is charged at a charging termination voltage of 4.3 V or more in a normal operating state.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池を、通常作動状態での充電終止電圧を４．３Ｖ以上にして充電を行う。 - 特許庁

When the control circuit 11 becomes high impedance at 0 V, PIN diodes D2 and D3 become in an OFF state.例文帳に追加

コントロール回路１１が０Ｖで高インピーダンスとなったとき、ＰＩＮダイオートＤ２，Ｄ３はＯＦＦ状態となる。 - 特許庁

Furthermore, since the output voltage V can be increased at the start-up frequency, a large torque can be generated.例文帳に追加

起動時周波数における出力電圧Ｖを高くすることができ、大きなトルクを発生することができる。 - 特許庁

A slab 100 is set at an arbitrary position and slant to a voxel space V as the three-dimensional space.例文帳に追加

三次元空間としてのボクセル空間Ｖに対して、任意の位置及び傾きでスラブ１００が設定される。 - 特許庁

The coating layer 2 can be composed of at least one kind among Pd, V and Ti-Cr alloys.例文帳に追加

被覆層２は、Ｐｄ，ＶおよびＴｉ−Ｃｒ系合金の少なくとも１種から構成することができる。 - 特許庁

In Step S3, the waveform of the cyclic pulse voltage V (t) applied at both ends of the ceramic capacitor is Fourier-developed.例文帳に追加

次に、ステップＳ３で、セラミックコンデンサの両端に加わる周期性パルス電圧Ｖ（ｔ）の波形をフーリエ展開する。 - 特許庁

In May 1894, he became a pupil of Kodanji ICHIKAWA (V) and took the name of Takamaru ICHIKAWA and performed for the first time at the Meijiza theater. 例文帳に追加

明治27年(1894)5月、市川小團次(5代目)に入門して市川高丸と名乗り、明治座で初舞台。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a nonaqueous electrolyte secondary battery, having an improved overdischarge characteristic and capable of operating at 1.5 V.例文帳に追加

過放電特性を改善した１．５Ｖ級の作動が可能な非水電解液二次電池を提供するものである。 - 特許庁

To obtain an I-V conversion circuit for an optical transmission/ reception that can cope with a high speed pulse at a large signal input.例文帳に追加

大信号時の高速度のパルスにも対応可能な光送受信回路用のＩ−Ｖ変換回路を得る。 - 特許庁

When the action mode in which the target voltage V is at a low side continues for a long time, the target voltage is returned to a high side.例文帳に追加

目標電圧Ｖがロー側である動作モードが長く続く場合は、目標電圧をハイ側に戻す。 - 特許庁

Voltage lower by 5 to 15 V to a grounding electrode is applied at least to a part of the plasma transporting part 40.例文帳に追加

プラズマ移送部４０の少なくとも一部には、接地電圧に対し５〜１５Ｖ低い電圧が印加される。 - 特許庁

The materials include two portraits, one of Pope Paul V, the pope at that time, and the other of Hasekura.例文帳に追加

資料は肖像画２点を含み，１つは当時のローマ教皇パウロ５世のもの，もう１つは支倉のものだ。 - 浜島書店 Catch a Wave

The device assumes the time limit for arriving at the final destination from the departure place to be T_0, an average speed to be V, and a length of a relevant route (V×T_0) to be a longer diameter of the ellipse (2×a_1).例文帳に追加

出発地から最終目的地へ到着するまでの制限時間をＴ＿０、平均速度をＶとし、当該行程長（Ｖ＊Ｔ＿０）を楕円の長径（２＊ａ＿１）とする。 - 特許庁

The light limiting material consists of a transparent substrate and oxides of at least one kind of metal selected from among Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb, Ta, W, Re, Os, Ir and Bi (but except VO2).例文帳に追加

透明基板とTi，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Nb，Mo，Ru，In，Sn，Sb，Ta，W，Re，Os，IrおよびBiからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物(但し、VO_2 を除く)とから形成される光制限材料。 - 特許庁

