「anisotropic etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

In order to perform crystal anisotropic etching of a silicon substrate 1 using an oxide film 4 of silicon as an etching mask, an etching liquid composition is used that contains an alkaline organic compound, cesium hydroxide, and water.例文帳に追加

シリコンの酸化膜４をエッチングマスクとして、シリコン基板１を結晶異方性エッチングするにあたり，アルカリ性有機化合物と、水酸化セシウムと、水と、を含有するエッチング液体組成物を用いる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a vibration sensor which can form a through hole whose expansion on the back side is small in substrate etching from the back side by a combination of crystal anisotropic etching and isotropic etching.例文帳に追加

結晶異方性エッチングと等方性エッチングの組み合わにより、裏面側からの基板エッチングで裏面側での広がりの小さな貫通孔を形成できる振動センサの製造方法を提供する。 - 特許庁

Anisotropic etching of the polysilicon layer is effected through plasma etching process, by employing an etching gas containing chlorine, oxygen and fluorine while utilizing the resist layers 16a-16c as masks to obtain a plurality of polysilicon layers 14a-14c.例文帳に追加

塩素、酸素及びフッ素を含むエッチングガスを用い且つレジスト層１６ａ〜１６ｃをマスクとするプラズマエッチング処理によりポリシリコン層を異方性エッチングして複数のポリシリコン層１４ａ〜１４ｃとする。 - 特許庁

To provide a method capable of using an etching gas that has low global-warming coefficient in applying anisotropic plasma etching to a silicon substrate for depth etching, generating byproducts having low global-warming coefficients in etching processing, and obtaining high etching speed.例文帳に追加

シリコン基板に異方性プラズマエッチングを施して、深堀エッチングを行う際に、地球温暖化係数が小さいエッチングガスを用いるようにし、かつエッチング処理に際して地球温暖化係数が小さい副次生成物が生成するようにし、しかも高いエッチング速度が得られるようにする。 - 特許庁

Since the TiN film 102 can be readily removed after anisotropic etching, it is possible to eliminate the need for additional process for removal of an etching mask which remains in eaves shape after anisotropic etching, thus realizing micromirror formation of high quality without increasing manufacturing process.例文帳に追加

ＴｉＮ膜１０２は、異方性エッチング後の除去を容易に行うことが可能なため、異方性エッチング後にひさし状に残るエッチングマスク除去のための工程を追加する必要がなく、製造工程の増加を招くことなく高品位のマイクロミラー形成が実現可能となる。 - 特許庁

The anisotropic dry etching method of copper for anisotropically performing dry etching to a copper film formed on a substrate includes: a process for performing anisotropic oxidation treatment to the copper film; and a process for performing dry etching to a copper oxide formed by oxidation treatment using an organic acid without containing any halogens.例文帳に追加

基板に形成された銅膜を異方的にドライエッチングする銅の異方性ドライエッチング方法は、銅膜に対して異方性酸化処理を施す工程と、酸化処理によって形成された酸化銅をハロゲンを含有しない有機酸によりドライエッチングする工程とを含む。 - 特許庁

To provide a method of silicon anisotropic etching that forms a slope WA that makes 45 degrees against the main surface SF of a silicon substrate 5 with favorable flatness and smoothness, and to provide a silicon anisotropic etching liquid for use in the method.例文帳に追加

シリコン基板５の主表面ＳＦに対して４５°を成す傾斜面ＷＡを平坦性および平滑性良く形成するシリコン異方性エッチング方法及び当該方法において使用するシリコン異方性エッチング液を提供する。 - 特許庁

The method performs anisotropic etching from the reverse side of the Si until the width of the part which is made to reach the oxide film area of the SOI board by anisotropic etching becomes greater than the width of the area of the surface of the SOI board from which the Si is removed.例文帳に追加

Ｓｉ裏面から異方性エッチングを、前記ＳＯＩ基板表面のＳｉを除去した領域の幅より異方性エッチングによってＳＯＩの酸化膜領域に到達させた部分の幅が大きくなるまで行う。 - 特許庁

In the manufacturing method for a structure by anisotropic etching, basic etching masks 101, 102a, 102b, and 103 corresponding to the target shape and compensation etching masks 107a, 107b, 107c, and 107d having a connection section connected with the basic etching masks are formed on a single crystal silicon substrate 100.例文帳に追加

異方性エッチングによる構造体の作製方法では、単結晶シリコン基板100上に、目標形状に対応する基本エッチングマスク101、102a、102b、103、及び基本エッチングマスクに接続する連結部を持つ補正エッチングマスク107ａ、107ｂ、107ｃ、107ｄを形成する。 - 特許庁

