NBNを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 9件
The invention includes use of neublastin (NBN) polypeptides.例文帳に追加
ニューブラスチン(NBN)ポリペプチドの使用を包含する。 - 特許庁
The present treatments involve the use of neublastin (NBN) polypeptides.例文帳に追加
本発明の処置は、ニューブラスチン(NBN)ポリペプチドの使用を包含する。 - 特許庁
To provide an electrode structure when a focusing-type field emission cathode (FEC) is manufactured without using NbN metal.例文帳に追加
NbN金属を使用しないで集束型FECを製造する際の電極構造を提供すること。 - 特許庁
For shrinkage, the intersection coordinates K(NB1) between the sewing line to the sewing number NBn and a conversion outline 106B are converted from the sewing number M adjacent to the sewing number NBn of the needle location point on a contact outline 107B between a lacking overlapped portion 105B and a partial embroidery region BB into sewing number NBn for an addition adjustment.例文帳に追加
縮小の際は、不足する重合部分105Bと部分刺繍領域BBとが接する外形線107B上にある針落ち点の縫製番号NBnと隣接する縫製番号Mから、縫製番号NBnへの縫製ラインが、変換外形線106Bと交差する交点座標K(NB1)を縫製番号NBnと変換して追加調整する。 - 特許庁
The manufacturing method comprises the steps of: forming a multilayer structure object consisting of NbN/MgO/NbN-SIS bonding on an MgO temporary substrate; forming SiO_2 on the multilayer structure object as a substrate; and forming the thin film device by removing the MgO temporary substrate by etching.例文帳に追加
MgO仮基板上にNbN/MgO/NbN−SIS接合からなる多層構造体を形成し、該多層構造体上に基板としてSiO_2を形成し、ついでエッチングにより前記MgO仮基板を除去することで薄層デバイスを作成する。 - 特許庁
To achieve ohmic contact between an NbN superconductive electrode layer and a two-dimensional electron gas by inserting an In-Sn layer between the NbN superconductive electrode layer and a GaAs layer for heat treatment in a semiconductor coupled superconductive device having two NbN superconductive electrode layers that becomes the GaA layer for forming the two-dimensional electron gas and the source and drain electrode layer of a superconductive current.例文帳に追加
二次元電子ガスを形成するGaA層と超伝導電流のソース及びドレイン電極層となる二つのNbN超伝導電極層を有する半導体結合超伝導素子において、NbN超伝導電極層とGaAs層との層間にIn−Sn層を挿入し熱処理することにより、NbN超伝導電極層と二次元電子ガスとのオーミック接触を実現させるものである。 - 特許庁
Since the nitride is formed at a stoichiometric ratio of 1:1 of Nb:N in the NbN base layer 14, the formed metal nitride and nitride semiconductors display the same stoichiometric ratio.例文帳に追加
さらに、NbNベース層14におけるNbはNと1:1の化学量論比で窒化物を形成するために、形成され金属窒化物と窒化物半導体とは同一の化学量論比を呈する。 - 特許庁
The alloy is composed of an Fe-Mn-Si, Fe-Mn-Si-Cr or Fe-Mn-Si-Cr-Ni type iron-based shape memory alloy containing coherent precipitates of either or both of VN and NbN (more precisely, berthollide compounds having no stoichiometric composition and represented by V_4N_3 etc.).例文帳に追加
VNとNbN(厳密には化学量論的な組成をとらず、V_4N_3などと記述されるBerthollide型化合物)の内の1種または2種の整合析出物を含むFe−Mn−Si系、Fe−Mn−Si−Cr系またはFe−Mn−Si−Cr−Ni系の鉄基形状記憶合金。 - 特許庁
A notice board network NBN is formed of a plurality of communicatable vehicles 11 to 13 fulfilling participation conditions to a notice board network being one of the logical networks, and a host 11 manages the members of the notice board network among the members by a member list MBL, and collects noticed information provided by the respective members to create a notice board NB, and distributes the prepared notice board to all members.例文帳に追加
論理ネットワークの1つである掲示板ネットワークへの参加条件を満たす通信可能な複数の車輌11〜13で掲示板ネットワークNBNを形成し、メンバーのうちホスト11は掲示板ネットワークのメンバーをメンバーリストMBLで管理すると共に、各メンバーが提供する掲示情報を収集して掲示板NBを作成し、該作成した掲示板を全メンバーに配布する。 - 特許庁
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