「P/N.」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

of electronics, a laser that uses a specific p-n junction of a semiconductor 例文帳に追加

半導体のp-n接合の特性を利用したレーザー - EDR日英対訳辞書

The maximum P/N ratio or the minimum P/N ratio is selected and a noise signal at the input of the gate can be simulated.例文帳に追加

最大のP/N比又は最小のP/N比を選択して、ゲートの入力におけるノイズ信号をシミュレートすることができる。 - 特許庁

TRANSPARENT OXIDE P-N JUNCTION DIODE例文帳に追加

透明酸化物ｐ−ｎ接合ダイオード - 特許庁

P-N JUNCTION ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND TRANSISTOR USING P-N JUNCTION ELEMENT例文帳に追加

Ｐ—Ｎ接合素子及びその製造方法、Ｐ−Ｎ接合素子を利用するトランジスタ - 特許庁

The color difference data Cr(n) of the target pixel P(n) is replaced by the color difference data CrB(n) close to achromatic color (closest to 0 value) among the pixels P(n), P(n-1), and P(n+1).例文帳に追加

すなわち、注目画素Ｐ（ｎ）の色差データＣｒ（ｎ）を、画素Ｐ（ｎ）、Ｐ（ｎ−１）、Ｐ（ｎ＋１）の中で無彩色に近い（最も０値に近い）色差データＣｒＢ（ｎ）に置換する。 - 特許庁

PRODUCTION OF P-N-SUBSTITUTED AMINOBENZALDEHYDE例文帳に追加

ｐ−Ｎ−置換アミノベンズアルデヒドの製造方法 - 特許庁

When an FET is identified, a P/N ratio is calculated for every possible input combination.例文帳に追加

FETが識別されると、可能性のある全ての入力の組合せについてP/N比が計算される。 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH p-n JUNCTION例文帳に追加

ｐｎ接合を有する化合物半導体基板 - 特許庁

A communication time predicting part 18 predicts p(n).例文帳に追加

通信時間予測部１８がｐ（ｎ）を予測する。 - 特許庁

VCSEL SYSTEM WITH LATERAL P-N JUUNCTION例文帳に追加

横方向Ｐ／Ｎ接合を有するＶＣＳＥＬシステム - 特許庁

P-N JUNCTION ORGANIC DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ｐｎ接合型有機ダイオードとその製造方法 - 特許庁

The photoelectric converting element 1 includes a p-n junction.例文帳に追加

光電変換素子１は、ｐ−ｎ接合を含む。 - 特許庁

At least two P-N junction elements of the first P-N junction element, the second P-N junction element, the third P-N junction element and the fourth P-N junction element are connected between two different potential lines in forward bias to form an electrostatic protection circuit.例文帳に追加

第一のＰＮ接合素子、第二のＰＮ接合素子、第三のＰＮ接合素子、および第四のＰＮ接合素子のうちの少なくとも２つのＰＮ接合素子を、異なる２つの電位配線間に順方向バイアスに接続して静電気保護回路とする。 - 特許庁

Color difference data Cr(n), Cr(n-1), and Cr(n+1) of a target pixel P(n), and pixels P(n-1) and P(n+1) adjoining the target pixel P(n) in a preset color shift direction are obtained.例文帳に追加

注目画素Ｐ（ｎ）と、注目画素Ｐ（ｎ）に対し予め設定された色ずれ方向で隣接する隣接画素Ｐ（ｎ−１）及びＰ（ｎ＋１）との色差データＣｒ（ｎ）、Ｃｒ（ｎ−１）、Ｃｒ（ｎ＋１）を得る。 - 特許庁

DIAMOND P-N JUNCTION DIODE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

ダイヤモンドｐｎ接合ダイオードおよびその作製方法 - 特許庁

The battery has a sealing film 7 which covers the power generation area G but does not cover the current collection areas P, N.例文帳に追加