After a gate electrode forming film and a gate electrode cover film are formed on a semiconductor substrate, the gate electrode is formed by etching the gate electrode forming film by anisotropic etching and by using a gate electrode cover formed by patterning the gate electrode cover film as a mask.例文帳に追加

さらに、ゲート電極の細小化にともなってＬＤＤ構造のサイドウォール厚みを可変とした半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To secure a good anisotropic (perpendicular) shape and a high selection ratio with respect to both of a mask and an underlying film when etching an insulating film, and simultaneously to prevent an etching stop.例文帳に追加

絶縁膜のエッチングにおいて良好な異方性（垂直）形状とマスクおよび下地膜の双方に対する高い選択比を確保しつつエッチストップを防止する。 - 特許庁

The chamfered part 5b can be formed easily with high precision by performing isotropic dry etching before the spacer 5 is formed by anisotropic dry etching.例文帳に追加

この面取り部５ｂは、スペーサー５を異方性ドライエッチングで形成するのに先立ち、等方性ドライエッチングを実施することで、簡単，高精度に加工することができる。 - 特許庁

After an opening is formed in the oxide film 11 by photo-etching, an anisotropic etching step is carried out with a mask of the oxide film 11 to form a trench 12 in the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

そして、フォトエッチングにより酸化膜１１を開口させたのち、酸化膜１１をマスクとした異方性エッチングを施し、半導体基板１０にトレンチ１２を形成する。 - 特許庁

Then, the second oxide film 13 and the first oxide film 11 on the bottom of the trench 3, which have been damaged by the anisotropic etching, are completely removed by isotropic etching.例文帳に追加

次いで、等方性エッチングによって、異方性エッチングによって損傷した第２酸化膜１３及びトレンチ３底部の第１酸化膜１１を完全に除去する。 - 特許庁

The silicon substrate 1 is subjected to wet etching and tapered by using the sidewall film 6 and the silicon nitride film 3 as a mask, and successively, it is subjected to anisotropic etching and a trench groove 8 is formed.例文帳に追加

このサイドウォール膜６及びシリコン窒化膜３をマスクとして、シリコン基板１をウエットエッチして順テーパー角にし、続いて異方性エッチングしてトレンチ溝８を形成する。 - 特許庁

In performing anisotropic etching by using an alkali etching solution, the reflection member 106 which is the mirror formed just backside of the light receiver can be formed by an extremely inexpensive process.例文帳に追加

また、アルカリエッチング液を用いて異方性エッチングを行う場合は、きわめて安価な工程で受光装置直裏面の鏡である反射部材１０６を形成できる。 - 特許庁

After that, selective anisotropic etching treatment is performed using the etching window, thereby forming the equivalent surface to the {110} surface or {100} surface on the semiconductor substrate.例文帳に追加

その後、エッチング窓を用いて選択的な異方性エッチング処理を行い、半導体基板に｛１１０｝面又は｛１００｝面と結晶学的に等価な面を形成する。 - 特許庁

Anisotropic etching is given to the silicon thin film 2 using this photoresist 3 as an etching mask and a pattern where circular openings are arranged is formed to the silicon thin film 2.例文帳に追加

このフォトレジスト３をエッチングマスクとして用いてシリコン薄膜２に異方性エッチングを施し、シリコン薄膜２に円形の開口が配列されたパターンを形成する。 - 特許庁

In a method for manufacturing semiconductor storage device, highly selective anisotropic etching SAS(self-aligned source) etching is performed on a silicon oxide by using a resist 56, laminated gates 46, and thermally oxidized films 58 as a mask.例文帳に追加

レジスト５６、積層ゲート４６および熱酸化膜５８をマスクとしてシリコン酸化物に対する選択性の高い異方性エッチング（ＳＡＳエッチング）を行なう。 - 特許庁

Then, a rear side anisotropic etching groove 10 of the perforation hole 9 is etched to remove the groove embedding member.例文帳に追加

そして、穿設孔９の裏面側異方性エッチング溝部１０をエッチング加工することにより、溝埋め部材を除去する。 - 特許庁

Next, the phase difference layer 62 is completed, by subjecting it to RIE plasma treatment which is an anisotropic etching on the phase difference layer body.例文帳に追加

次に、位相差層体に異方性エッチングであるＲＩＥプラズマ処理を施して位相差層６２を完成させる。 - 特許庁

An anisotropic wet etching is applied from the counter second layer side of the first layer 1 so that an inlet 21 and an outlet 22 are formed.例文帳に追加

