「Trb」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The thickness of a side wall 105 of a transistor TrA is smaller than the thickness of a side wall 105 of a transistor TrB.例文帳に追加

トランジスタＴｒＡのサイドウォール１０５の厚みをトランジスタＴｒＢのサイドウォール１０５の厚みよりも薄くする。 - 特許庁

The first, second, third and fourth MOS transistors TrA, TrB, TrC and TrD are composed of the MOS transistors of low breakdown voltage.例文帳に追加

これらの第１、第２，第３及び第４のＭＯＳトランジスタＴｒＡ，ＴｒＢ，ＴｒＣ，ＴｒＤは、低耐圧のＭＯＳトランジスタで構成されている。 - 特許庁

And a constant current circuit of current mirror by a transistor Trb and a transistor Trc is connected to an LED block Da.例文帳に追加

また、トランジスタＴｒｂとトランジスタＴｒｃによるカレントミラ−の定電流回路をＬＥＤブロックＤａに接続する。 - 特許庁

The electric fuse memory includes a memory cell MC including a fuse element F and a first transistor TRB, an external terminal PAD, and a second transistor TRA.例文帳に追加

フューズ素子Ｆと第１トランジスタＴＲＢを含むメモリセルＭＣと、外部端子ＰＡＤと、第２トランジスタＴＲＡと、を有する。 - 特許庁

On the optical disk used for this optical disk device, two tracks of a track TrA and a track TrB are formed spirally as a pair.例文帳に追加

発明の光ディスク装置に用いられる光ディスクは、トラックＴｒＡとトラックＴｒＢとの２本のトラックが１対となってスパイラルに形成されている。 - 特許庁

The torque computer 52 computes a basic torque command TRb, based on the power Pm that a motor generator MG can output and the number of revolutions MRN of a motor.例文帳に追加

トルク算出部５２は、モータジェネレータＭＧの出力可能なパワーＰｍとモータ回転数ＭＲＮとに基づいて基本トルク指令値ＴＲｂを算出する。 - 特許庁

Moreover, the source electrode Tras of the thin film transistor TrA and the source electrode Trbs of the thin film transistor TrB are connected through a connection wiring LNs, a drain electrode Trad of the thin film transistor TrA and a drain electrode Trbd of the thin film transistor TrB are connected through a connection wiring LNd.例文帳に追加

また、薄膜トランジスタＴｒＡのソース電極Ｔｒasと薄膜トランジスタＴｒＢのソース電極Ｔｒbsが接続配線ＬＮｓを介して接続され、薄膜トランジスタＴｒＡのドレイン電極Ｔｒadと薄膜トランジスタＴｒＢのドレイン電極Ｔｒbdは、接続配線ＬＮｄを介して接続されている。 - 特許庁

The primary delay filter 54 outputs a torque command TR, by eliminating the frequency components generated in the basic torque command TRb by the fluctuations of the motor revolution MRN.例文帳に追加

１次遅れフィルタ５４は、モータ回転数ＭＲＮの変動によって基本トルク指令値ＴＲｂに生じる周波数成分を除去して、トルク指令値ＴＲを出力する。 - 特許庁

At this time, there is a phase difference of 30° between transformers TRa and TRb, so that it becomes twelve-phase operation equivalently, and the higher harmonic of the input current of the whole device decreases.例文帳に追加

このとき、変圧器ＴＲａとＴＲｂと間に位相差３０°があるので等価的に１２相運転となり、装置全体の入力電流高調波が低減する。 - 特許庁

Output currents of the other two photodiodes 15b and 15d are amplified by amplifiers 16d and 16c and then compared by a comparator 17b, and a transistor TrB is on-off controlled by a signal of the result of comparison.例文帳に追加

他の２つのフォトダイオード１５b,１５dの出力電流をアンプ１６d,１６cで増幅した後にコンパレータ１７bで比較し、比較結果の信号でトランジスタＴrＢをオン・オフ制御する。 - 特許庁

When a basic reaction force command value Trb is computed through the multiplication of a steering actuator command value Ts by a predetermined proportional constant K1 (Step S1), if a steering wheel 1 is operated at a rotational speed allowing an operation of the steering actuator with sufficient responsiveness, the basic reaction force command value Trb is set intact as a reaction force actuator command value Tr (Step S3).例文帳に追加

