「Lattice」に関連した英語例文の一覧と使い方(91ページ目) - Weblio英語例文検索

A fuel assembly 10 includes fuel rods 12 arranged like a square lattice in a horizontal sectional view and loaded with nuclear fuel pellets, and solid moderators 13 formed such that the occupancy is larger in the upper horizontal cross-section than in the lower horizontal cross-section and comprising a material with a hydrogen atom density higher than that of cooling water.例文帳に追加

燃料集合体１０は、水平断面視において正方格子状に配列されるとともに核燃料ペレットが装填されている燃料棒１２と、下側の水平断面よりも上側の水平断面において占有率が大きく形成されるとともに冷却水よりも水素原子密度の高い素材からなる固体減速体１３と、を備えている。 - 特許庁

The photocatalytic module 9 which decomposes odor components, poisonous substances and like in air is grasped with discharge electrodes 5 and 7 within an air path 3 for making air flow therethrough and at least one of the pair of discharge electrodes 5 and 7 is formed in the shape of a honeycomb or a lattice that has a number of air paths 21 with a specified length for making air pass therethrough.例文帳に追加

空気中の臭気成分や有害物質等の分解を行なう光触媒モジュール９を、空気が流れる送風路３内において放電電極５，７によって挟持し、前記一対の放電電極５，７の少なくともいずれか一方を、空気が通過する所定長さの空間路２１を多数備えたハニカム形状又は格子形状とする。 - 特許庁

The clad layer may be in ultra-lattice structure and the amount of distortion of itself is preferably in a composition within ±0.01.例文帳に追加

続いて、SiドープIn_ｘ３(Al_ｚ３Ga_１−ｚ３)_１−ｘ３N光導波層８、In_ｘ３Ga_１−ｘ３N(5nm)/In_ｘ４Ga_１−ｘ４N（2.5nm)多重量子井戸活性層９、MgドープIn_ｘ３(Al_ｚ３Ga__１−ｚ３)_１−ｘ３N光導波層10、MgドープIn_ｘ２(Al_ｚ２Ga_１−ｚ２)_１−ｘ２N(2.5nm)/In_ｘ３(Al_ｚ３Ga_１−ｚ３)_１−ｘ３N(2.5nm)の超格子クラッド層11、MgドープIn_ｘ１Ga_１−ｘ１Nコンタクト層12を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light receiving element in which carriers excited to the level of crystal defect in the heterointerface of lattice mismatch are not trapped but can migrate smoothly and can respond quickly, a recombination current caused by the level of crystal defect, i.e.,, a dark current in applying a reverse bias voltage, is reduced and noise of the element is suppressed.例文帳に追加

格子不整合のヘテロ界面での結晶欠陥による準位に励起されたキャリアがトラップされることなく、円滑に移動ができて高速応答ができ、結晶欠陥による準位に起因する再結合電流、すなわち逆バイアス電圧を印加したときの暗電流を低減させ、素子の雑音を抑えた半導体受光素子を提供する。 - 特許庁

In other words, the observed data are interpolated so as to obtain values corresponding to lattice point coordinates being set in a weather forecast model, and the objective analysis data are calculated, and then the calculated objective analysis data are subjected to accepting/refusing process or are multiplied by a weighting function under a certain qualitative evaluation index, thereby enabling space-time continuity to be maintained.例文帳に追加

すなわち、気象予測モデルに設定された格子点座標に対応する値に観測データを内挿して客観解析データを算出し、さらに、算出された客観解析データを一定の品質評価指標のもとで取捨選択、あるいは重み関数を乗算することにより時空間的な連続性を保つことができるようになる。 - 特許庁

The method of manufacturing the thermoelectric transducer 1 has the super-lattice structure 20 includes a step of alternately laminating the first layers 11 and the second layers 12 at -100°C to 400°C, by the ion beam sputtering method after adjusting two or more ion beams for irradiating two or more kinds of targets.例文帳に追加

