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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > anisotropic etchingの意味・解説 > anisotropic etchingに関連した英語例文

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anisotropic etchingの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 586



例文

ANISOTROPIC ETCHING METHOD例文帳に追加

異方性エッチング方法 - 特許庁

ANISOTROPIC DRY ETCHING METHOD例文帳に追加

異方性ドライエッチング方法 - 特許庁

ANISOTROPIC ETCHING METHOD FOR SILICON例文帳に追加

ケイ素の異方性エッチング法 - 特許庁

SILICON ANISOTROPIC ETCHING DEVICE AND SILICON ANISOTROPIC ETCHING METHOD例文帳に追加

シリコン異方性エッチング装置及びシリコン異方性エッチング方法 - 特許庁

例文

SILICON ANISOTROPIC ETCHING LIQUID COMPOSITION例文帳に追加

シリコン異方性エッチング液組成物 - 特許庁


例文

ANISOTROPIC ETCHING SOLUTION AND ETCHING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

異方性エッチング液およびそれを用いたエッチング方法 - 特許庁

ANISOTROPIC ETCHING METHOD AND APPARATUS THEREOF例文帳に追加

異方性エッチング方法およびその装置 - 特許庁

As the anisotropic etching, dry etching and PEC etching can be cited.例文帳に追加

この異方性エッチングとしては、乾式エッチング、PECエッチングが挙げられ得る。 - 特許庁

To provide an anisotropic etching solution having an anisotropic etching selection ratio which is stable for a long period, and an etching method using the same.例文帳に追加

長期に安定な異方性エッチング選択比を有するエッチング液およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁

例文

The occurrence of etching of the first material is detected during anisotropic etching and then the anisotropic etching is stopped.例文帳に追加

異方性エッチング中に第1の材料のエッチングが生じたことが検知され、異方性エッチングが停止される。 - 特許庁

例文

To provide an anisotropic etching method for silicon.例文帳に追加

シリコンの異方性エッチング方法を提供する。 - 特許庁

ANISOTROPIC DRY ETCHING METHOD AND APPARATUS OF COPPER例文帳に追加

銅の異方性ドライエッチング方法および装置 - 特許庁

METHOD FOR ANISOTROPIC ETCHING OF BASE MATERIAL AND APPARATUS FOR ETCHING BASE MATERIAL例文帳に追加

基材の異方性食刻方法及び基材の食刻装置 - 特許庁

ANISOTROPIC ETCHING OF ORGANIC COMPOUND CONTAINING INSULATING LAYER例文帳に追加

有機化合物含有絶縁層の異方性エッチング - 特許庁

As a result, it becomes possible to change directivity of the etching (between isotropic etching and anisotropic etching).例文帳に追加

これにより、エッチングの指向性(等方的か異方的か)を変化させることが可能となる。 - 特許庁

ANISOTROPIC ETCHING METHOD, THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE, AND DEVICE例文帳に追加

異方性エッチング方法、三次元構造体、及び、デバイス - 特許庁

CRYSTALLINE ANISOTROPIC DRY ETCHING METHOD FOR SILICON AND DEVICE THEREOF例文帳に追加

シリコンの結晶異方性ドライエッチング方法、および装置 - 特許庁

To obtain an aspect ratio by wet type etching similar to that obtainable by anisotropic etching.例文帳に追加

湿式エッチングで異方性エッチングと同様のアスペクト比を有するようにする。 - 特許庁

The target shape of the structure is formed by etching the silicon substrate 100 with the etching mask by anisotropic etching.例文帳に追加

異方性エッチングにより、エッチングマスクの施されたシリコン基板100をエッチングして目標形状を形成する。 - 特許庁

After etching the interlayer insulation films 2 and 3 by anisotropic etching, isotropic etching is performed.例文帳に追加