To provide the method capable of easily machining a V groove for fiber guide at an arbitrary V angle and depth, and also easily making an evacu ating hole with an arbitrary diameter.例文帳に追加

任意のＶ字角度で任意の深さのＶ溝を容易に加工できると共に真空用の穴を任意の径で容易に加工することのできるファイバガイド用Ｖ溝加工方法を提供する。 - 特許庁

Screw retracting speeds V are sequentially detected in a metering step, and a speed deviation ε of the retracting speed V from a screw retracting speed Vm of a reference metering step at the time of molding a good product is obtained (S9).例文帳に追加

計量工程におけるスクリュー後退速度Ｖを逐次検出して、良品成形時の基準計量工程のスクリュー後退速度Ｖｍとの速度偏差εを求める（Ｓ９）。 - 特許庁

A light-emitting element of which intensity characteristics against voltage applied is Kc(V) and light-emitting efficiency E(V) points the maximum value at voltage Vemax is formed on each pixel.例文帳に追加

印加電圧に対する輝度特性がＫc(Ｖ）であり、印加電圧に対する発光効率Ｅ（Ｖ）が、電圧Ｖemaxにおいて最大値を示すような発光素子をそれぞれの画素に形成する。 - 特許庁

Especially in the mono-block lead-acid battery having a high voltage of 36 V three times the conventional 12 V battery, the current cutoff function is provided at three or more positions to improve the reliability.例文帳に追加

特にモノブロック鉛蓄電池では従来の１２Ｖ電池に比べて３６Ｖと３倍も高電圧であるので３ヵ所以上の電流遮断機能を有することで信頼性を高める。 - 特許庁

The white vaseline is hydrogenated in the presence of a group VIII metal catalyst under conditions of 170-250°C and 6-30 MPa to have ≤0.25 ultraviolet absorbance (value of 1 w/v% isooctane solution and 1 cm optical path length) at 275 nm.例文帳に追加

白色ワセリンを第VIII族金属触媒の存在下、170〜250℃、６〜30MPaの条件下で水素化して、275nmの紫外部吸光度（１w／v％イソオクタン溶液の値、光路長１cm）を0.25以下にする。 - 特許庁

A cream solder 26E moved in the width direction V of the squeegee 20 by moving the squeegee 20 and arriving at the protrusion 24 is restricted in movement in the direction V by the protrusions 24.例文帳に追加

スキージ２０の移動によりスキージ幅方向Ｖに移動して突出部２４にまで到達したクリーム半田２６Ｅは、突出部２４によってＶ方向への移動が規制される。 - 特許庁

Antiseptic composition: it contains 0.01-0.5 w/v % (g/100 ml) at least one of benzoic acid or a benzoic acid salt and 0.005-0.05 w/v % (g/100 ml) 4-6C alkyl ester of paraoxybenzoic acid.例文帳に追加

防腐組成物：安息香酸及び安息香酸塩の少なくともいずれかを０．０１〜０．５Ｗ／Ｖ％（ｇ／１００ｍｌ）、アルキルエステルの炭素数が４〜６であるパラオキシ安息香酸アルキルエステルを０．００５〜０．０５Ｗ／Ｖ％（ｇ／１００ｍｌ）含有。 - 特許庁

A braking state-comparing treatment at a step S42 judges whether the rotation velocity V of a spool 12 coincides with the preliminarily set ideal rotation velocity V' of the spool 12.例文帳に追加

制動状態比較処理は、ステップＳ４２において、スプール１２の回転速度Ｖと予め設定されたスプール１２の理想的な回転速度Ｖ’とが一致しているか否かを判断する。 - 特許庁

The target voltage value V^* is inputted to the booster circuit 120, and desired power is fed to the driver circuits 121A and 121B from the booster circuit 120 at the target voltage value V^*.例文帳に追加

そして、目標電圧値Ｖ^*が昇圧回路１２０に入力され、昇圧回路１２０から目標電圧値Ｖ^*で所要の電力が、駆動回路１２１Ａ，１２１Ｂに供給される。 - 特許庁

In a state where a fixed-side bag bottom bearer A is elevated to an elevated position at a stop position in a stage V and supports the bag bottom of a bag 10 during stoppage, the bag 10 is filled with substance to be packed.例文帳に追加