そして、本発明の電池は、発電エリアGを覆うが、両集電エリアP,Nは覆わない封止フィルム7を備える。 - 特許庁

A parallel p-n structure is formed by this processes.例文帳に追加

ここまでのプロセスで、並列ｐｎ構造が形成される。 - 特許庁

FORMATION METHOD FOR VERY SHALLOW P-N JUNCTION OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

半導体基板の極浅ｐｎ接合の形成方法 - 特許庁

The parallel p-n structure is formed through the above processes.例文帳に追加

ここまでのプロセスで、並列ｐｎ構造が形成される。 - 特許庁

In a step S27, client codes and part numbers P/N are changed into a stylized form by specification of half/full of character size, deletes of '-', etc.例文帳に追加

ステップＳ２７においては、半角／全角の指定、「−」の削除等によって、取引先コードや、部品番号P/N が定型化される。 - 特許庁

III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING P-N JUNCTION例文帳に追加

ｐｎ接合を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置 - 特許庁

To solve such a problem that the calorific value of a snubber resistor 18#(#=p,n) is not negligible.例文帳に追加

スナバ抵抗体１８＃（＃＝ｐ，ｎ）の発熱量が無視できないこと。 - 特許庁

The voltage-controlled variable capacitance 15 has a P-N junction, and this P-N junction is constituted into superstaged junction, where the concentration of impurities in an N-type region is reduced as one goes away from P-N junction surface.例文帳に追加

電圧制御可変容量１５はＰＮ接合を持ち、このＰＮ接合はＰＮ接合面から離れるに従ってＮ型領域の不純物濃度が低くなる超階段接合に構成される。 - 特許庁

To provide a P-N junction element and its manufacturing method, especially the P-N junction element including an organic composite material, to provide its manufacturing method, and to provide an organic transistor using the P-N junction.例文帳に追加

本発明は、Ｐ—Ｎ接合素子及びその製造方法に係り、特に有機複合材料を含むＰ—Ｎ接合素子及びその製造方法、該Ｐ−Ｎ接合を利用する有機トランジスタに関する。 - 特許庁

THIN-FILM CRYSTAL WAFER HAVING P-N JUNCTION, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐｎ接合を有する薄膜結晶ウェーハとその製造方法 - 特許庁

A library 12 and a layout 14 are provided with a reference cell and a P/N ratio change cell obtained by changing a P/N ratio with respect to the reference cell.例文帳に追加

ライブラリ１２やレイアウト１４は、基準セルと、この基準セルに対し、Ｐ／Ｎ比を変更したＰ／Ｎ比変更セルとを備える。 - 特許庁

The N-point signal bandwidth is widened to P×N points.例文帳に追加

Ｎポイントの信号に対し、Ｐ×Ｎポイントに帯域を拡張する。 - 特許庁

In a lamp diagnosis device provided with a N-P-N type transistor 15 supplying minute current to a stop lamp 1 and a computer 10 diagnosing the stop lamp 1 based on voltage applied to the stop lamp 1, the N-P-N transistor 15 intermittently supplies the minute current.例文帳に追加

本発明は、ストップランプ１に微電流を入力するn-p-n型トランジスタ１５と、ストップランプ１に加えられている電圧に基づいてストップランプ１を診断するコンピュータ１０と、を備えたランプ診断装置において、n-p-n型トランジスタ１５を、前記微電流を断続的に入力するようにした。 - 特許庁

To provide an organic photocatalyst the production process of which can be simplified and to provide a p-n junction particle and a method for producing the p-n junction particle.例文帳に追加

製造プロセスの簡便化を実現可能な有機光触媒、並びにｐ−ｎ接合型粒子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The register R1 supplies past handover data P[n-1] and P[n-2] to the filter operation circuit 13, and the register R1 is overwritten and updated by the new handover data P[n], outputted from the filter operation circuit 13.例文帳に追加