超格子構造２０を有する熱電変換素子１の製造方法であって、イオンビームスパッタ法により、２種類以上のターゲットに照射する２以上のイオンビームを調整して、−１００℃以上４００℃以下において、Ｓｉを含む第１の層１１と、ＧｅおよびＡｕを含む第２の層１２とを交互に積層する工程を含む熱電変換素子の製造方法。 - 特許庁

The position of a primitive (including the constitution point and the control point of an object) in this flow field HF and information (for example, a color (luminance), and an α value) ancillary to the primitive are found by using a flow field information (for example, a speed vector) found on respective lattice points as information on the two-dimensional flow field HF obtained by fluid simulation.例文帳に追加

流体シミュレーションにより得られた２次元の流れ場ＨＦの情報として各格子点について求められた流れ場情報（例えば速度ベクトル）を用いて、この流れ場ＨＦの中のプリミティブ（オブジェクトの構成点及び制御点を含む）の位置や、プリミティブに付随する情報（例えば、色（輝度）、α値等）を求める。 - 特許庁

The additive for the polyester resin contains an inorganic compound that has a crystal system selected from hexagonal system, isometric system, tetragonal system, trigonal system, and rhombic system; and at least one of the lattice constants of 7 to 15 angstroms in the axes a, b, and c; the polyester resin, the polyester resin composition containing the additive, and the method for producing the composition are contained in this invention.例文帳に追加

結晶系が六方晶系、立方晶系、正方晶系、三方晶系または斜方晶系のいずれかであり、ａ軸、ｂ軸、ｃ軸の少なくとも１つの格子定数が７〜１５オングストロームである無機化合物を含有するポリエステル樹脂用添加剤、並びにポリエステル樹脂、及び該添加剤を含有するポリエステル樹脂組成物及びその製造法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor wafer, wherein the necessity or the associated difficulty of eliminating defects accumulated by vacant lattice points is dispensed with and the presence of defects caused despite of the above consideration does not create a risk to a function of an electronic component formed by later treatments of a semiconductor wafer in the following processing steps.例文帳に追加

半導体ウェハの製造にあたり、凝集した空格子点欠陥を除去しなければならないという必要性ひいてはそれに付随する困難を回避し、それにもかかわらずこのような欠陥タイプの現存が、以降のプロセスステップで半導体ウェハを後続処理して形成される電子コンポーネントの機能に対しリスクとはならないようにする。 - 特許庁

This manufacturing method includes mixing and kneading a raw material including solid lubricant and binder with aggregate including a carbon sliding member using a carbon material whose air transmission amount is 10 cc/cm2/min or less at air pressure 0.49 MPa and graphite powder whose interval between lattice planes C002 by means of X-ray diffraction is 0.671 to 0.673 nm, and forming and baking.例文帳に追加

空気圧力０．４９MPaにおける空気透過量が１０cc/cm^2/min以下であるカーボン材を用いてなるカーボン摺動材及びＸ線回折による格子面間隔Ｃ_002が０．６７１〜０．６７３nmの黒鉛粉を含む骨材に、固体潤滑材及び結合剤を含む原料を混合、捏和した後、成形、焼成することを特徴とするカーボン摺動材の製造法。 - 特許庁

At the time of impressing a reverse bias voltage to the super lattice semiconductor light emitting element, carriers are injected by making incident excitation lights, and electrons are moved from the Γ level of the quantum well layer 22 through the X level of the barrier layer 21 to the Γ level of the quantum well layer 22 in the next stage, and the electrons are recombined with holes so as to emit light.例文帳に追加

超格子半導体発光素子に対して逆バイアス電圧を印加したときに、励起光を入射することによりキャリアを注入して、電子を量子井戸層２２のΓ準位から障壁層２１のＸ準位を介して次段の量子井戸層２２のΓ準位に遷移させかつ電子を正孔と再結合させて発光させる。 - 特許庁