工程Vの停止位置で固定側袋底受け台Ａを上昇位置まで上昇させて停止中の袋１０の袋底を支持した状態で被包装物を充填する。 - 特許庁

Controlling field effect transistor switches Q3 and Q4 according to another trigger pulse, the switch 86 generates pulses at the output of the second switch part 86, which vary from '+H V' to 0 V.例文帳に追加

第２のスイッチ部８６は他のトリガパルスに応じてＦＥＴスイッチＱ３，Ｑ４を制御されて、第２のスイッチ部８６の出力に“＋ＨＶ”から０Ｖに変化するパルスを生じさせる。 - 特許庁

A V-ribbed belt 1 is wrapped around a plurality of transmission pulleys, and at least one of the transmission pulleys is the flat pulley made of synthetic resin and kept into contact with the back face of the V-ribbed belt 1.例文帳に追加

複数の伝動プーリにＶリブドベルト１が巻き付けられ、前記伝動プーリの少なくとも１つが、前記Ｖリブドベルト１のベルト背面が接触する合成樹脂製の平プーリである。 - 特許庁

A visual line V and a pixel-by-pixel visual point CM are set at each pixel PE of a screen 22, and a pixel-by-pixel visual line direction track is calculated from the visual line V and the pixel-by-pixel visual point CM.例文帳に追加

表示面２２の画素ＰＥ毎に視線Ｖと画素別視点ＣＭを設定し、画素ＰＥに対する視線Ｖと画素別視点ＣＭとから、画素別視線方向軌跡を算出する。 - 特許庁

This constitution intentionally hides them, and the first V winning passage 256 and the second V winning passage 258 are formed invisible, so as to prevent the player from easily aiming at an advantageous one.例文帳に追加

これは、意図的に隠蔽したものであり、第１のＶ入賞路２５６、第２のＶ入賞路２５８が見えなくすることで、遊技者が有利な方を狙い難くする役目を持たせている。 - 特許庁

To provide a method of easily estimating the intrusion angle of a V-ribbed belt from a back flat pulley to a V-ribbed pulley at the stage of designing the layout of the pulley.例文帳に追加

背面平プーリからＶリブドプーリへのＶリブドベルトの進入角度を推定する方法において、前記ベルト進入角度をプーリのレイアウト設計段階で容易に推定できるようにする。 - 特許庁

At least one layer (the one directly deposited on a substrate is preferred), of a multi-layer structure, is made of an indium-containing III-V group nitride compound, acting as a buffer layer 16.例文帳に追加

多層構造で、該層の少なくとも1つの層(好適には基板(2)上に直接堆積されたもの(18))がインジウム含有III-V族窒化化合物から作製され緩衝層として働く。 - 特許庁

A sealing material 40 is disposed on at least one of the inside of a gap between the outer peripheral edge 35b of the inner casing 35 and the inner side face 30a of the outer casing 30, and a foaming space V side of the gap.例文帳に追加

上記庫内ケーシング（35）の外周端（35b）と上記庫外ケーシング（30）の庫内側面（30a）との隙間内及び該隙間の発泡空間（V）側の少なくとも一方に、シーリング材（40）を配設する。 - 特許庁

The certifier terminal verifies π, calculates X=S^AT^B when passing the verification, generates a random number M, calculates V=h (X, M), and transmits (V, M) to the verifier device.例文帳に追加

証明者端末は、πを検証し、検証が合格であればＸ＝Ｓ^ＡＴ^Ｂを計算し、乱数Ｍを生成し、Ｖ＝ｈ（Ｘ，Ｍ）を計算して、（Ｖ，Ｍ）を検証者装置に送信する。 - 特許庁

Therefore, after due consideration of the size of a display area V, the type of solution to be used, drying conditions or the like, barrier wall setting can be optimized so that the sectional area P is broader at the periphery of the display area V than at the center thereof.例文帳に追加