第１層１の反第２層側から異方性ウェットエッチングを施して、入口部２１と出口部２２とを形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming an ink supplying port by anisotropic etching with a high degree of freedom in the sectional direction of a substrate by the CR fabrication method.例文帳に追加

ＣＲ製法で基板の断面方向に自由度高くインク供給口を形成する方法を提供する。 - 特許庁

The anisotropic etching is executed to form the thin film bridge with 30° of angle with respect to a <110> direction or with an angle equivalent thereto.例文帳に追加

前記薄膜ブリッジが＜１１０＞方向と約３０°もしくはそれと等価な角度を成すように異方性エッチングする。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING END POINT IN WET ANISOTROPIC ETCHING, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

湿式異方性エッチングにおける終点検出方法および終点検出装置ならびに半導体装置の製造方法 - 特許庁

Then, the ARL film 109 on the FSG film 108 is removed by anisotropic etching using a fluorine-containing gas.例文帳に追加

次に、フッ素含有ガスを用いた異方性エッチングにより、ＦＳＧ膜１０８上のＡＲＬ膜１０９を除去する。 - 特許庁

Anisotropic etching or the like is performed down to the top of the local wiring through the openings in the hard mask 18.例文帳に追加

ハードマスク１８の開口部を通過するように、ローカル配線の最上部に対し下方に、例えば異方エッチングを行う。 - 特許庁

ANISOTROPIC ETCHING METHOD FOR SILICON CRYSTAL, METHOD OF MANUFACTURING INK CHANNEL PLATE, INK CHANNEL PLATE, INK-JET PRINT HEAD, AND INK JET PRINTER例文帳に追加

シリコン結晶異方性エッチング方法、インク流路板製造方法、インク流路板、インクジェットプリントヘッドおよびインクジェットプリンタ - 特許庁

To provide a manufacturing method of semiconductor device which performs anisotropic etching to a conductive layer in vertical direction or substantially vertical direction.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、垂直あるいはほぼ垂直に導電層を異方性エッチングすること。 - 特許庁

To obtain a silicon substrate, having a smooth etched surface with a small undercut through anisotropic etching using an alkaline aqueous solution.例文帳に追加

アルカリ性水溶液を用いるシリコン基板の異方性エッチングにより、滑らかな、アンダーカットの小さいエッチング表面を得る。 - 特許庁

The surface of an Si substrate 22 is exposed in an etching window 34 where the sacrifice layer 35 is removed, so that the cavity 23 is produced below the etching window 34 by the crystal anisotropic etching of the Si substrate 22.例文帳に追加

犠牲層３５の除去された跡のエッチング窓３４にはＳｉ基板２２の表面が露出しているので、エッチング窓３４の下方ではＳｉ基板２２が結晶異方性エッチングされて空洞２３が生じる。 - 特許庁

An anisotropic etching suppression layer is formed in the region equivalent of a trench bottom at least, and trenches having different depths are formed at the same time on the substrate by anisotropically etching the substrate with the anisotropic etching suppression layer as an etching stopper.例文帳に追加

トレンチの底に相当する領域に少なくとも異方性エッチ抑止層を形成する工程と、異方性エッチ抑止層をエッチストッパーとして半導体基板を異方性エッチングすることで、半導体基板に異なる深さのトレンチを同時に形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。 - 特許庁

By alternately performing anisotropic plasma etching using a gas containing NH_3 and CO and anisotropic plasma etching using Cl_2 gas while employing a hard mask 9 as a mask there are formed a nickel silicide layer 8a becoming a gate electrode and a polysilicon film 5a.例文帳に追加

ハードマスク９をマスクとして、ＮＨ_3とＣＯとを含むガスを用いた異方性のプラズマエッチングと、Ｃｌ_2ガスを用いた異方性のプラズマエッチングとを交互に行なうことによって、ゲート電極となるニッケルシリサイド層８ａおよびポリシリコン膜５ａが形成される。 - 特許庁

An etching rate measuring mask layer 38 for measuring the etching rate is formed on the rear surface of the silicon substrate 1 and in crystal anisotropic etching treatment, an etched space 17 is formed in an opening portion 32 provided in the etching rate measuring mask layer.例文帳に追加

シリコン基板１の裏面にエッチングレートを測定するためのエッチングレート測定用マスク層３８を形成しておき、結晶異方性エッチング処理の際に、エッチングレート測定用マスク層に設けられた開口部３２においてエッチング空間１７を形成する。 - 特許庁

With respect to an etching process in which a polycrystalline silicon layer 12 formed on a semiconductor silicon wafer 10 is patterned in accordance with a resist pattern 13, plasma of a mixed gas containing SF_6 for isotropic etching and HBr for anisotropic etching is utilized for an etching gas species.例文帳に追加