To provide a backlight unit including guides wherein the process time required by its manufacture is reduced as well as the generating problem of its lattice non-uniformity is prevented by supporting and maintaining its optical-film layer effectively, and the problem of scratches being generated on an extending plate included in its optical film layer is solved, and also to provide a liquid crystal display utilizing the backlight unit.例文帳に追加

光学フィルム層を効果的に支持し維持してラティスムラが発生する問題を防止するのはもちろん工程時間を縮めることができ、また、光学フィルム層に含まれた拡散板にスクラッチが発生する問題を解決することができるガイドを含むバックライトユニットとこれを利用した液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

In the X-ray spectrometric method performed using a spectroscopic channel cut crystal (20) having two opposed cut surfaces formed thereto and known in its lattice constant, X rays are diffracted in respective arrangements wherein the spectroscopic channel cut crystal (20) becomes (-, +) and (+, -) and the absolute wavelength of X rays is determined from the difference between the angles of rotation of the crystal in the respective arrangements.例文帳に追加

対向する２つのカット面が形成され、格子定数が既知である分光用チャンネルカット結晶（２０）を用いて行うＸ線分光測定方法であって、分光用チャンネルカット結晶（２０）が（−，＋）および（＋，−）となる各配置においてＸ線を回折させ、各配置における結晶回転角度の差からＸ線の絶対波長を決定する。 - 特許庁

This XY stage for position-controlling two-dimensionally the slider parts on a lattice platen has the plurality of slider parts, and each of the slider parts is provided with a position control means for position-controlling the slider part independently X-axis-directionally and Y-axis-directionally, and a yawing correction means for correcting the yawing around a Z-axis of the slider part.例文帳に追加

格子プラテン上のスライダ部を２次元方向に位置制御するＸＹステージにおいて、 独立に位置制御される複数のスライダ部を有し、これらスライダ部の夫々は、スライダ部をＸ軸方向及びＹ軸方向に位置制御する位置制御手段と、スライダ部のＺ軸まわりのヨーイングを補正するヨーイング補正手段を備える。 - 特許庁

A curing net or the like 2 is mounted to the outer surface of a curing frame 3 composed of lengthwise and widthwise members 7, 8 assembled in a lattice shape, and a mounting bracket 4 to mount the frame 3 to a rising wall B in an outer wall of a building or a reinforcing bar so as to be replaceably, thereby forming an outside curing net 1.例文帳に追加

縦材７と横材８を格子状に組んで構成される養生枠体３の外面に養生ネット類２を取り付け、この養生枠体３を建物の外壁部における立ち上がり壁Ｂまたは鉄骨梁に着脱可能に取付ける取付ブラケット４を養生枠体３の内面に設けて外部養生ネット１を形成する。 - 特許庁

The powdery inorganic antibacterial agent to be used in the method is preferably powder of one or more metals selected from silver, copper and zinc, a zeolite supporting ions of one or more metals selected from silver, copper and zinc or crystallized glass having a crystalline lattice partly ion-exchanged with ions of one or more metals selected from silver, copper and zinc.例文帳に追加

ここで用いる粉末状の無機系抗菌剤は銀，銅，亜鉛の中から１種又は２種以上が選択された粉末、銀，銅，亜鉛の中から１種又は２種以上が選択された金属イオンを担持したゼオライト、あるいは結晶格子の一部が銀，銅，亜鉛の中から１種又は２種以上が選択された金属イオンにイオン交換されている結晶化ガラスであることが好ましい。 - 特許庁

To provide a single crystal substrate that has high quality essential to growing a bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal by liquid-phase epitaxial growth, has lattice constant and thermal expansion coefficient values close to those of a bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal film and has a composition formula that can be grown by the industrially advantageous CZ method.例文帳に追加

ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を液相エピタキシャル成長によって育成するために必要不可欠な高い品質を有しており、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の格子定数と近似した値で、かつ熱膨張係数も近似した値を持ち、さらに工業的に有利なＣＺ法で育成できる組成式の単結晶基板を提供する。 - 特許庁