よって、表示領域Ｖのサイズや、使用する溶液の種類、乾燥条件などを考慮した上で、表示領域Ｖの中央部よりも周縁部の区画領域Ｐが広くなるように、最適化することができる。 - 特許庁

The method also includes steps of: fabricating at least one group IV semiconductor device 272 in the group IV semiconductor body; and fabricating at least one group III-V semiconductor device 274 in the group III-V semiconductor body.例文帳に追加

この方法は、IＶ族半導体本体内に少なくとも1つのIＶ族半導体デバイス２７２を製造するステップと、III−Ｖ族半導体本体内に少なくとも1つのIII−Ｖ族半導体デバイス２７４を製造するステップも含む。 - 特許庁

Notifications in person at the premises of the Institute may be served where the applicant or interested third party or his agent or person authorized under item V of Article 16 of these Regulations presents himself in person at those premises.例文帳に追加

産業財産庁の施設における直接の送達は，出願人，申請人，利害関係人，又は第16条　(V)に基づくそれらの代理人又はその他の被授権者が当該施設に出頭する場合に行うことができる。 - 特許庁

In the toners containing at least a nitrogen-containing polyester resin and a colorant, the S/V of the amount (surface amount: S) of nitrogen present at the surface of each toner to the amount (V) of nitrogen present in the entire toner is from 1.2 to 10.例文帳に追加

少なくとも窒素原子を含むポリエステル樹脂と着色剤とを含むトナーにおいて、該窒素の、トナー表面における存在量（表面量：Ｓ）とトナー全体における存在量（Ｖ）との比Ｓ／Ｖを１．２〜１０とする。 - 特許庁

The nickel-metal hydride battery includes a negative electrode containing an Fe-substituted hydrogen storage alloy in which at least part of V in a TiVNi-based hydrogen storage alloy composed of at least Ti, V and Ni is replaced with Fe.例文帳に追加

少なくともＴｉ、Ｖ及びＮｉを構成元素とするＴｉＶＮｉ系水素吸蔵合金の、Ｖの少なくとも一部がＦｅにより置換されてなるＦｅ置換水素吸蔵合金を含有する負極を備えているニッケル水素蓄電池。 - 特許庁

The III-V compound semiconductor layer consisting of a III-V compound semiconductor layer containing at least the indium element, gallium elements, aluminum elements, and nitride elements is deposited at a temperature lower than a depositing temperature of an AlGaN semiconductor.例文帳に追加

インジウム元素、ガリウム元素、アルミニウム元素および窒素元素を少なくとも含むのIII−Ｖ化合物半導体層から成るIII−Ｖ化合物半導体層は、ＡｌＧａＮ半導体の成膜温度より低い温度で成膜される。 - 特許庁

To nearly symmetrize cast quality relative to the center position of a journal part, etc., in a V-shaped cylinder block and at the same time to increase strength at the center position.例文帳に追加

Ｖ型シリンダブロックにおけるジャーナル部等の中心位置に対して鋳造品質を略対称とするとともに、中心位置の高強度化を図る。 - 特許庁

A control unit controls the device so that the device operates in the tablet mode when the housings are at the flat position, and in the mouse mode when the housings are at the inverted V-shaped position.例文帳に追加

制御装置は、フラット位置にある場合には、タブレットモードで動作し、逆Ｖ字位置にある場合には、マウスモードで動作するよう制御する。 - 特許庁

This allows properly executing the judgement based upon the log (V) distribution characteristic at the time with no knocking generated including eventual generation of pseudo knocking in distinction from at the time knocking is generated.例文帳に追加

これにより、疑似ノック発生時を含むノック発生なし時とノック発生時とのｌｏｇ（Ｖ）分布特性に基づく判定が的確に実行できる。 - 特許庁

V-shaped top parts 41F, 41B are disposed at a front opening part 39F on the air flow-in side and at a rear opening part 39B on the air discharge side, respectively.例文帳に追加

Ｖ形の頂部４１Ｆ、４１Ｂは、それぞれエア流入側の前方開口部３９Ｆ、及びエア排出側の後方開口部３９Ｂに配置する。 - 特許庁