そして、異方性エッチングによりこれら層間絶縁膜2,3をエッチングした後、等方性エッチングを施す。 - 特許庁

Subsequently, anisotropic etching is performed and etching is stopped when the oxide film layer 2 is reached.例文帳に追加

次に、異方性エッチングを行い、酸化膜層2に達するとエッチングが停止する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR STRUCTURE BY ANISOTROPIC ETCHING AND SILICON SUBSTRATE WITH ETCHING MASK例文帳に追加

異方性エッチングによる構造体の作製方法、及びエッチングマスク付きシリコン基板 - 特許庁

The walls are formed according to anisotropic etching of silicon.例文帳に追加

これらの壁は、シリコンの異方性エッチングにより形成される。 - 特許庁

METHOD AND LIQUID FOR SILICON ANISOTROPIC ETCHING例文帳に追加

シリコン異方性エッチング方法及びシリコン異方性エッチング液 - 特許庁

The surface N (42) is roughened through anisotropic etching.例文帳に追加

N面(42)の表面は、異方性エッチングによって粗くされる。 - 特許庁

In the first recess etching process, anisotropic etching is performed, and in the second recess etching process, etching free from anisotropy is performed.例文帳に追加

第1のリセスエッチング工程では、異方性エッチングを実施し、第2のリセスエッチング工程では、異方性のないエッチングを実施する。 - 特許庁

The selective etching step is performed by a two-step plasma etching method of first anisotropic etching and second isotropic etching having different etching conditions.例文帳に追加

選択食刻工程は食刻条件が異なる第1の異方性食刻と第2の等方性食刻からなる二段階のプラズマ食刻方法で行なう。 - 特許庁

The inclined surface is formed through dry etching, and a damaged layer is removed by anisotropic etching.例文帳に追加

傾斜面はドライエッチングにより形成し、異方性エッチングによりダメージ層を除去する。 - 特許庁

To form groove structure consisting of <111> planes for which the amount of etching is controlled by utilizing the anisotropic etching of Si, only by performing anisotropic etching once.例文帳に追加

Siの異方性エッチングを利用してエッチング量の制御された<111>面からなる溝構造を、一回(一度)の異方性エッチングだけで作製する。 - 特許庁

To provide an etching composition that can reduce a crystal anisotropic etching time of a silicon substrate and an etching method.例文帳に追加

シリコン基板の結晶異方性エッチング時間の短縮出来るエチング組成物、及びエチング方法を提供する。 - 特許庁

A beam is integrally formed on the underside of the substrate by a first etching and a second etching (Si anisotropic etching).例文帳に追加

第1のエッチングと第2のエッチング(Si異方性エッチング)により基板下面に梁を一体物で作成する。 - 特許庁

Next, the laminated substrate is exposed to an anisotropic etching medium.例文帳に追加

次に、積層された基板を異方性エッチング媒体にさらす。 - 特許庁

A second anisotropic etching groove which connects with the first anisotropic etching groove and has the same axis as the first anisotropic etching groove and is a guide for a making position of the core layer of the optical waveguide is formed on the other side of the substrate.例文帳に追加

基板の他方には、前記第1の異方性エッチング溝と連通し、同軸で、かつ、光導波路のコア層の作製位置をガイドするように第2の異方性エッチング溝が形成される。 - 特許庁

To provide silicon anisotropic etching liquid for selectively etching only silicon without etching aluminum.例文帳に追加

アルミニウムをエッチングすることなくシリコンのみを選択的にエッチングすることができるシリコン異方性エッチング液を提供すること。 - 特許庁

In the case of an anisotropic etching process, mixed gas of nitrogen and oxygen is used as the etching gas.例文帳に追加

異方性エッチング処理を行う場合、エッチングガスとして窒素と酸素との混合ガスを用いる。 - 特許庁

At this point, the second polysilicon film is subjected to anisotropic etching first and then subjected to isotropic etching.例文帳に追加