This bipolar transistor comprises a GaAs substrate, an n-type collector region formed on the GaAs substrate, a p-type base region having a base layer consisting of p-type SiGe and having a composition, capable of lattice matching with the GaAs substrate and formed on the n-type collector region, and an n-type emitter region formed on the p-type base region.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板と、前記ＧａＡｓ基板上に形成されたｎ型コレクタ領域と、前記ｎ型コレクタ領域上に形成され前記ＧａＡｓ基板と格子整合する組成のｐ型のＳｉＧｅからなるベース層を有するｐ型ベース領域と、前記ｐ型ベース領域上に形成されたｎ型エミッタ領域と、を備えることを特徴とするバイポーラ型トランジスタを提供する。 - 特許庁

In a second growth process, subsequent to the heat treatment process, since the first single-crystal semiconductor layer 12 as a base is relieved in stress, a second single-crystal semiconductor layer 18, having different lattice constant and/or thermal expansion coefficient from those of the first single-crystal semiconductor layer 12, is applied with stress; and a high-quality strain semiconductor substrate is obtained.例文帳に追加

この熱処理工程の後に実施される第２成長工程において、下地となる第１単結晶半導体層１２はその応力が緩和されているので、第１単結晶半導体層１２とは格子定数及び／又は熱膨張率が異なる第２単結晶半導体層１８に応力が加わり、良質な歪み半導体基板を得ることができる。 - 特許庁

A negative electrode active material for a magnesium ion secondary battery which operates by absorption and desorption of magnesium ions at a positive electrode and a negative electrode, contains graphite having plate-like graphite monoatomic layers 11 and 12 composed of a crystal lattice of carbon atoms, and magnesium ions 13 and 14 can be disposed between the adjacent graphite monoatomic layers 11 and 12 in three dimensions.例文帳に追加

正極及び負極におけるマグネシウムイオンの吸蔵・放出によって作動するマグネシウムイオン二次電池に用いる負極活物質において、炭素原子の結晶格子で形成された板状のグラファイト単原子層１１、１２を有するグラファイトで形成し、相隣るグラファイト単原子層１１、１２の間にマグネシウムイオン１３、１４を立体的に配置可能とする。 - 特許庁

The value of an assumed sound speed at which the error between the received wave W_X and the assumed resultant received wave W_SUM is at minimum is determined as a local sound speed value at the lattice point X_ROI.例文帳に追加

具体的には、ホイヘンスの原理により、格子点Ｘ_ＲＯＩからの仮想受信波Ｗ_Ｘと格子点Ａ１，Ａ２，…からの受信波を仮想的に合成した仮想合成受信波Ｗ_ＳＵＭが一致することを利用して、仮想受信波Ｗ_Ｘと仮想合成受信波Ｗ_ＳＵＭとの差が最小となる仮定音速を格子点Ｘ_ＲＯＩにおける局所音速値と判定する。 - 特許庁

The transparent material for forming the lattice structure is formed of a silicon nitride film and has a thickness of 800 nm or less, and provides a wide band quarter-wave plate which has a thin film thickness and is easily processed, and accordingly can enhance accuracy of a required phase difference and high transmissivity, by making a cross-sectional shape of each line pattern into a trapezoidal shape according to required characteristics.例文帳に追加

本発明は、格子構造を形成するための透明性材料は、窒化シリコン膜からなり、その厚さは８００ｎｍ以下であり、要求特性に応じ各ラインパターンの断面形状を台形形状とすることにより、薄い膜厚で加工しやすく、従って必要な位相差と高い透過率の精度を向上することができる広帯域１／４波長板を提供する。 - 特許庁

In the electron source joining the fibrous carbon to the base material, 1 to 5 atom% of at least one kind out of nitrogen, boron, phosphorus, and sulfur is contained in the fibrous carbon, and the IG/ID ratio (IG means Raman scattering intensity corresponding to expanding and contracting motion of carbon in a graphite structure, and ID means Raman scattering intensity corresponding to crystal lattice disorder) is 0.75 or more.例文帳に追加

