「Lattice」に関連した英語例文の一覧と使い方(92ページ目) - Weblio英語例文検索

The black AlN-based ceramic contains an aluminum oxynitride (AlON) phase having lattice defect caused by the reaction of aluminum oxide with aluminum nitride when a powdery mixture consisting of 1-30 wt.% aluminum oxide and the balance being aluminum nitride is molded and sintered, comprises practically 2 phases of AIN and AION, has density 90% of the theoretical value and turns black.例文帳に追加

本発明の黒色ＡｌＮ系セラミックスは、１〜３０重量％の酸化アルミニウムと残部が実質的に窒化アルミニウムより成る混合粉体を成形・焼結し、焼結中に酸化アルミニウムと窒化アルミニウムとの反応により生じる格子欠陥を有するＡｌＯＮ相を含有し、実質ＡｌＮとＡｌＯＮの２相とから成り、密度が理論値の９０％以上で黒色を呈する。 - 特許庁

In the production method, by using spherical particulates for an etching mask, a lithography stage is reduced, mask formation is possible in a simple process, and periodic spacing can be controlled at a high precision in accordance with the particle diameter of the particulates, and further, the selection ratio with a base material can be freely controlled and lattice height can be controlled to a high precision in accordance with the material of the particulates.例文帳に追加

エッチングマスクに球状の微粒子を用いることで、リソグラフィ工程を削減し、簡易な工程でマスクの形成ができ、微粒子の粒径で周期間隔を高精度に制御することが可能になるとともに、微粒子の材料により基材との選択比を自由に制御でき、格子高さを高精度に制御することができる製造方法としたものである。 - 特許庁

Because N is added to the layer 4, lattice constant is small and wavelength is long, in addition, band gap energy is small because of the large electronegativity of N, and band discontinuity in a conduction band increases, overflow in implanted carrier remarkably decreases, and temperature characteristics are improved, as compared with a light emitting device where a GaInAsP/InP based material that is a conventional material is used.例文帳に追加

活性層４は、Ｎが添加されたことにより、格子定数が小さく、波長が長波長となり、また、Ｎがその電気陰性度が大きいことにより、バンドギャップエネルギーが小さく、かつ、伝導帯のバンド不連続が大きくなり、従来の材料系であるＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系材料を用いた発光素子に比べて、注入キャリアのオーバーフローが激減し、温度特性が向上している。 - 特許庁

To provide a method for producing a colloidal crystal fixed with a polymer, wherein the fixation is performed while the arrangement structure of colloidal particles formed in a solution is sufficiently maintained, as well as the crystal structures (lattice constant, crystal form, etc.) of the colloidal crystal can be easily controlled, and the colloidal crystal can be efficiently produced whose scattering and transmittance of light is sufficiently controlled.例文帳に追加

液中に形成されたコロイド粒子の配列構造を十分に維持して固定化することができるとともにコロイド結晶の結晶構造（格子定数、結晶型等）を容易に制御することができ、しかも光の散乱や透過が十分に抑制されたコロイド結晶を効率よく製造することを可能とするポリマーで固定化されたコロイド結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The circuit simulator is provided with a storage device storing a pattern arranging in lattice a model constructed based on the size and position of the plurality of transistors and a measuring data measuring the electric characteristic of a part of transistors, and a processing part which specifies other transistors in the pattern based the interpolation rule and obtains the interpolated data interpolated the electric characteristic of other transistors based on the measuring data.例文帳に追加

回路シミュレータは、複数のトランジスタのサイズと位置に基づいて構築されたモデルを格子状に配置したパターン、および、一部のトランジスタの電気特性を測定した測定データを格納した記憶装置と、補間規則に基づいてパターン内で他のトランジスタを特定し、測定データに基づいて他のトランジスタの電気特性を補間した補間データを取得する処理部とを有する。 - 特許庁

The loseness of the release film 7 is absorbed by increasing a mold resin surface area by the projections 8 arranged to the undersurface of a floating block 5a in a lattice form so as to partition respective semiconductor chips 1 molded collectively from a resin to extend the looseness of the release film 7 and the generation of wrinkles in the peripheries of the semiconductor chips 1 at the time of mold clamping is prevented.例文帳に追加