操舵アクチュエータ指令値Ｔsに予め定める比例定数Ｋ１を乗じることにより基本反力指令値Ｔrbが演算され（ステップＳ１）、操舵アクチュエータが十分な応答性で動作できるような回転速度でステアリングホイール１が操作された場合には、その基本反力指令値Ｔrbがそのまま反力アクチュエータ指令値Ｔrに設定される（ステップＳ３）。 - 特許庁

The transistor TFT is provided with thin film transistors TrA, TrB which doubly use a single gate electrode Trg in each of transistor formation regions Rta, Rtb adjacently established on a substrate 11.例文帳に追加

トランジスタＴＦＴは、基板１１上に隣接して設定されたトランジスタ形成領域Ｒta、Ｒtbの各々に、単一のゲート電極Ｔｒｇを兼用した薄膜トランジスタＴｒＡ、ＴｒＢが設けられている。 - 特許庁

This is suited with a curve shown by TRa/TRb=(LRa/LRb)^nR, TGa/TGb=(LGa/LGb)^nG and TBa/TBb=(LBa/LBb)^nB, and the setting condition of the aging treatment of respective organic EL elements ELR, ELG, ELB for red, green, and blue are calculated.例文帳に追加

ＴＲａ／ＴＲｂ＝（ＬＲａ／ＬＲｂ）^ｎＲ、ＴＧａ／ＴＧｂ＝（ＬＧａ／ＬＧｂ）^ｎＧ及びＴＢａ／ＴＢｂ＝（ＬＢａ／ＬＢｂ）^ｎＢにて示される曲線で適合させ、各曲線に基づいて、それぞれ赤、緑及び青色用有機ＥＬ素子ＥＬＲ，ＥＬＧ，ＥＬＢのエージング処理の設定条件を算出した。 - 特許庁

In an output terminal 100, an n-channel first MOS transistor TrA and a second MOS transistor TrB of the protective transistors are connected between the output terminal 100 and ground potential Vss.例文帳に追加

出力端子１００には、保護トランジスタであるＮチャネル型の第１のＭＯＳトランジスタＴｒＡ及び第２のＭＯＳトランジスタＴｒＢが出力端子１００と接地電位Ｖｓｓの間に直列に接続されている。 - 特許庁

This linear resistance element Rg is connected across the common ground line Lg for commonly connecting thereto non-linear driving elements TRb connected with each light- emitting element EL and the panel ground 5.例文帳に追加

この線形抵抗素子Ｒｇは、各発光素子ＥＬに接続された駆動用の非線形素子ＴＲｂの電極を共通に接続してなる共通グランドラインＬｇとパネルグランド５との間に接続されている。 - 特許庁

This can be realized by forming a CVD oxidized film 11 covering the transistor TrB and then forming the high-concentration impurity diffusion layer 106 in the transistor TrA prior to formation of the silicide layer 108.例文帳に追加

これは、トランジスタＴｒＢを覆うＣＶＤ酸化膜１１の形成後で、かつ、シリサイド層１０８を形成する前にトランジスタＴｒＡに高濃度不純物拡散層１０６を形成することで実現できる。 - 特許庁

Similarly, a source 42SB and a gate 44B of the active layer 42 are connected to a second power supply line 102 on the other N-channel type thin film transistor TRB, and its drain 42D is connected to one end of a resistor element 45B.例文帳に追加

同様に、他方のＮチャネル型薄膜トランジスタＴＲＢでは、能動層４２のソース４２ＳＢとゲート４４Ｂが第２の電源線１０２に接続されており、そのドレイン４２Ｄは抵抗素子４５Ｂの一方の端に接続されている。 - 特許庁

A welding detection circuit Z is used when respective states of a first contact a and a second contact b are controlled to become OFF state (open state) by relay switching control means (transistor TRA, transistor TRB).例文帳に追加

溶着検出回路Ｚは、第１の接点ａと第２の接点ｂの各状態が、リレー開閉制御手段（トランジスタＴＲＡ、トランジスタＴＲＢ）によって、何れもＯＦＦ状態（開状態）になる様に制御されている時に使用する。 - 特許庁

