「anisotropic etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

The micro-corner cube array 10 is produced by a process for preparing single crystal substrates 1 and 4 which consist of a cubic system crystal and have a surface being substantially in parallel with the (111) surface of the crystal and a process for performing an anisotropic etching processing concerning the surfaces of the single crystal substrates 1 and 4.例文帳に追加

マイクロコーナーキューブアレイ１０は、立方晶系の結晶からなる単結晶基板１，４であって結晶の｛１１１｝面と実質的に平行な表面を有する単結晶基板１，４を用意する工程と、この単結晶基板１，４の表面に対して異方性エッチング処理を行なう工程とによって作製される。 - 特許庁

This three-dimensional mounting structure is formed, in such a way that recessed sections are formed on the surface of a silicon substrate through anisotropic etching or machining, and a semiconductor device and passive components are mounted on the substrate by arranging the device and parts in the recessed sections and forming circuit patterns above the device and components.例文帳に追加

シリコン基板に対して、異方性エッチングまたは機械加工により表面に基板凹部を形成し、さらに該基板凹部に半導体装置や受動部品を配置し、さらにその上に回路パターンを形成し、半導体装置、受動部品の実装を行うことを特徴とする３次元実装構造を形成する。 - 特許庁

A buried layer 34 is formed through a process of applying material of low viscosity on the ferroelectric film 32 formed through an MOCVD method, then the whole surface of the buried layer 34 is subjected to anisotropic etching to remove projection tops on the surface of the ferroelectric film 32, and then the buried layer 34 left on the surface of the ferroelectric film 32 is removed.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤにより形成した強誘電体膜３２上に、低粘度の材料を塗布して埋め込み層３４を形成し、次いで、全面を異方性エッチングして強誘電体膜３２表面の凸部頂上を除去し、次いで、強誘電体膜３２表面に残存する埋め込み層３４を除去する。 - 特許庁

An HTO film 4a is formed isotropically along an internal surface of the element separating groove 3, and an HTO film 4a formed at a center portion of a bottom surface 3a of the element separating groove 3 is removed in an RIE method by anisotropic etching to leave the HTO film 4a along a side wall surface 3b of the element separating groove 3.例文帳に追加

素子分離溝３の内面に沿ってＨＴＯ膜４ａを等方的に形成し、素子分離溝３の底面３ａの中央部に成膜されたＨＴＯ膜４ａをＲＩＥ法により異方性エッチングして除去し、ＨＴＯ膜４ａを素子分離溝３の側壁面３ｂに沿って残留させる。 - 特許庁

Furthermore, after forming a resist pattern on the piezoelectric substrate, the lower layer electrode film, the upper layer electrode film, and the coating electrode film are sequentially formed and an anisotropic dry etching is applied to the element 1 to etch only the upper side of the coating electrode film and then the resist is exfoliated to obtain an electrode structure where the coated electrode film is formed on the side faces only.例文帳に追加

また、圧電基板にレジストパターンを形成した後、下層電極膜、上層電極膜、被覆電極膜を順に形成し、次いで、異方性ドライエッチングによって、被覆電極膜の上面のみをエッチングし、その後、レジストを剥離して、側面部のみに被覆電極膜が形成された電極構造を得る。 - 特許庁

A method of manufacturing the semiconductor device comprises: forming the insulating film on a first conductor film; and forming a recess in an upper part of the insulating film exposed in an opening of a mask film and sticking reaction products on a lower part of a side wall part of the mask film through anisotropic etching using the mask film having the opening for exposing the insulating film.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、第１の導電体膜上に絶縁膜を形成し、絶縁膜を露出する開口部を有するマスク膜を用いた異方性エッチングにより、開口部に露出した絶縁膜の上部に凹部を形成すると共に、マスク膜の側壁部下部に反応生成物を付着させる。 - 特許庁

The V-shaped or trapezoidal groove having a first inclined surface and a second inclined surface opposed to the first inclined surface is formed on the surface of the silicon substrate by means of anisotropic etching, the adhesive is disposed at least on the second inclined surface in the region excluding the first inclined surface in the groove and the lens is arranged and fixed in the groove.例文帳に追加