リリースフィルム７の弛みを引き延ばすように、フローティングブロック５ａの下面に、一括樹脂モールドされる各半導体チップ１を仕切るように格子状に配置された凸状突起８によって、モールド樹脂表面積を増やすことによりリリースフィルム７の弛みを吸収し、金型クランプ時に発生する半導体チップ１の周囲のシワの発生を防止するようにした。 - 特許庁

In an adhesive sheet 10 for electronic component which is used between an IC chip 6 and its mounting area of a board 2 or between laminated IC chips 6 to 10 adhesively fix the chips, the sheet is formed therein with a plurality of openings 10H each of which has a predetermined surface area when viewed in a plane and which are arranged in a lattice planar shape.例文帳に追加

ＩＣチップ６を取り付ける基板２と上記ＩＣチップ６との間および積層されたＩＣチップ６，７間を接着固定するための電子部品用接着シート１０であって、平面視で各々所定面積を有する複数の開口部１０Ｈが形成され、これら複数の開口部１０Ｈが格子状の平面形状に配列されていることを特徴とする。 - 特許庁

A sensor 10 is equipped with an optical element 20 having a core layer 23 of a photonic crystal structure and a change in the optical characteristics (a lattice interval or a refractive index) of the core layer 23 (waveguide 25) when a specific molecule becoming a detection object is adsorbed on the core layer 23 while the presence or concentration of the specific molecule in an atmosphere in which the sensor is placed is detected.例文帳に追加

センサ１０は、フォトニック結晶構造のコア層２３を有する光学素子２０を備え、コア層２３に検出対象となる特定分子が吸着したときの、コア層２３（導波路２５）の光学特性（格子間隔や屈折率）の変化を検出部４０で検出し、センサ１０が置かれた雰囲気中における、特定分子の存在の有無や特定分子の濃度を検出する。 - 特許庁

Concrete laying blocks of 25-50 cm in length, 40-100 cm in width and 30-50 cm in depth are stacked in tiers in a zigzag manner toward the river side, a lattice-like net body having a predetermined width is held in a locking manner in each back-fill direction to the secondary side of each laying block, and the earth and sand is rolling-compacted.例文帳に追加

縦寸法２５ｃｍ〜５０ｃｍ、横寸法４０ｃｍ〜１００ｃｍ、奥行寸法３０ｃｍ〜５０ｃｍのコンクリート製積みブロックを、川面側へ千鳥状に段重ねし、各積みブロックの控え尻側に対し、夫々れの裏込め方向へ一定の巾寸法を有する格子状網体を係止させるように挟み込んで土砂を転圧して施工する。 - 特許庁

This method for manufacturing a semiconductor wafer is provided with a process for growing epitaxially an SiGe layer on a surface of a first silicon single crystal wafer, a process for coupling a surface of the SiGe layer with a surface of a second wafer via an oxide film, and a process for thinning the first silicon single crystal wafer coupled with the second wafer and exposing the Si layer including lattice strain.例文帳に追加

第１のシリコン単結晶ウェーハの表面にＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長する工程と、該ＳｉＧｅ層の表面と第２のウェーハの表面とを酸化膜を介して結合する工程と、該第２のウェーハと結合された該第１のシリコン単結晶ウェーハを薄膜化して格子歪みを内在するＳｉ層を露出させる工程と、を有するようにした。 - 特許庁

A first electronic supply layer 5 is formed thinly with AlN, and further, an inclined composition layer is formed as a second electronic supply layer 6, resulting in alleviating stress generated in an interface by the inclined composition layer irrespective of the formation of a hetero interface with GaN and AlN having a large lattice constant difference, and the generation of cracks in the electronic supply layer is restrained.例文帳に追加

第１電子供給層５をＡｌＮによって薄く形成し、さらに第２電子供給層６として傾斜組成層を設けることにより、ヘテロ界面が格子定数差が大きいＧａＮとＡｌＮとによって形成されているにも関わらず、該界面で生じる応力が傾斜組成層によって緩和され、電子供給層におけるクラックの発生が抑制される。 - 特許庁

