「O3」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

MANUFACTURING PROCESS OF (Li, Na, K)(Nb, Ta)O3 TYPE PIEZOELECTRIC MATERIAL例文帳に追加

（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ３系圧電材料の製造方法 - 特許庁

Rotational moment Ma around an eccentric axis line O3 by the normal force Fa is same in direction as rotational moment Mc around the eccentric axis line O3 by the tangential force Fc, and total rotational moment M as a summed-up value of the both is not changed in its direction.例文帳に追加

法線力Faによる偏心軸線O3周りの回転モーメントMaと、接線力Fcによる偏心軸線O3周りの回転モーメントMcは同じ方向であり、両者の和値である合計回転モーメントMの向きは不変である。 - 特許庁

(Li, Na, K)(Nb, Ta)O3 BASED PIEZOELECTRIC MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ３系圧電材料、及びその製造方法 - 特許庁

(Li, Na, K, Bi)(Nb, Ta)O3 BASED PIEZOELECTRIC MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｂｉ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ３系圧電材料及びその製造方法 - 特許庁

(Li, Na, K) (Nb, Ta, Sb) O3 BASED PIEZOELECTRIC MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ）Ｏ３系圧電材料、及びその製造方法 - 特許庁

It is preferable that a substance be used such that O3 is annexed to a hydrochloric acid of 5% or less as the HCl/O3 water.例文帳に追加

ＨＣｌ／Ｏ_3水としては、５％以下の希塩酸にＯ_3を添加したものを用いることが好ましい。 - 特許庁

O3 GENERATION DEVICE AND EXHAUST EMISSION CONTROL SYSTEM OF INTERNAL COMBUSTION ENGINE例文帳に追加

Ｏ３生成装置および内燃機関の排気浄化システム - 特許庁

DEPOSITION OF O3-TEOS OXIDE FILM AND DEPOSITION APPARATUS例文帳に追加

Ｏ３−ＴＥＯＳ酸化膜蒸着方法及び蒸着装置 - 特許庁

Then, O3 water (ozone water) is supplied to a wafer WF rear face from the O3 water supply nozzle for back rinse 15.例文帳に追加

このバックリンス用Ｏ_3 水供給ノズル１５からウェハＷＦ裏面部分にＯ_3 水（オゾン水）が供給されるようになっている。 - 特許庁

METHOD FOR VAPOR DEPOSITING O3-TEOS OXIDE FILM, AND VAPOR DEPOSITION APPARATUS例文帳に追加

Ｏ３−ＴＥＯＳ酸化膜蒸着方法及び蒸着装置 - 特許庁

The concentration of O3 is desirably regulated to 0.5-10 times of the concentration of NO.例文帳に追加

Ｏ_３濃度はＮＯ濃度の０．５〜１０倍とするのが望ましい。 - 特許庁

The processing to be executed by the entity B includes prescribed operations (O1, O2, O3,..., On) or the complemented same operations (-O1, -O2, -O3,..., -On).例文帳に追加

Ｂが実行する処理は、所定の操作（Ｏ_１，Ｏ_２，Ｏ_３…Ｏ_ｎ）かあるいは補完された同一の操作（−Ｏ__１，−Ｏ_２，−Ｏ_３…−Ｏ_ｎ）である。 - 特許庁

The sand is a mineral contg. both SiO2 and Al2 O3 as main ingredients.例文帳に追加

砂は、ＳｉＯ_2 とＡｌ_2 Ｏ_3 を共に主成分として含む鉱物である。 - 特許庁

To obtain a method for depositing an O3-TEOS oxide film and a deposition apparatus for depositing a predetermined substance film including the O3-TEOS oxide film.例文帳に追加

Ｏ_3−ＴＥＯＳ酸化膜の蒸着方法及びＯ_3−ＴＥＯＳ酸化膜を含む所定の物質膜を蒸着するための蒸着装置を提供する。 - 特許庁

In this bulb, the position of a stem of a sub discharge arc S (sub electrode stem O3-O3) and the position of a stem of the main discharge arc M (main electrode stem O4-O4) are offset.例文帳に追加

サブ放電アークＳの軸（サブ電極軸Ｏ３−Ｏ３）の位置とメイン放電アークＭの軸（メイン電極軸Ｏ４−Ｏ４）の位置とがオフセットされている。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING FERROELECTRIC THIN FILM SINGLE CRYSTAL OF PbTiO3 OR Pb(ZrTi)O3例文帳に追加

ＰｂＴｉＯ３またはＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ３の強誘電体薄膜単結晶の製造方法。 - 特許庁

Furthermore, it is desirable that the chemical liquid (HCl/O3/H2O/BHF or DHF) be a substance that DHF or BHF of 1% or less is added to the HCl/O3 water.例文帳に追加

また、薬液（ＨＣｌ／Ｏ_3／Ｈ_2Ｏ／ＢＨＦ又はＤＨＦ）は、ＨＣｌ／Ｏ_3水に１％以下のＤＨＦ又はＢＨＦを添加したものであることが望ましい。 - 特許庁

Similarly, a virtual intermediate field O2 is generated between the odd-numbered fields O1 and O3.例文帳に追加