繊維状炭素を基材に接合した電子源において、該繊維状炭素中は窒素，ボロン，リン，硫黄の少なくとも１種類を１〜５原子％含有し、ラマン分光強度のＩＧ／ＩＤ比（ＩＧ；グラファイト構造における炭素の伸縮運動に対応するラマン散乱強度、ＩＤ；結晶格子乱れに対応するラマン散乱強度）が０.７５ 以上であることを特徴とする。 - 特許庁

In the gallium nitride based compound semiconductor light-emitting element, a gallium nitride compound semiconductor is laminated on a substrate, a light extraction surface is formed by a translucent film, the surface of the translucent film has bumps and dips formed by planes inclined with respect to the substrate surface, and the shapes of the bumps and dips on the surface of the translucent film is a dot or a lattice.例文帳に追加

基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層された発光素子において、光取出し面が透光性膜からなり、該透光性膜の表面が該基板面に対して傾斜した平面で構成される凹凸を有し、透光性膜表面の凹凸の形状がドット状または格子状であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 - 特許庁

The zirconia sintered compact has partially stabilized zirconia containing a stabilizer as a matrix phase, wherein the standard deviation of the surface concentration of the stabilizer is ≥0.8 when the concentration of the stabilizer in each square formed by dividing 10 μm×10 μm area into 256 squares×256 squares lattice in the sample surface of the zirconia sintered compact is expressed by mass%.例文帳に追加

ジルコニア焼結体は、安定化剤を含有する部分安定化ジルコニアをマトリックス相として有し、ジルコニア焼結体の試料表面において、１０μｍ×１０μｍの領域を２５６マス×２５６マスの格子状に区分した各マスにおける安定化剤の濃度を質量％で表記した場合に、安定化剤の表面濃度の標準偏差が０．８以上である。 - 特許庁

Specifically, a particle structure of the metal forming the Schottky electrode 4 is not made to be a columnar structure but is made to be a granular structure, and oxygen is made to be hardly taken in the interface through interfaces between the particles as compared with the columnar structure so that SiO_X is not formed, thereby the lattice matching between the metal forming the Schottky electrode 4 and the SiC is achieved.例文帳に追加

具体的には、ショットキー電極４を構成する金属の粒子構造が柱状構造ではなく粒状構造となるようにし、柱状構造となっている場合と比較して、粒子間の境界を通じて界面に酸素が取り込まれ難くなるようにすることで、ＳｉＯ_Xが形成されないようにしてショットキー電極４を構成する金属をＳｉＣと格子整合させる。 - 特許庁

The spin MOS field effect transistor includes, at least one of a source and a drain, a structure including a full Heusler alloy layer 13 formed on a semiconductor substrate 10, a ferromagnetic layer 14 formed on the full Heusler alloy layer 13 and having a face-centered cubic lattice structure, a nonmagnetic layer 15 formed on the ferromagnetic layer 14, and a ferromagnetic layer 16 formed on the nonmagnetic layer 15.例文帳に追加

半導体基板１０上に形成されたフルホイスラー合金層１３と、フルホイスラー合金層１３上に形成された、面心立方格子構造を有する強磁性体層１４と、強磁性体層１４上に形成された非磁性層１５と、非磁性層１５上に形成された強磁性体層１６とを含む構造をソース及びドレインのうち少なくとも一つに備える。 - 特許庁

The first area 21 is dispersively arranged in a regular manner in conformation to the center point of each hexagon constituting a virtual hexagonal lattice and the position of each grid point, the second area 22 is dispersively arranged so as to mutually connect the adjacent first areas 21, and the third area 23 is dispersively arranged in a position surrounded by the first area 21 and the second area 22.例文帳に追加