In a semiconductor distortion multi-layer structure substrate having at least one sacrificial layer 6 and at least one distortion layer 7 having different lattice constants laminated therein, the beam or chip is formed by patterning the sacrificial layer 6 and the distortion layer 7 by photolithography, and etching-removing the sacrificial layer 6 by selective etching, resulting in the displacement of the remaining distortion layer 6.例文帳に追加

互いに格子定数の異なる犠牲層６と歪層７とが少なくとも１層ずつ積層されてなる半導体歪多層構造基板において、犠牲層６と歪層７とがフォトリソ技術によってパターニングされるとともに、犠牲層６が選択的エッチングによりエッチング除去され、残存する歪層６が変位することによりビームまたはチップが形成されている。 - 特許庁

The fuel cell system 100 has a compressor 22 for compressing an oxidation gas, a fuel cell 102 for having supply of the oxidation gas from the compressor 22, and a silencer 24 arranged in the middle of a piping supplying the oxidation gas outputted from the compressor 22 to the fuel cell 102 and having a rectifying plate with a lattice shape or a honeycomb shape inside a case.例文帳に追加

酸化ガスを圧縮する圧縮機２２と、圧縮機２２から酸化ガスの供給を受ける燃料電池１０２と、圧縮機２２から出力される酸化ガスを燃料電池１０２へ供給する配管の途中に設けられ、筐体内部に格子状又はハニカム形状の整流板を備えた消音器２４と、を備える燃料電池システム１００とする。 - 特許庁

An electron beam apparatus has an electron beam diffraction image analyzing part 3 for calculating lattice spacing based on a diffraction image taken in by a TV camera 10 for observing the electron beam diffraction image, an EDX analyzing part 2 connected to an EDX detector 9 to find a substance composition, and a substance identifying part 4 provided with a database for retrieval for identifying the substance and a database retrieving function.例文帳に追加

電子線装置に、電子線回折像観察用ＴＶカメラ１０によって取り込んだ回折像から格子面間隔を算出する電子線回折像解析部３、ＥＤＸ検出器９に接続され物質組成を求めるＥＤＸ分析部２、物質同定のための検索用データベースとデータベース検索機能を備えた物質同定部４を有する。 - 特許庁

Since the lines of the lattice pattern 101 are not made parallel with the sides 100a and 100b of the medium 100, handwritten characters or graphics having many components parallel with the sides 100a and 100b of the medium 100 can be inputted accurately, and thus the writing recording system with high detecting precision which can reproduce accurate script is obtained.例文帳に追加

これにより、格子模様１０１を被筆記媒体１００の辺１００ａ，１００ｂと平行にならないようにすることで、被筆記媒体１００の辺１００ａ，１００ｂに平行な成分が多い手書き文字、図形を正確に入力することができるので、正確な筆跡を再現することができる検出精度の高い筆記記録システムを得ることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nitride semiconductor crystal separated from a different kind substrate by cutting a nitride semiconductor wafer where the nitride semiconductor crystal is epitaxially grown on the different kind substrate into two portions and in the method, an area including faults caused by lattice unconformity in high density is not included in a nitride semiconductor crystal layer separated from the different kind substrate.例文帳に追加

異種基板上に窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させてなる窒化物半導体ウェハを２つの部分に切り離して、異種基板から分離した窒化物半導体結晶を得る窒化物半導体結晶の製造方法において、異種基板から分離した窒化物半導体結晶層に、格子不整合に起因する欠陥を高密度に含む領域が含まれないようにする - 特許庁

Zirconium oxide particulate (yttrium-noble metal-contained zirconium oxide particulate) which contains yttrium and a noble metal element in a crystal lattice made of mainly zirconium oxide is carried by carbon particles, and the total content of the noble metal element is 0.04-0.2 mol% to the total content of the metal elements constituting the yttrium-noble metal-contained zirconium oxide particulate.例文帳に追加

酸化ジルコニウムを主体とする結晶格子中にイットリウムおよび貴金属元素を含有してなる酸化ジルコニウム微粒子（イットリウム・貴金属含有酸化ジルコニウム微粒子）がカーボン粒子に担持されており、前記貴金属元素の総含有量が、当該イットリウム・貴金属含有酸化ジルコニウム微粒子を構成する金属元素の総含有量に対して0.０４〜0.２ｍｏｌ％である構成とする。 - 特許庁