レジスタＲ１は、過去の引継ぎデータＰ［ｎ−１］及びＰ［ｎ−２］をフィルタ演算回路１３に供給し、フィルタ演算回路１３より出力される新たな引継ぎデータＰ［ｎ］によって上書き更新される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having asymmetric p/n junctions.例文帳に追加

非対称的なｐ／ｎ接合を有する半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

The length of the second parallel p-n structure of the breakdown-proof structure 120 is shorter than that of the first parallel p-n structure of the vertical type drift part 22.例文帳に追加

この耐圧構造部１２０の第２の並列ｐｎ構造の長さは縦形ドリフト部２２の第１の並列ｐｎ構造のそれよりも短くなっている。 - 特許庁

The trench GRV is made, after p-n junction of the photodiodes PD1, PD2 is formed so as to traverse the p-n junction in the thickness direction.例文帳に追加

トレンチ溝ＧＲＶは、ホトダイオードＰＤ１，ＰＤ２におけるｐｎ接合の形成後に、このｐｎ接合を厚み方向に横断するように形成されている。 - 特許庁

SCHOTTKY, P-N JUNCTION DIODE, AND PIN JUNCTION DIODE AND THEIR MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ショットキーダイオード、ｐｎ接合ダイオード、ｐｉｎ接合ダイオード、および製造方法 - 特許庁

Moreover, the present invention provides a manufacturing method of the P-N junction element.例文帳に追加

さらに、本発明は、Ｐ−Ｎ結合素子の製造方法も提供する。 - 特許庁

Moreover, the present invention provides an organic transistor using the P-N junction element.例文帳に追加

また、本発明は、Ｐ−Ｎ結合素子を利用する有機トランジスタを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device can be also applied to ohmic electrode, such as a p-n junction diode.例文帳に追加

本発明はｐｎ接合ダイオードなどのオーミック電極にも応用できる。 - 特許庁

SCANNING PROBE MICROSCOPE AND DETECTION METHOD FOR p-n JUNCTION POSITION BY USING THE SAME例文帳に追加

走査型プローブ顕微鏡とそれを用いたｐ−ｎ接合位置検出方法 - 特許庁

FABRICATION OF DRIFT TYPE SILICON RADIATION DETECTOR HAVING P-N JUNCTION例文帳に追加

ＰＮ接合部分を有するドリフト型シリコン放射線検出器の製造方法 - 特許庁

The reduced capacity at the p-n junction part accelerates the switching sped of the transistor.例文帳に追加

減少したｐｎ接合部容量は、トランジスタのスイッチング速度を加速する。 - 特許庁

A voltage sensor 101 is connected to the output terminals P, N of the step-up device.例文帳に追加

昇圧装置の出力端子Ｐ，Ｎに電圧センサー１０１を接続する。 - 特許庁

The leads P(n) are protruded only from the rear wall 213 of the package 20.例文帳に追加

また、これらのリードＰ（ｎ）はパッケージ２０の後壁２１３のみから突出している。 - 特許庁

Since carbon which functions with respect to the isoelectronics is diffused in the P-N junction, in addition, the luminous efficacy of the P-N junction is improved.例文帳に追加

また、少なくとも上記ＰＮ接合部には、アイソエレクトロニクス中心として機能する炭素が拡散されており、これにより、ＰＮ接合部での発光効率が高められている。 - 特許庁

The dehydrogenation catalyst contains a transition metal and a phosphorus compound having P-N bond.例文帳に追加

遷移金属及びＰ−Ｎ結合を有するリン化合物を含む脱水素触媒。 - 特許庁

A first diffusion region 128 which forms a P+/N diode and a second diffusion region 130 which forms an N+/P diode are insulated by an STI 112a at a semiconductor substrate 100a.例文帳に追加

P+/Nダイオードを構成する第１拡散領域128とN+/Pダイオードを構成する第２拡散領域130が半導体基板100a部分でSTI112aにより絶縁された構造とする。 - 特許庁