同様に奇フィールドＯ１、Ｏ３間に仮想的な中間フィールドＯ２を生成する。 - 特許庁

During the rotation of the wafer WF, O3 water (ozone water) is supplied from the O3 water supply nozzle 15 for edge rinsing to the peripheral section of the wafer WF.例文帳に追加

ウェハＷＦの回転中にこのエッジリンス用Ｏ_3 水供給ノズル１５からウェハＷＦ周縁部分にＯ_3 水（オゾン水）が供給されるようになっている。 - 特許庁

The center O2 of the balance weight 5 and the center O3 of the aperture 5a are offset.例文帳に追加

バランスウエイト５の中心Ｏ２と開孔５ａの中心Ｏ３とはオフセットしている。 - 特許庁

The heating chamber 46 may have a means for supplying oxygen(O2) or ozone(O3) gas.例文帳に追加

また、加熱室は、酸素（Ｏ_2）又はオゾン（Ｏ_3）を供給する手段を有していてもよい。 - 特許庁

The surface of a semiconductor substrate is cleaned with a chemical liquid (HCl/O3/H2O/BHF or DHF) in which DHF(diluted hydrofluoric acid) or BHF(buffered hydrofluoric acid) is added to HCl/O3 water.例文帳に追加

ＨＣｌ／Ｏ_3水にＤＨＦ（希フッ酸）又はＢＨＦ（バッファードフッ酸）を添加してなる薬液（ＨＣｌ／Ｏ_3／Ｈ_2Ｏ／ＢＨＦ又はＤＨＦ）により半導体基板表面を洗浄する。 - 特許庁

This requires a point O3 as the center of the control axis 3 to be positioned within a range of θ1.例文帳に追加

このためには、制御軸３の中心となる点Ｏ３が、θ１の範囲内に位置する。 - 特許庁

Also, small circular portion 47 is formed with a center O3, radius R and the central angle β.例文帳に追加

また、小円弧部４７は、中心Ｏ4、半径Ｒおよび中心角βをもって形成する。 - 特許庁

The disk-type brush 14 is rotated in the direction of an arrow A1, which does not supply ozone water (O3 water).例文帳に追加

ディスク型ブラシ１４は、オゾン水（Ｏ_3水）供給を伴ない矢印Ａ１方向に回転される。 - 特許庁

A Ba (Mg, Ta) O3 type provides an example of the one with the perovskite crystal structure.例文帳に追加

上記ペロブスカイト型結晶構造を有するものとしては、Ｂａ（Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ_3 系が挙げられる。 - 特許庁

In a communication system wherein sensor devices 3, 4 transmit secret information through a relay apparatus 2 to a server 1, the relay apparatus 2 generates a substitutive ID information O3' based on its own ID information O3 and communicates with other server 1 using the generated substitutive ID information O3' as its own ID information.例文帳に追加

センサー機器３，４が、中継装置２を介してサーバ１に秘密情報を送信する通信システムにおいて、中継装置２は、自己のＩＤ情報Ｏ３に基づいて代替ＩＤ情報Ｏ３’を生成し、生成された代替ＩＤ情報Ｏ３を、自己のＩＤ情報として用いて他のサーバ１と通信を行う。 - 特許庁

The first axis O1, the second axis O2 and the third axis O3 are parallel and eccentric to one another.例文帳に追加

第１軸Ｏ１、第２軸Ｏ２及び第３軸Ｏ３は、互いに平行であって、互いに偏心している。 - 特許庁

Connection points O2 and O3 are connected to a source voltage Vcc through switching transistors S4 and S6.例文帳に追加

接続点Ｏ２，Ｏ３は、スイッチング用トランジスタＳ４，Ｓ６を介して電源電圧Ｖｃｃと接続される。 - 特許庁

Above and below the hydrogen barrier layer 32, interlayer insulating films 34 and 30 comprising O3-TEOS film are formed.例文帳に追加

また、水素バリヤ層３２の上下には、Ｏ_3 −ＴＥＯＳ膜からなる層間絶縁膜が成膜されている。 - 特許庁

Further, the refractory support portion 30 is formed with a 10 to 80 weight % Cr2O3-Al2 O3 castable.例文帳に追加

さらには、耐火物サポート部３０を１０〜８０重量％Ｃｒ_2Ｏ_3−Ａｌ_2Ｏ_3系キャスタブルで形成する。 - 特許庁

SC-1 cleaning, SC-1 cleaning plus SC-2 cleaning, HF/O3 cleaning, or one kind of HF cleaning plus O3 cleaning or a combination thereof can be employed for the cleaning method.例文帳に追加

洗浄方法はＳＣ−１洗浄、ＳＣ−１洗浄＋ＳＣ−２洗浄、ＨＦ／Ｏ３洗浄、もしくはＨＦ洗浄＋Ｏ３洗浄の内の１種またはこれらを組み合わせた洗浄方法を採用することができる。 - 特許庁

If, with the height of a girder O1 constituting a section which is 150 mm, the height of girders O2, O3, and O4 is 180 mm (S910: Yes), the height of the girder O1 is aligned with those of girders O2, O3, and O4 in S920.例文帳に追加