A pixel block where a plurality of pixels having color information equal to that of a target pixel are arranged and having a nonsquare dot matrix of a predetermined shape is generated from the target pixel, an enlarged digital image is generated by arranging pixel blocks generated for each pixel of an input digital image in lattice, and enlarged image data representing the enlarged digital image are outputted.例文帳に追加

注目画素から注目画素と等しい色情報をもつ複数の画素を配列した画素ブロックであって非方形かつ既定形状のドットマトリックスである画素ブロックを生成し、入力ディジタル画像の各画素ごとに生成する画素ブロックを格子状に配列した拡大ディジタル画像を生成し、この拡大ディジタル画像を表現する拡大画像データを出力する。 - 特許庁

The optical cross connecting system comprises an address detector inputting (n) pieces of wavelength components of optical wavelength multiplexing as input lights, an optical diffusion unit, and a condenser unit for outputting (m) pieces of wavelength components perpendicularly crossed with the optical diffusion unit, by controlling switching of a space lattice matrix of an optical shutter by obtaining information from the detector and connection information.例文帳に追加

光波長多重のｎ個の波長成分を入力光とするアドレス検出部および光拡散部を設け、アドレス検出部と接続情報から情報を得て光シャッタの空間格子マトリックスの開閉を制御し、そして光拡散部に直交するｍ個の波長成分を出力する集光部を構成することによって上記課題を克服している。 - 特許庁

The semiconductor substrate includes a first semiconductor region and a second semiconductor region which is formed of crystal almost equal to that of the first semiconductor region, on the first semiconductor region, and is deviated from the first semiconductor region by a specified angle, with the direction vertical to the surface as an axis, in terms of crystal axis of unit lattice.例文帳に追加

本発明の一態様に係る半導体基板は、第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域上に前記第１の半導体領域と略等しい結晶から形成され、表面に垂直な方向を軸にして所定の角度だけ前記第１の半導体領域と単位格子の結晶軸の方向がずれている第２の半導体領域と、を有する。 - 特許庁

Allowing time is inserted between the point, when lead dioxide layer with the thickness of 50-550 μm is generated in the active substance surrounding the positive electrode lattice and the point, when total sum of lead dioxide and anglesite reaches 90 wt.% of the total amount if positive active substance, after the chemical conversion.例文帳に追加

上記課題を解決するために、本発明の鉛蓄電池の化成方法では、正極格子周囲の活物質に厚さ１５０〜５５０μmの二酸化鉛層が生成される時点と、二酸化鉛と硫酸鉛との総和量が化成後の正極活物質の総量に対して９０ｗｔ％となる時点との間に、放置を入れることにより、上記のような極板が得られる。 - 特許庁

A base layer 12 of the lead layer 13 is formed of ruthenium having the orientation plane (100) of a hexagonal crystal structure, and a low-resistance tantalum having a body-centered lattice structure is epitaxially grown on the ruthenium base layer 12 and laminated to form a tantalum conductive layer 11.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１５に対してオーバーラップ状態で電極リード層１３を形成するに、電極リード層１３の下地層１２として六方格子型の結晶構造で（１００）配向面をもつルテニウムで成膜し、そのルテニウムの下地層１２の上に体心立方格子型の構造を持った低抵抗なタンタルをエピタキシャル成長をもって積層してタンタル導電層１１となす。 - 特許庁

In an membrane-electrode for a fuel cell and a fuel cell system including the same, the assembly includes a catalyst layer disposed on one face of a polymer electrolyte membrane, the catalyst layer contains an alloy catalyst made of platinum and a transition element, and the D-band lattice vacancy of the 5d band orbit of the catalyst is larger than 0.3 and 0.45 or less at the electron configuration of platinum.例文帳に追加

本発明は、燃料電池用膜-電極アセンブリ及びこれを含む燃料電池システムに関し、膜-電極アセンブリは高分子電解質膜の一方の面に配置される触媒層を含み、触媒層は白金及び遷移元素の合金触媒を含み、触媒は白金の電子配列において、５ｄバンドオービタルのＤ-バンド空格子点が０．３より大きく０．４５以下である。 - 特許庁