シリコン基板の表面に異方性エッチングにより第一の斜面とそれに対向する第二の斜面を有するＶ形状または台形状の溝を形成し、溝内の第一の斜面を除いた領域のうち、少なくとも第二の斜面に接着剤を備え、溝内にレンズを配置して固定する。 - 特許庁

The anisotropic diffusion medium comprises: a transparent film having a number of rod-like perforations penetrating in a fixed direction from one surface to the other produced by irradiation with charged particles and chemical etching; and a light transmitting material filling the perforations and having a refractive index different from that of the film.例文帳に追加

荷電粒子照射及び化学的エッチングにより一方の面から他方の面に一定方向で貫通する多数の棒状穿孔を設けた透明性フィルムと、上記穿孔内に充填された、上記フィルムとは屈折率が異なる透光性材料とから異方性拡散媒体を構成する。 - 特許庁

Next, an insulating film is made on the element-forming region at the main face of the substrate and on an element isolating region, and the insulting film 11 is left on the element isolating region through selective anisotropic etching, and also a sidewall spacer A, on the sidewall of the gate electrode 7, and a connection hole 11B, on the semiconductor region, are made.例文帳に追加

次に基板主面の素子形成領域上と素子分離領域上に絶縁膜を形成し、異方性エッチングを選択的に行なって素子分離領域上に絶縁膜１１を残存させると共に、ゲート電極７の側壁にサイドフォールスペーサ１１Ａ、半導体領域上に接続孔１１Ｂを形成する。 - 特許庁

The micromirror device is obtained by using a semiconductor anisotropic etching process to process a silicon substrate and has a structure, wherein a shear-type strain gauge 3 which measures the angle of rotation of a mirror 1 and utilizes a piezoresistance effect is provided in a torsion bar 2 divided p-type or n-type semiconductor areas in a perpendicular direction of the silicon substrate.例文帳に追加

半導体異方性エッチングプロセスを使用してシリコン基板を加工したマイクロミラーデバイスであって、シリコン基板の厚さ方向にｐ型またはｎ型の半導体領域に分割したトーションバー２に、ミラー１の回転角を測定するピエゾ抵抗効果を利用したせん断型歪ゲージ３を設けた構造を特徴とする。 - 特許庁

To provide a mask matching method for preventing reduction in matching accuracy between patterns formed of different masks when there is displacement between a mask pattern formed in a first place and a crystal orientation of a base board when forming the patterns on the monocrystal base board by using the different masks by anisotropic wet etching.例文帳に追加

単結晶基板上に異方性ウエットエッチングにより異なるマスクを用いてパターンを形成する場合、最初に形成されたマスクパターンと基板の結晶方位とでずれがある場合、異なるマスクで形成されたパターン間の合わせ精度が低下することを防止するマスク合わせ方法を提供する。 - 特許庁

To provide an N-type Schottky barrier penetrating transistor of high performance which is stable and has low schottky barrier to electrons by forming a schottky junction on a silicon 111 plane generated through anisotropic etching (in a semiconductor having a crystal structure, a mirror index indicating its crystal orientation).例文帳に追加

異方性エッチングを通じて生成されるシリコン１１１面（結晶構造を有する半導体においてその結晶方向を示すミラー指数）にショットキー接合を形成させることによって、安定的で、且つ電子に対して低いショットキー障壁を有する高性能のＮ−型ショットキー障壁貫通トランジスタを提供する。 - 特許庁

Many quadrangular trapezoidal projected parts are formed lengthwise and crosswise on a single crystal silicon wafer by anisotropic wet etching, a photonic crystal filter element is formed on the projected surface of each projected part as an optical element, and then the wafer is cut for each optical element into individual optical element chip 21.例文帳に追加

単結晶シリコンウエハに対し異方性ウエットエッチングにより多数の四角錐台形の凸部が縦横に配列形成され、これら各凸部の突出面にフォトニック結晶よりなるフィルタ素子が、光素子として形成され、その後光素子ごとにウエハが分割されて上記光素子チップ２１が作成される。 - 特許庁