ここで、第2ポリシリコン膜のエッチングは異方性および等方性エッチングの順に実施する。 - 特許庁

An etching guide hole is formed to perform crystal anisotropic etching, thus forming a beam.例文帳に追加

エッチング誘導孔を形成し、結晶異方性エッチングを実施することにより、前記梁を形成する。 - 特許庁

An anisotropic etching is performed on a surface 11a of a silicon wafer 11 by a wet etching method.例文帳に追加

シリコンウエーハ11の一面11aに対して、ウエットエッチング法によって異方性エッチングを行う。 - 特許庁

The alkali etching has anisotropic etching properties, and hence an end of the wafer is hardly rounded unnecessarily.例文帳に追加

アルカリエッチは異方性エッチングの性質を有し、ウェーハ端部が必要以上に丸まりにくい。 - 特許庁

The anisotropic etching-back is thereafter conducted to each oxide film 5, 7.例文帳に追加

次に、酸化膜5,7に対して異方性エッチバック処理を施す。 - 特許庁

ANISOTROPIC ETCHING METHOD FOR ORGANIC DIELECTRIC POLYMER MATERIAL BY PLASMA GAS例文帳に追加

プラズマガスによる有機誘電ポリマー材料の異方性エッチング方法 - 特許庁

To realize faces usable for an optical reflecting surface by one anisotropic etching with an etching mask of optional shape, using anisotropic etching of Si.例文帳に追加

Siの異方性エッチングを利用して、光学反射面に利用可能な面を、任意の形状を持つエッチングマスクによって一度の異方性エッチングで実現し得るようにする。 - 特許庁

A mask material is formed on the surface of a substrate consisting of silicone, the mask material is processed by anisotropic dry etching and anisotropic wet etching, and after processing a surface approximately parallel with a crystal surface orthogonal to the surface of the substrate by the anisotropic dry etching, a reflection surface is formed by the anisotropic wet etching process.例文帳に追加

シリコンからなる基板に、前記基板表面に対してマスク材を形成し、異方性ドライエッチングし、異方性ウエットエッチングし、前記基板表面に直交する結晶面と略平行な面を前記異方性ドライエッチングした後、前記異方性ウエットエッチング工程によって、反射面を形成する。 - 特許庁

To provide a dry etching method which is capable of realizing anisotropic etching in an etching operation where oxygen active species are mainly used.例文帳に追加

酸素活性種を主体とするエッチングにおいてエッチング異方性を得ることができるドライエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

A square pyramid recessed part 203 is formed by an anisotropic etching.例文帳に追加

正四角錐状の凹部203は、異方性エッチングにより形成される。 - 特許庁

ETCHING METHOD FOR FORMING ANISOTROPIC FEATURE FOR HIGH ASPECT RATIO例文帳に追加

高アスペクト比用途の異方性フィーチャを形成するためのエッチング方法 - 特許庁

To provide an anisotropic dry etching method of copper capable of performing anisotropic etching to copper without causing corrosion of the copper by halogens.例文帳に追加

ハロゲンによる銅の腐食を生じさせずに銅を異方性エッチングすることができる銅の異方性ドライエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

Highly anisotropic etching is realized by adding an inert gas to an etching gas containing chlorine and boron trichloride.例文帳に追加

塩素と三塩化硼素を含むエッチングガスに、不活性ガスを添加し、異方性の高いエッチングを実現する。 - 特許庁

A hole of inversely tapered profile is formed by boring an etching guide hole and performing crystal anisotropic etching.例文帳に追加

エッチング誘導孔を形成し結晶異方性エッチングを実施して、逆テーパー形状の孔を形成する。 - 特許庁

例文

METHOD OF FORMING RECESS ON SILICON SUBSTRATE BY ANISOTROPIC ETCHING AND METHOD OF USING PLASMA ETCHING SYSTEM例文帳に追加

シリコン基板に凹部を異方性エッチングにより形成する方法およびプラズマエッチングシステムの使用方法 - 特許庁




  
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