第１領域２１は、仮想の六角形格子を構成する各六角形の中心点及び各格子点の位置に対応して規則的に分散配置されており、第２領域２２は、隣接する第１領域２１同士を繋ぐように分散配置されており、第３領域２３は、第１領域２１及び第２領域２２に囲まれた位置に分散配置されている。 - 特許庁

This entire substrate with the protecting entire member, and this method of manufacturing the same includes processes of: preparing the entire substrate 33 having regions 32 formed in a lattice-like form to correspond to respective substrates 38; and arranging the protecting entire member 34 having protecting members 39 arranged to correspond the respective regions 32 on a first surface of the entire substrate 33.例文帳に追加

保護用全体部材付の全体基板及びその製造方法に、基板３８に各々対応するように格子状に形成された領域３２を有する全体基板３３を準備する工程と、全体基板３３における第１の面において、領域３２に各々対応して設けられた保護用部材３９を有する保護用全体部材３４を設ける工程とを備える。 - 特許庁

The photographing device includes: a diffraction lattice 141 for spectrally diffracting incident light at each wavelength; a linear sensor 139 for receiving the spectrally diffracted light to convert the same to an electric signal; an electromotive stage 210 for adjusting the relative position of the light receiving surface of the linear sensor 139 with the spectrally diffracted light; and a display control part 125 for displaying the spectrum of the light received by the sensor corresponding to the adjustment.例文帳に追加

入射した光を波長毎に分光する回折格子１４１と、分光された光を受光して電気信号に変換するラインセンサ１３９と、ラインセンサ１３９の受光面と前記光との相対位置を調整する電動ステージ２１０と、調整に応じてセンサが受光する光のスペクトルを表示させる表示制御部１２５とを備える。 - 特許庁

A first molding 16A and a second molding 16B are formed by impregnating resin for improving adhesion into poly-p-phenylene benzobisoxazole (PBO) woven cloth 116 obtained by using the PBO being a synthetic fiber having a very high elastic modulus and a moderate internal loss for warpage and weft and weaving the PBO in the shape of a lattice and molding the PBO woven cloth into a shape corresponding to a speaker unit 1 by a hot pressing device.例文帳に追加

弾性率が非常に高く適度な内部損失を有する合成繊維であるポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール（ＰＢＯ）を縦糸と横糸に使用して格子状に織り込んだＰＢＯ織布１１６に、接着性向上のために樹脂を含浸させて、熱プレス装置でスピーカユニット１に応じた形状に成型した、第１成型品１６Ａと第２成型品１６Ｂを作成する。 - 特許庁

The method for manufacturing a gasoline fraction by contacting a high aromatic hydrocarbon oil with a hydrocracking catalyst utilizes a catalyst containing in a frame resistant carrier as a hydrocracking catalyst 40 mass% or more of a super stable Y type zeolite having a specific lattice constant, crystallinity, an acid amount, and absorbance of an OH group satisfying a specific formula.例文帳に追加

高芳香族炭化水素油を、水素化分解触媒と接触させることによって、ガソリン留分を製造する方法において、水素化分解触媒として、耐火性担体に、特定の格子定数、結晶化度、酸量、及び特定の式を満たすＯＨ基の吸光度を有する、超安定Ｙ型ゼオライトを４０質量％以上含有する担体を用いる触媒を使用する。 - 特許庁

The blade tool 1 is manufactured in a weaving process of weaving the fiber member 2 having uniform abrasive grains Q in a vertical and lateral lattice shape or diagonally, a coating process of coating the woven fiber member 2 with thermosetting resin, and a curing process of passing the woven fiber member 2 between a pair of rollers to cure it like a plate.例文帳に追加

この刃工具１は、砥粒Ｑを均一に付した砥粒含有繊維部材２を縦横格子状若しくはアヤ状に編む編込工程と、編み込んだ砥粒含有繊維部材２に熱硬化性樹脂を塗り付ける塗布工程と、編み込んだ砥粒含有繊維部材２を一対のローラー間に通過させて板状に硬化させる硬化加工工程により作製する。 - 特許庁