By performing anisotropic etching from one substrate surface 3 to the other substrate surface 5 facing one substrate surface 5 of the semiconductor substrate 1, particularly an Si semiconductor substrate 1, an annular recess 15 is formed on the one substrate surface side 5, and the diaphragm 18 is formed at the bottom 17 of the recess 15.例文帳に追加

半導体基板１または特にＳｉ半導体基板の一方の基板面３から該一方の基板面５と対向する他方の基板面５に向かって異方性エッチングを施すことにより、一方の基板面側５に開口する環状の凹部１５を形成して凹部１５の底部１７にダイアフラム１８を形成する。 - 特許庁

To prevent cracks in splitting a large-area piezoelectric substrate wafer by sufficiently ensuring the thickness of a circular part surrounding a recess when employing batch processing of the wafer to mass-produce an ultra-small piezoelectric substrate having a vibration part formed by forming the recess by etching on a piezoelectric substrate surface made of an anisotropic piezoelectric crystal material.例文帳に追加

異方性圧電結晶材料から成る圧電基板面にエッチングによって凹陥部を形成することによって振動部を形成した超小型の圧電基板を、大面積の圧電基板ウェハを用いたバッチ処理により量産する場合に、凹陥部を包囲する環状部の肉厚を十分に確保して分割時のひび割れを防止する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device is characterized in that the contact hole is filled with a conductive material without causing a defect inside when the contact hole is filled with the conductive material in a succeeding stage by removing by anisotropic etching the barrier layer formed in the opening area of the contact hole filled with the conductive material forming the connection line.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、接続線を形成する導電材料を埋め込むコンタクトホールの開口領域に形成されたバリア層を異方性エッチングにより除去することにより、後の工程で導電材料を埋め込むに際して、欠陥を内在させることなくコンタクトホールに導電材料を充填することを特徴とする。 - 特許庁

In the optical semiconductor element carrier M1 where the optical semiconductor element 21 is mounted on a base 10 of single crystal silicon, the base 10 is provided with a through hole 11 made by anisotropic etching penetrating the mounting face A1 and the back A2 of the optical semiconductor element 21, and a lens 12 disposed in the through hole 11.例文帳に追加

単結晶シリコンから成る基台１０上に光半導体素子２１を配設する光半導体素子キャリアＭ１であって、前記基台１０は、光半導体素子２１の配設面Ａ１及びその背面Ａ２を貫通する異方性エッチングで形成した貫通孔１１と、該貫通孔１１内に配設されるレンズ１２とを備えていることを特徴とする。 - 特許庁

This method of manufacturing the slit which forms an electron beam in a desired shape is provided with a cavity-forming step in which a cavity is formed in the substrate surface, and a through-hole-forming step in which a through hole smaller than the bottom face of the cavity is formed in the bottom face of the cavity with an anisotropic wet etching from the backside of the substrate.例文帳に追加

電子ビームを所望の形状に成形するスリットを製造するスリット製造方法であって、基板の表面に溝部を形成する溝部形成段階と、基板の裏面から、溝部の底面に、溝部の底面の大きさより小さい貫通孔を、異方性ウェットエッチングにより形成する貫通孔形成段階とを備える。 - 特許庁

The method for manufacturing the solar cell provided with the silicon semiconductor substrate having the texture surface comprises the steps of forming a silicide layer 102 on the surface of a silicon semiconductor substrate 100, and forming the texture surface by anisotropic etching porcessing the surface of the silicon semiconductor substrate on which the silicide layer is formed.例文帳に追加

テクスチャ表面を有するシリコン系半導体基板を備える太陽電池の製造方法であって、このシリコン系半導体基板１００の表面にシリサイド層１０２を形成するステップと、このシリサイド層の形成された前記シリコン系半導体基板の表面を異方性エッチング処理してテクスチャ表面を形成するステップと、を備える、太陽電池の製造方法。 - 特許庁

After a fine opening part 12 reaching an underlayer wiring layer 9 is formed in an interlayer insulation film 10 by anisotropic etching by using a resist mask 11, a buried resist film 13 is formed within the opening part 12 to etch back the entire surface of the interlayer insulation film 10, whereby an upper part having a bowing shape of the opening part 12 is cut off to form a contact hole 14.例文帳に追加