In this negative electrode material, preferably the primary particles 2 is made of crystalline carbon, ^7Li-NMR spectrum of the fully charged negative electrode material has one signal at 10 to 20 ppm at the LiCl aqueous solution standard, 002 lattice constant measured by an XRD method of the primary particles 2 is 0.68 to 0.70 nm, and the carbon of the primary particles 2 is anisotropy optically.例文帳に追加

この負極材において、好ましくは、一次粒子２が結晶性炭素からなり、満充電した負極材の^7Ｌｉ−ＮＭＲスペクトルが、ＬｉＣｌ水溶液基準で１０〜２０ｐｐｍに一つのシグナルを有し、一次粒子２のＸＲＤ法による００２格子定数が０．６８〜０．７０ｎｍであり、一次粒子２の炭素が光学的に異方性である。 - 特許庁

Mixing vanes 53, 55, 63 and 65 formed in one on straps 50 and 60 in a support lattice 40 constituted by assembling a plurality of straps 50 and a plurality of straps 60 are formed so that the bending line to be the base point of inclination positions at the tip end side of nugget holes and that the nugget holes do not come out in the horizontal projection plan perpendicular to coolant flow.例文帳に追加

複数のストラップ５０と複数のストラップ６０とを組立てて構成される支持格子４０において、ストラップ５０、６０に一体的に形成されるミキシングベーン５３、５５、６３、６５は、その傾斜面の基点となる折り曲げ線がナゲット穴より先端側に位置するように形成され、冷却材流に直交する水平投影面図にナゲット穴が現れないようにしている。 - 特許庁

This system has an electron beam diffraction image analytical part 3 for calculating a lattice spacing from an electron beam diffraction image picked up by a TV camera 10 for observing the electron beam diffraction image, in an electron beam device, an EDX analytical part 2 connected to an EDX detector 9 to find a substance composition, and a substance identification part 4 provided with a database for retrieval for substance identification, and a database retrieval function.例文帳に追加

電子線装置に、電子線回折像観察用ＴＶカメラ１０によって取り込んだ回折像から格子面間隔を算出する電子線回折像解析部３、ＥＤＸ検出器９に接続され物質組成を求めるＥＤＸ分析部２、物質同定のための検索用データベースとデータベース検索機能を備えた物質同定部４を有する。 - 特許庁

A specified number of FRP-made forms 2 formed of a tabular board 4 having a plurality of openings 3 to form a lattice at the upper part and hollow legs 5 having the bottom 6 communicating with the openings 3 at the lower part and having a length for retaining wiring spaces 8 between the openings 3 and the bottom 6 are laid so that the spaces 8 communicate with each other.例文帳に追加

建築物の床スラブ１上に上部は格子状に複数の開口部３を有する平板４と下部は該開口部３に連通する底部６を有し、且つ、該開口部３と該底部６間は配線のための空隙部８を保持する長さを有する中空の脚５とで形成されるＦＲＰよりなる型枠２を該空隙部８が連通するように所定数敷設する。 - 特許庁

The image display device is provided with a plurality of phosphor films arranged two-dimensionally on a substrate, lattice-like barrier ribs formed on the substrate for partitioning the phosphor films, a plurality of metal-backs each of which covers at least one phosphor film, and a resistance wiring which electrically connects a plurality of metal-backs and has higher sheet resistance than the metal-back.例文帳に追加

画像表示装置が、基板上に二次元的に配置された複数の蛍光体膜と、蛍光体膜の間を仕切るために基板上に形成された格子状の隔壁と、各々が少なくとも１つの蛍光体膜を覆う複数のメタルバックと、複数のメタルバック同士を電気的に接続する、メタルバックよりも高いシート抵抗を有する抵抗配線と、を備える。 - 特許庁

In the photonic crystal 100 in which many through holes 18 constitute an ordered lattice in the plate like continuous body supported on a substrate 10 with voids 16 at the peripheral part and having a 1st refractive index, the voids 16 and the through holes 18 are filled with a low refractive index material 22 having a 2nd refractive index smaller than the 1st refractive index.例文帳に追加