半導体シリコンウェハ１０上の多結晶シリコン層１２をレジストパターン１３に従ってパターニングするエッチング工程に関し、エッチング用のガス種に、等方性エッチング用としてのＳＦ_6と、異方性エッチング用としてのＨＢｒとを含む混合ガスのプラズマを利用する。 - 特許庁

In a method for evaluating the watermark 20 formed on a semiconductor substrate surface, the semiconductor substrate 10 is etched by anisotropic etching with a high selection ratio wherein the etching speed of the watermark is slower than that of the substrate material, and etching residues whose height is equal to the etching depth in the substrate are extracted from etching residues in a projection shape exposed on an etching surface.例文帳に追加

半導体基板表面に形成されたウォーターマークの評価方法であり、ウォーターマークに対するエッチング速度が基板材料よりも遅い高選択比の異方性エッチングによって半導体基板をエッチングし、エッチング表面に露出した突起状のエッチング残渣のうち、基板に対するエッチング深さと等しい高さのエッチング残渣を抽出する。 - 特許庁

This method detects the defect by etching an inspection object until at least a part of the defect existing inside the inspection object appears on a surface of the inspection object, and is the defect detecting method comprising an etching step of etching the inspection object by an anisotropic etching method being an etching method comprising a maximum etching speed in the prescribed direction.例文帳に追加

被検査物の内部に存する欠陥の少なくとも一部が該被検査物の表面に現れるまで該被検査物をエッチングして欠陥を検出する方法であって、所定方向に最大のエッチングの速度を有するエッチング方法である異方性エッチング方法により被検査物をエッチングするエッチングステップを備えてなる、欠陥検出方法である。 - 特許庁

The method further comprises the steps of: processing the dummy film to a predetermined shape by anisotropic etching of a deposition condition; processing the film to be processed to a predetermined shape by the anisotropic etching; removing the dummy film on the film to be processed formed in the predetermined shape by the anisotropic etching; and forming an upper layer film on the film to be processed.例文帳に追加

さらに、前記ダミー膜を所望の形状にデポ条件の異方性エッチングにより加工する工程と、前記被加工膜を所望の形状に異方性エッチングにより加工する工程と、前記所望の形状に加工された被加工膜上の前記ダミー膜を異方性エッチングにより除去する工程と、前記被加工膜上に上層膜を形成する工程と、を備えている。 - 特許庁

Meanwhile, a lower part 11L of the ridge has a ridge shape comprising a vertical ridge side surface 11LS by vertical anisotropic dry etching.例文帳に追加

また、リッジ下部１１Ｌは、垂直異方性ドライエッチングによって、垂直なリッジ側面１１Ｌｓとなるリッジ形状となっている。 - 特許庁

The etching advances in an anisotropic manner and a V groove 30 extending perpendicularly to the face of paper with a V-shaped cross section is formed.例文帳に追加

このエッチングは異方的に進行し、断面がＶ形状で紙面垂直方向に延びたＶ溝３０が形成される。 - 特許庁

The (100) plane of a single crystal silicon substrate is subjected to the anisotropic etching to form a periodical face composed of the (111) planes 24'.例文帳に追加

単結晶シリコン基板の(100)面に異方性エッチングを行い(111)面２４´からなる周期的面を形成する方法である。 - 特許庁

A recess is formed by digging down the surface of a silicon substrate 50 in a region for forming a LOCOS film by anisotropic etching.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ膜を形成する領域のシリコン基板５０表面を異方性エッチングにより掘り下げて凹部を形成する。 - 特許庁

When the glass film corresponding to the desired depth of the V groove of the glass films 63a to 63d disappears, the anisotropic etching is completed.例文帳に追加

ガラス膜６３ａ〜６３ｄのうち、Ｖ溝の所望の深さに対応するガラス膜が無くなると、異方性エッチングを終了する。 - 特許庁

A square grill masking is applied on a wafer, and the anisotropic etching is performed by using KOH or tetramethyl ammonium hydroxide.例文帳に追加

ウェハ上に正方格子状のマスキングを施し、ＫＯＨ、あるいは水酸化テトラメチルアンモニウムを用いて異方性エッチングを行う。 - 特許庁

To provide dry etching method capable of working a thick polysilicon (or amorphous silicon) layer so as to have an anisotropic configuration with proper dimensional accuracy.例文帳に追加

厚いポリシリコン（又はアモルファスシリコン）層を寸法精度良く異方性形状に加工できるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