層間絶縁膜１０に、レジストマスクを１１を用いた異方性エッチングにより、下地配線層９に到達する微細な開口部１２を形成した後、開口部１２内に埋め込みレジスト膜１３を形成して層間絶縁膜１０を全面エッチバックすることにより、開口部１２のボーイング形状となった上部を切除してコンタクトホール１４を形成する。 - 特許庁

In an optical mounting board S1 wherein a plurality of grooves formed by anisotropic etching are provided on the main surface of the board consisting of single crystal material and the optical devices are disposed in these respective grooves, the principal surface of the board is provided with a plurality of groove-formed areas where crystal orientations parallel to the optical axis direction of the optical devices to be disposed are different.例文帳に追加

単結晶材料から成る基板の主面に、異方性エッチングにより形成した複数の溝を形成し、これら各溝に光学素子を配設するようにした光実装基板Ｓ１であって、基板の主面は、配設させる光学素子の光軸方向に平行な結晶方位が異なっている複数の溝形成領域を備えていることを特徴とする。 - 特許庁

The method has the process of forming a pattern with a slant part prepared therein to a photoresist 52 in the periphery of a silicon exposed part for forming the nozzle 31 by carrying out exposure and development to the photoresist 52 formed on a silicon substrate 51, and the process of forming the hole to be the nozzle 31 of a taper shape by carrying out anisotropic dry etching using the photoresist 52 as a mask.例文帳に追加

シリコン基板５１に形成したフォトレジスト５２に対して露光及び現像を行って、ノズル３１を形成するためのシリコン露出部分周辺におけるフォトレジスト５２に対して、傾斜部分を設けたパターンを形成する工程と、フォトレジスト５２をマスクとして異方性ドライエッチングを行って、テーパ形状のノズル３１となる穴を形成する工程とを有する。 - 特許庁

To solve the problem that in a near field optical probe formed on a glass substrate and having a pyramid-shaped silicon protrusion, it is difficult to change the tapered angle of the probe, since the probe is formed by performing anisotropic etching of a Si substrate, and it is difficult to form a cone shape since a plane corresponding to a crystal orientation remains at the outer shape of the probe.例文帳に追加

ガラス基板上に形成された、ピラミッド状のシリコン突起を有する近接場光プローブでは、Ｓｉ基板の異方性エッチングを施すことにより形成しているため、そのプローブテーパ角を変化させることは困難であり、またプローブの外形に結晶方位に対応した面が残ってしまい円錐形状を形成するのが困難であるといった問題点等を解決する。 - 特許庁

The LED 10 is constituted so as to include a silicon substrate 11, a pair of electrodes 14, 15 which are formed in a horn 11a formed on the silicon substrate by anisotropic etching, the LED chip 12 which is mounted in the horn and are electrically connected to both the electrodes, and a resin mold 13 which is made up of a resin material filled into the horn.例文帳に追加

シリコン基板１１と、このシリコン基板上に異方性エッチングにより形成されたホーン１１ａ内に形成された一対の電極１４，１５と、上記ホーン内にマウントされ且つ双方の電極に電気的に接続されたＬＥＤチップ１２と、上記ホーン内に充填された樹脂材料から成る樹脂モールド１３と、を含むように、ＬＥＤ１０を構成する。 - 特許庁

A modified region 72 is formed in a part corresponding to the through-hole 24 in a machining object 1 by condensing laser beams onto the machining object 1, and modified regions 71, 73 extending in parallel in a Z direction and connecting to the modified region 72 are formed in a part 1p removed by anisotropic etching treatment in the machining object 1.例文帳に追加

加工対象物１にレーザ光を集光させることにより、加工対象物１内において貫通孔２４に対応する部分に改質領域７２を形成すると共に、加工対象物１内において異方性エッチング処理による除去部分１ｐにＺ方向に平行に延在し且つ改質領域７２に繋がる改質領域７１，７３を形成する。 - 特許庁