The light-emitting element 100 comprises the light-emitting layer 24 having a double heterostructure composed of AlGaInP lattice in matching with GaAs, a second transparent semiconductor layer 90 formed on the second main surface side of the light-emitting layer 24 by the HVPE method, and a first transparent semiconductor layer 91 formed on the first main surface side of the section 24 by the HVPE method.例文帳に追加

発光素子１００は、ＧａＡｓと格子整合するＡｌＧａＩｎＰからなるダブルヘテロ構造を有する発光層部２４と、該発光層部２４の第二主表面側にＨＶＰＥ法により形成された第二の透明半導体層９０と、発光層部２４の第一主表面側に、ＨＶＰＥ法により形成された第一の透明半導体層９１とを有する。 - 特許庁

A data processor 1 for cutting out a tetrahedral element is provided with a means 4 for reading the data of an analysis area storing part 11 and generating a triangular lattice and a cutting out means 6 for allowing a virtual tetrahedral element in which four vertexes are located on the same plane as well as an initializing means 5 for registering the data in an unprocessed trigonal face storing part 13.例文帳に追加

四面体要素切り出しを行うデータ処理装置１には、解析領域記憶部１１のデータを読み出して三角格子を生成する手段４、このデータを未処理三角面記憶部１３に登録する初期設定手段５の外に、四つの頂点が同一平面上に位置する仮想的な四面体要素を許容する 切り出し手段６が備えられている。 - 特許庁

The optical frequency distribution device distributes optical signals to a plurality of output ends by demultiplexing an optical frequency multiplex signal in which optical signals in different frequency bands are multiplexed and input in an input end by an optical frequency multiplexer/demultiplexer such as an array waveguide lattice, selecting, multiplexing, and outputting a singular or a plurality by an optical path converter such as an optical matrix switch.例文帳に追加

異なる周波数帯の光信号が多重され入力端に入力した光周波数多重信号を、アレー導波路格子などの光周波数合分波器で分波して、単数あるいは複数を光マトリックススイッチなどの光経路変換器で選択して合波し、出力することで光信号を複数の出力端に分配する光周波数分配装置とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor having 3C-SiC single crystal thin film with a surface of reduced irregularity and curvature as well as excellent crystalline and high quality surface orientation (111), and a SiC semiconductor capable of forming 3C-SiC single crystal thin film with surface orientation (111) on an Si single crystal substrate surely and easily by reducing lattice mismatching and preventing etching.例文帳に追加

表面の凹凸および反りが低減され、結晶性に優れた高品質な面方位（１１１）の３Ｃ−ＳｉＣ単結晶薄膜を備えた半導体、および、Ｓｉ単結晶基板上に、格子不整合を緩和し、かつ、エッチングを防止して、確実かつ容易に、面方位（１１１）の３Ｃ−ＳｉＣ単結晶薄膜を形成することができるＳｉＣ半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

For the lead-acid battery formed by laminating positive electrodes and negative electrodes holding positive electrode activator on their lattice body through separators, the positive electrode activator contains barium sulfate with total amount of 0.5 wt.% or more and 5 wt.% or less which is made to concentrate on the surface of the positive electrode activator and reduce the concentration as it is headed toward inside.例文帳に追加

正極活物質を格子体に保持した正極と負極とをセパレータを介して積層した鉛蓄電池において、前記正極活物質に総量で０．５質量％以上、５質量％以下の硫酸バリウムが含有されており、前記正極活物質の表面に前記硫酸バリウムが濃縮し、かつ内部に向かって傾斜して疎になっていることとした。 - 特許庁

To solve a problem that skew correction finer than print resolution is impossible when color shift skew correction is performed by shifting a print image in a tandem color printer, and to solve a problem that streaky image disorder appears at a shifted part when processing is performed before printing and such an inconvenience occurring as streaky disorder is inconspicuous in solid printing but lattice gap of dither is especially conspicuous in halftoning.例文帳に追加