区画を構成する大梁Ｏ１の高さは１５０mmであるが、大梁Ｏ２、Ｏ３、Ｏ４の高さが１８０mmのときには（Ｓ９１０：Ｙｅｓ）、次のＳ９２０で、大梁Ｏ１の高さを他の大梁Ｏ２、Ｏ３、Ｏ４に揃える。 - 特許庁

When a mouse pointer P is held on any of the objects O1-O3, apparatus information related to the indoor units 10a, 10b... corresponding to the object O1-O3 is displayed on the management screen.例文帳に追加

マウスポインタＰがいずれかのオブジェクトＯ１〜Ｏ３上に保持されると、当該オブジェクトＯ１〜Ｏ３に対応する空間内の室内ユニット１０ａ，１０ｂ，・・・に関連する機器情報が管理画面上に表示される。 - 特許庁

Accordingly, deposition of the O3- TEOS oxide film under conditions of the two steps of high and low temperatures enables to obtain a O3-TEOS oxide film with the lower film-substance dependency removed, avoiding reduction of its productivity.例文帳に追加

したがって、Ｏ_3−ＴＥＯＳ膜を高温及び低温の２段階の温度条件下で蒸着することにより、生産性が低下しない下部膜質依存性が除去されたＯ_3−ＴＥＯＳを得ることができる。 - 特許庁

As a result, in the spherical surface created on the recessed surface, the normal line on the spherical surface passes between the points O2 and O3.例文帳に追加

これにより、凹面に創生される球状面は、該球状面上の法線が点Ｏ_2とＯ_3の間を通る。 - 特許庁

When the projection part 36 is positioned at the first position O3, the mirror body 2 is positioned at a daytime tilt position.例文帳に追加

嵌合凸部３６が第１位置Ｏ３に位置するときには、ミラーボディー２が昼用傾斜位置に位置する。 - 特許庁

In this method of producing the semiconductor element, an AlN foundation layer is formed preferably 9-18 nm thick on a (La0.29Sr0.71)(Al0.65 Ta0.35) O3 substrate having a perovskite layer.例文帳に追加

ペロブスカイト構造の(La_0.29Sr_0.71)(Al_0.65Ta_0.35)O_3基板上に、AlN下地層を好ましくは９〜１８ｎｍの厚さに形成する。 - 特許庁

Collection of measurement data and formation of the adaptable surfaces O1 and O3 are practicable with a rotor unit 1 fixed.例文帳に追加

計測データの収集と適合表面Ｏ１，Ｏ３の形成とはロータ・ユニット１を固定したままで実行する。 - 特許庁

Piezoelectric ceramics contain an oxide with a perovskite structure represented by [{(NamDn)i(BikEt)j}gAh]f(TiuNv)O3.例文帳に追加

［｛（Ｎａ_m Ｄ_n ）_i （Ｂｉ_k Ｅ_t ）_j ｝_g Ａ_h ］_f （Ｔｉ_u Ｎ_____v ）Ｏ_3 で表されペロブスカイト構造を有する酸化物を含有している。 - 特許庁

In other way, SiO2 or PbSiO3 is incorporate; into a principal component comprising PbTiO3 and Pb(MnyW(1-y))O3.例文帳に追加

あるいは、ＰｂＴｉＯ_3と、Ｐｂ（Ｍｎ_yＷ_(1-y)）Ｏ_3とからなる主成分に、ＳｉＯ_2またはＰｂＳｉＯ_3を含有させる。 - 特許庁

A film is grown using O2, O3, N2, O, NO, NO2 and NH3 reactant gases and silane, which is shown by the formula (t-C4H9NH)2 SiH2.例文帳に追加

Ｏ_2 、Ｏ_3 、Ｎ_2 Ｏ、ＮＯ、ＮＯ_2 、ＮＨ_3 の反応物ガスと式（ｔ−Ｃ_4 Ｈ_9 ＮＨ）_2 ＳｉＨ_2 のシランから膜を成長させる。 - 特許庁

Preferably, the chemical formula of the lead based crystal is Pb(B'B")O3-PbTiO3, wherein B' is Mg2+, Zn2+ or Sc3+, and B" is Nb5+.例文帳に追加

好ましくは、鉛ベースの結晶の化学式が、Pb（Ｂ’Ｂ”）O_3−PbTiO_3であり、ここでＢ’が、Mg^2+、Zn^2+又はSc^3+であり、Ｂ”がNb^5+である。 - 特許庁

METHOD FOR REDUCING COD (CHEMICAL OXYGEN DEMAND) IN WASTE WATER BY USING O3 WITH VALENT ION CHELATION例文帳に追加

原子価イオンキレートを伴うＯ３の使用による、廃水中のＣＯＤ（化学的酸素要求量）を低下させるための方法 - 特許庁

An O3 water supply nozzle for back rinse 15 is arranged at the base of the drain cup 13 below the backside of the wafer WF.例文帳に追加

ウェハＷＦ裏面側下方のドレーンカップ１３底部にバックリンス用Ｏ_3 水供給ノズル１５が配設されている。 - 特許庁