In the thin film capacitor element 10, since the substrate 1 has a plain surface almost perpendicular to the side end face 6a of the laminate 6 due to anisotropic etching during manufacturing, the insulating resin layer 5 covering a poorly covered part does not lie between the lower electrode 2 and the upper electrode film 41, but lies between the upper extraction electrode 40 and the upper electrode film 41 which are at the same potential.例文帳に追加

この薄膜キャパシタ素子１０は、製造時に異方性エッチングにより積層体６の側端面６ａを基板１と略直交する平坦面となしているので、カバレッジ不良部分を覆う絶縁樹脂層５が、下部電極２と上部電極膜４１との間に介在せず、同電位な上部引出し電極４０と上部電極膜４１との間に介在している。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can form a sidewall in a predetermined designed width even if an occupied area of a mask in a chip is different according to the type of a device when the sidewall of a MOS transistor is formed with a polysilicon capacity storage electrode of an already formed DRAM used as the mask by anisotropic etching in a logic circuit of a DRAM-containing system LSI.例文帳に追加

ＤＲＡＭ内蔵型システムＬＳＩのロジック回路部において、ＭＯＳトランジスタのサイドウォールを、すでに形成されているＤＲＡＭのポリシリコン容量蓄積電極をマスクとして異方性エッチングで形成する際など、マスクのチップ内占有率がデバイス品種により異なっても、サイドウォールを一定の設計幅に形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the case of the surface emitting laser, since a problem such as grid mismatching, etc., is generated when an epitaxial layer is grown on an Si substrate, the epitaxial layer 14 is grown on the substrate of a Gas substrate 11, e.g. it is joined onto the Si substrate upside down to form the element 2 and then the block 1 is formed and divided by Si anisotropic etching.例文帳に追加

面発光レーザの場合、エピタキシャル層をＳｉ基板上で成長させると、格子不整合等の問題が生じるため、例えばＧａＡｓ基板１１基板上にエピタキシャル層１４を成長させ、それを逆向きにしてＳｉ基板１７上に接合し、面発光レーザ素子２を成形してから、異方性エッチングによりＳｉ製ブロック１を成形・分割する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a polarizing and splitting element and a polarizing and splitting element capable of improving yield in photo-lithography and dry etching which are processes for forming diffraction gratings on a double diffraction film by sticking an optical anisotropic film on an optically transparent substrate wafer so as to improve the flatness, and further, to provide a hologram laser unit and an optical pickup unit improved in reliability.例文帳に追加

本発明は、光学的透明基板ウェハに光学的異方性膜を平坦性が向上するように貼り付け、複屈折膜上に回折格子を形成する工程であるフォトリソグラフィー、ドライエッチングにおいて歩留りを向上できる、偏光分離素子の製造方法及び偏光分離素子、更に信頼性の向上したホログラムレーザユニット及び光ピックアップ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes steps of: forming an embedding layer on a base with a projecting pattern formed thereon to embed the projecting pattern; applying anisotropic etching to the embedding layer on the projecting pattern to form recessed parts on the embedding layer on the projecting pattern; and polishing a surface of an insulating layer by chemical mechanical polishing.例文帳に追加

凸状パターンが形成された下地の上に埋め込み層を形成して前記凸状パターンを埋め込む工程と、前記凸状パターンの上の前記埋め込み層に異方性エッチングを施して、前記凸状パターンの上の前記埋め込み層に凹部を形成する工程と、前記絶縁膜の表面を化学機械研磨により研磨する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 - 特許庁

This diffraction grating formation method includes at least a process of forming stripe mask patterns 104 with a constant period and different coating widths on a substrate 100, and a process of transferring the mask patterns 104 onto the substrate 100 by an etching method having chemical anisotropic selectivity for a material constituting the substrate 100, in a method for forming diffraction gratings 106 (106a, 106b) with periodic irregularity.例文帳に追加

本発明に係る回折格子の形成方法は、周期的な凹凸を有する回折格子の形成方法において、基板上に周期が一定で被覆幅の異なるストライプ状のマスクパターンを形成する工程と、前記基板を構成する材料に対して化学的異方選択性を有するエッチング方法を用いて前記マスクパターンを該基板に転写する工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする。 - 特許庁