To at least a part of the body 12, light performance regions LRb-LRd having background regions BRb-BRd and pattern regions TRb-TRd wherein light transmission characteristics are different from that in the background regions BRb-BRd are set.例文帳に追加

ボディ１２の少なくとも一部に対して、背景領域ＢＲｂ〜ＢＲｄと背景領域ＢＲｂ〜ＢＲｄとは光透過特性が異なる模様領域ＴＲｂ〜ＴＲｄとを有する光演出領域ＬＲｂ〜ＬＲｄが設定される。 - 特許庁

At this time, the switching power unit adjusts the ON periods Tona and Tonb of the MOSFET, so that they may not overlap periods Tra and Trb when reverse currents Ira and Irb flow to a parasitic diode, by changing the switching frequency of the MOSFET.例文帳に追加

このとき、スイッチング電源装置は、ＭＯＳＦＥＴのスイッチング周波数を変えることで、寄生ダイオードに逆電流Ｉｒａ、Ｉｒｂが流れる期間Ｔｒａ、Ｔｒｂと重ならないように、ＭＯＳＦＥＴのオン期間Ｔｏｎａ、Ｔｏｎｂを調整する。 - 特許庁

In the output buffer circuit 100, a first conductive transistor TRA 1 and a second conductive transistor TRB 1 connected in series between first supply voltage and second supply voltage which is lower than the first supply voltage constitute an output transistor.例文帳に追加

出力バッファ回路１００において、第１の電源電圧と、第１の電源電圧より低い第２の電源電圧との間に直列に接続された第１導電型トランジスタＴＲＡ１と第２導電型トランジスタＴＲＢ１は、出力トランジスタを構成する。 - 特許庁

A second transistor TRB has a floating gate FG shared with the first transistor TRA, a control gate CG coupled with the control gate CG of the first transistor TRA, a first conductive electrode, and a second conductive electrode coupled with the second conductive electrode of the first transistor TRA.例文帳に追加

第２のトランジスタＴＲＢは、第１のトランジスタＴＲＡと共通の浮遊ゲートＦＧと、第１のトランジスタＴＲＡの制御ゲートＣＧに結合される制御ゲートＣＧと、第１導通電極と、第１のトランジスタＴＲＡの第２導通電極に結合される第２導通電極とを有する。 - 特許庁

The pattern of the lower wiring layer Ma of the monitor mark formation region and a pattern of wiring trenches TRb (or upper wiring layer Mb) include repetitive patterns, respectively, in a rectangular region R having a breadth of 3 μm-100 μm and extend in the same direction parallel with each other.例文帳に追加

モニター用マーク形成領域の下層配線層Ｍａのパターンと配線溝ＴＲｂ（または上層配線層Ｍｂ）のパターンとは３μｍ〜１００μｍ□の広さを有する矩形領域Ｒ内において、繰り返しパターンを有しており、かつ互いに同じ方向に平行に延びている。 - 特許庁

A pixel block (PBK) to which a plurality of scanning signal lines (2) are connected is configured, a black level signal transistor (TrB) is used to write a black signal (SLb) to a display pixel (L) of the pixel block (PBK) while red, green and blue sample-hold circuits (14) sample a video signal (Sv).例文帳に追加

走査信号線（２）を複数本づつ接続した画素ブロック（ＰＢＫ）を構成し、映像信号（Ｓｖ）を赤、緑、および青色用のサンプリング−ホールド回路（１４）でサンプリングしている期間中、黒レベル信号用トランジスタ（ＴｒＢ）で当該画素ブロック（ＰＢＫ）の表示画素（Ｌ）に黒信号（ＳＬｂ）を書き込む。 - 特許庁

In the digital mode databus line drive circuit 31 arranged so as to sample gradation reference signals being swept within a prescribed voltage range by an analog switch TR and output them to each databus line D, two reference signal lines are arranged as La, Lb, and each databus line D is also provided with two analog switches TRa, TRb corresponding thereto.例文帳に追加

所定電圧範囲で掃引されている階調参照信号をアナログスイッチＴＲでサンプリングして、各データバスラインＤへ出力するようにしたデジタル方式のデータバスライン駆動回路３１において、参照信号線をＬａ，Ｌｂの２本とし、これに対応して各データバスラインＤ毎のアナログスイッチもＴＲａ，ＴＲｂの２つずつ設ける。 - 特許庁