基板１０上に空洞１６を介して周縁部が支持されている第１の屈折率を有する板状連続体１４内に、多数の貫通孔１８が規則格子を構成しているフォトニッククリスタル１００において、空洞１６および貫通孔１８が、上記第１の屈折率よりも小さい第２の屈折率を有する低屈折率材料２２で充填されている。 - 特許庁

but now, from the interior of that dark niche which has been already mentioned as forming a part of the Old Republican prison, and as fronting the lattice of the Marchesa, a figure muffled in a cloak, stepped out within reach of the light, and, pausing a moment upon the verge of the giddy descent, plunged headlong into the canal. 例文帳に追加

が、このとき、すでに申した通り、共和国時代の牢獄の一部であり、公爵夫人の寝室の格子窓と向かい合っているあの暗い軒蛇腹の背後から、外套を纏った人影が松明の明かりで照らされているところまで歩み出ると、目の眩むような断崖絶壁の淵で一瞬立ち止まったかと思いきや、あっという間に運河めがけて飛び込んだのです。 - Edgar Allan Poe『約束』

To obtain a mold for molding a ceramic honeycomb structure having lattice-like molded channels and body feeding holes arranged staggered at the intersection points of the molded channels or at each intersection point to communicate with the molded channels which has strength to prevent the break of the ceramic honeycomb structure during molding and can improve the strength of the ceramic honeycomb structure after being fired.例文帳に追加

格子状とした成形溝と、この格子状の成形溝の交点に千鳥状または各交点ごとに配置されて成形溝に連通する坏土供給孔を有するセラミックハニカム構造体成形用金型であって、セラミックハニカム構造体の成形時に破損を防止し得る強度を有し、しかも焼成後のセラミックハニカム構造体の強度を向上することができる成形用金型を得る。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a semiconductor substrate, a channel region formed on the surface of the semiconductor substrate, source and drain regions respectively formed on both sides of the channel region of the semiconductor region, a gate insulating film so formed as to cover the channel region, and a gate electrode formed on the insulating film, wherein the gate insulating film is formed by a super-lattice single-crystal insulator film.例文帳に追加

半導体基板と、この半導体基板の表面に形成されたチャネル領域と、このチャネル領域の両側の前記半導体基板に形成されたソース・ドレイン領域と、前記チャネル領域を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、この絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有する半導体装置において、前記ゲート絶縁膜が超格子単結晶絶縁体膜で形成されている。 - 特許庁

The natural circulation boiling water reactor 1 comprises a core 7 loaded with a plurality of fuel assemblies 21 and a chimney 11 installed above the core 7 and having channel bulkheads 11b guiding a two-phase (gas-liquid) flow ascending from the core 7 to a plurality of vertical lattice channels 11a, and an equalizing space 35 not having the channel bulkhead 11b is provided below the chimney 11.例文帳に追加

本発明の自然循環式沸騰水型原子炉１は、複数の燃料集合体２１を装荷した炉心７と、炉心７の上方に設置され、炉心７から上昇する気液二相流を複数の鉛直方向の格子流路１１ａに導く流路隔壁１１ｂを有するチムニ１１とを備え、前記チムニ１１の下部に、流路隔壁１１ｂのない均圧空間３５を設けている。 - 特許庁

For example, a polarizing optical element 7 having the the polarizing diffraction grating or hologram having a structure in which two media 2, 3 of different alignment states are alternately and periodically aligned on the substrate 1 has a lattice structure in which one medium 2 exhibits double refraction, the other medium 3 exhibits isotropy, and the boundary between the media 2, 3 is of a slanted rectangular form.例文帳に追加

一例としては、基板１上に配向状態の異なる２つの媒質２，３が交互に周期的に配列した格子構造をもつ偏光性の回折格子またはホログラムを有する偏光光学素子７において、一方の媒質２は複屈折性を示す媒質で、他方の媒質３は等方性を示す媒質とし、媒質２，３の境界が傾斜した矩形形状である格子構造とする。 - 特許庁

In a method comprising the steps of forming a first semiconductor film having a lattice constant different from that of a substrate on the substrate, making the first semiconductor film porous, cleaning the surface of the porous semiconductor film, and forming a second semiconductor film having the same composition as that of the first semiconductor film on the cleaned surface; atomic hydrogen is used at least in a part of these steps.例文帳に追加

本発明は、基板上に基板とは格子定数の異なる第一の半導体膜を形成する工程と該第一の半導体膜を多孔質化する工程と、該多孔質化した半導体膜の表面をクリーニングする工程と、該クリーニングした表面上に該第一の半導体膜と同じ組成の第二の半導体膜を形成する工程において、該工程の少なくとも一部に原子状水素を用いたことを特徴とする。 - 特許庁

The deposition method is a method of a metal film at least a part of which is etched after deposition, wherein the metal film consisting of the metal or the ruthenium is formed on a substrate, by flowing source gas and nitrogen gas on the substrate to decompose the source gas, the source gas is composed of gas involving the metal or ruthenium having a crystal structure of body-centered cubic lattice, and hydrogen gas.例文帳に追加

成膜後に少なくともその一部がエッチングされる金属膜の成膜方法であって、 結晶構造が体心立方格子構造の金属またはルテニウムを含有するガスと水素ガスとを含むソースガスと、窒素ガスと、を基体上に流し前記ソースガスを分解することにより前記金属または前記ルテニウムからなる金属膜を前記基体の上に形成することを特徴とする成膜方法を提供する。 - 特許庁

This method comprises the steps of forming a dielectric film partially on a substrate, forming a first semiconductor film having a lattice constant different from that of the substrate to sandwich the dielectric film, making the first semiconductor film porous, cleaning the surface of the porous semiconductor film, and forming a second semiconductor film having the same composition as that of the first semiconductor film on the cleaned surface.例文帳に追加

本発明は、基板上に部分的に誘電体膜を形成する工程と、該誘電体膜を挟んで基板とは格子定数の異なる第一の半導体膜を形成する工程と該第一の半導体膜を多孔質化する工程と、該多孔質化した半導体膜の表面をクリーニングする工程と、該クリーニングした表面上に該第一の半導体膜と同じ組成の第二の半導体膜を形成することを特徴とする。 - 特許庁

An n-type thermoelectric conversion material comprises a cobalt antimonide compound of filled skutterudite structure where a void small lattice with no antimony ring present is partially filled with a filling element, among crystal small lattices of the cobalt antimonide compound of skutterudite type crystal structure, with a cobalt of a component element replaced with palladium by 1-10 atom %.例文帳に追加

スクッテルダイト型結晶構造を有するコバルトアンチモナイド化合物における結晶小格子のうち、アンチモンリングが存在しない空隙小格子を充填元素で部分的に充填したフィルドスクッテルダイト構造のコバルトアンチモナイド化合物であって、その構成元素コバルトをその１原子％から１０原子％までの割合でパラジウムにより置換したコバルトアンチモナイド化合物からなることを特徴とするｎ型熱電変換材料。 - 特許庁

A superconductor forming method is constituted by irradiating beams of a pair of femtosecond pulse lasers consisting of a fist pulse laser for irradiating a femtosecond pulse laser beam to conductor atoms of performing lattice vibration and a second pulse laser for irradiating a femtosecond pulse laser beam of the same phase to the first pulse laser beam even from the opposite direction of 180 degree to that of the first laser, to the conductor atoms.例文帳に追加

格子振動をする導体原子に対して、フェムト秒パルスレーザーを照射する第１パルスレーザーと、原子に対して１８０度反対方向からも上記第１パルスレーザーに対して、同位相のフェムト秒パルスレーザーを照射する第２パルスレーザーとからなる一対のフェムト秒パルスレーザーを導体原子に照射し格子振動を減衰させることによる、超電導体の形成方法である。 - 特許庁

Electric characteristics of a semiconductor wafer are measured, while measuring diffracted rays derived from a prescribed crystal face from a semiconductor single crystal substrate when incident beams of fixed wavelength which cause a diffraction phenomenon due to a semiconductor crystal lattice are incident on a main surface of the semiconductor wafer, and a relation (diffracted rays/characteristic relationship) between measurement information of the diffracted rays and the electric characteristics is determined.例文帳に追加

半導体ウェーハの電気的特性を測定する一方、該半導体ウェーハの主表面に、半導体結晶格子により回折現象を起こしうる一定波長の入射線ビームを入射させたときの、該半導体単結晶基板からの特定結晶面に由来する回折線の測定を行ない、該回折線の測定情報と電気的特性との関係（回折線／特性関係）を決定する。 - 特許庁

An image processing apparatus is provided with a color conversion section using a color conversion table in which gradation values in a second color system are correlated for each of a plurality of reference points arranged in lattice in a color space representing gradation values in a first color system to convert the gradation value of each of pixels constituting image data expressed in the first color system into gradation values in the second color system.例文帳に追加

画像処理装置は、第１の表色系における階調値を表す色空間内に格子状に配置された複数の参照点のそれぞれについて第２の表色系における階調値が対応付けられた色変換テーブルを用いて、第１の表色系で表現された画像データを構成する各画素の階調値を第２の表色系における階調値に変換する色変換部を備える。 - 特許庁

An image generating apparatus 100 which generates an output image based on a plurality of input images captured by a plurality of cameras attached to a shovel 60 arranges two input image parts so that the input image parts of two cameras 2R, 2B corresponding to the region where the imaging ranges of the two cameras 2R, 2B overlap form a lattice pattern in the output image.例文帳に追加

ショベル６０に取り付けられた複数のカメラが撮像した複数の入力画像に基づいて出力画像を生成する画像生成装置１００は、二つのカメラ２Ｒ、２Ｂのそれぞれの撮像範囲が重複する領域に対応するそれら二つのカメラ２Ｒ、２Ｂのそれぞれの入力画像部分がその出力画像において格子模様を形成するように、それら二つの入力画像部分を配置する。 - 特許庁

To obtain sufficient bonding strength in a crossing part even with respect to a homogenous molecularly oriented plastic rod-like body of a single layer without requiring any additional coating when a high tensile strength/large area lattice material is produced from a plastic rod-like body through a bonding process and to ensure economical productivity without markedly damaging molecular orientation in the crossing part.例文帳に追加

プラスチック棒状体から接合工程を経て高抗張力大表面積格子材を製造する際に、如何なる追加被覆も必要無しに単一層の均質な分子配向プラスチック棒状体でも交差部分において充分な接合強度が得られると共に交差部分における分子配向を著しく損なうことがなく、しかも経済的な生産性を確保することができるようにする。 - 特許庁

In the epitaxial wafer for HBT for successively laminating and forming the buffer layer 2, the subcollector layer 3, a collector layer 4 and an emitter layer 6 on a semi-insulating substrate 1, graded layers 11 and 12 changed continuously so as to relax the lattice distortion by a composition ratio between the semi-insulating substrate 1 and the buffer layer 2, and between the subcollector layer 3 and the buffer layer 2, respectively.例文帳に追加

半絶縁性基板１上にバッファ層２、サブコレクタ層３、コレクタ層４、ベース層５及びエミッタ層６が順に積層形成されたＨＢＴ用エピタキシャルウェハにおいて、前記半絶縁性基板１及び前記バッファ層２の間と、前記サブコレクタ層３及び前記バッファ層２の間とに、それぞれ組成比が格子歪を緩和させるように連続的に変化するグレーデッド層１１、１２を形成する。 - 特許庁

To provide a method by which a surface oxide film formed on a semiconductor layer made of InGaAs or InGaAsP is effectively removed to form a clean flat surface and at the same time to form a semiconductor layer for relieving lattice distortion to relieve accumulated distortion at a growing interface and then a III-V group compound semiconductor layer having less defects and good crystallinity is regrown.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓもしくはＩｎＧａＡｓＰよりなる半導体層上に形成されている表面酸化膜を効果的に除去し、清浄で平坦な表面を形成すると同時に、格子歪みを緩和する半導体層を形成させて、成長界面に歪みの蓄積がなく、再成長膜に欠陥の発生の少ない結晶性の良好なIII−Ｖ族化合物半導体膜を再成長する方法を提供する。 - 特許庁