タンデムカラープリンタにおいて、印刷画像をずらして色ズレスキュー補正をする場合、印刷解像度より細かいスキュー補正ができない問題があるとともに、印刷する手前で処理した場合、ずらした部分で筋状の画像乱れが見られ、筋状の乱れはベタ印刷では目立ちにくいが、中間調ではディザの格子ズレが特に目立つ不具合が発生する。 - 特許庁

In the substrate 4 for measuring bonding damage for measuring damage to occur in the substrate 4 by bonding, strain gauges 20 are formed via an insulating layer under electrodes of bonding pads 10 formed in a lattice pattern on the surface of the substrate 4, and each strain gauge 20 is connected to a switching circuit 18 built in the substrate 4 by means of signal lines 21.例文帳に追加

ボンディングにより基板４に生じるダメージを計測するためのボンディングダメージの計測用の基板４において、基板４の表面に格子状に形成されたボンディングパッド１０の電極の下方に絶縁層を介して歪みゲージ２０を形成し、それぞれの歪みゲージ２０を信号線２１によって基板４に組み込まれたスイッチング回路１８に接続する。 - 特許庁

The intensity profile of scattered X rays diffracted from the two-dimensional lattice of the surface of the ferroelectric object is measured and the asymmetry of the intensity profile is compared with the asymmetry (reference asymmetry) (the area ratio of a polarization region of s=1) of a standard sample known in polarization direction and magnitude to evaluate the polarization direction and magnitude of the ferroelectric object.例文帳に追加

強誘電体の表面の２次元格子から回折される散乱Ｘ線の強度プロフィルを測定し、強度プロフィルの非対称性を、分極方向及び分極の大きさが知られている標準試料の非対称性（基準非対称）（分極域の面積比ｓ＝１、０）と比較することで、強誘電体の分極方向及び分極の大きさを評価する。 - 特許庁

To provide a catalytic chemical processing method and apparatus using magnetic fine particles capable of processing a difficult-to-process workpiece, especially SiC, GaN, etc. with high processing efficiency and with high precision based on a processing principle utilizing a catalytic action enabling the chemical reaction introducing no lattice defect into the surface of the workpiece, and capable of obtaining a crystallographically excellent processed surface.例文帳に追加

本発明は、被加工物表面に格子欠陥が導入されない化学的な反応が可能な触媒作用を利用した加工原理に基づき、難加工物、特にＳｉＣやＧａＮ等を、加工効率が高く且つ高精度に加工することができ、結晶学的に優れた加工面が得られる磁性微粒子を用いた触媒化学加工方法及び装置を提案する。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 12 is constituted by laminating a first semiconductor layer 12A having oxide semiconductor as its principal constituent and a second semiconductor layer 12B consisting of non-oxide semiconductor and showing p-type electric conductivity alternately on the buffer layer 11 repeatedly, and the first semiconductor layer 12A and the second semiconductor layer 12B are provided with super lattice structure.例文帳に追加

ｐ型半導体層１２は、バッファ層１１上に、酸化物半導体を主成分とする第１の半導体層１２Ａと、非酸化物半導体からなり、ｐ型の電気伝導性を示す第２の半導体層１２Ｂとを交互に繰り返し積層して構成されており、第１の半導体層１２Ａおよび第２の半導体層１２Ｂは超格子構造をなしている。 - 特許庁

In the epitaxial growth dividing a growing region D with a lattice-like mask 2, a consumption region C of a group III nitride compound semiconductor is formed in the central part of a band of the mask 2 between the edge parts of the adjacent growing regions D so that group III and group V raw materials are not unnecessarily supplied to the edge part of the growing region D.例文帳に追加

格子状のマスク２により成長領域Ｄを区分したエピタキシャル成長において、隣接する成長領域Ｄのエッジ部分との間、マスク２の帯の中央部にIII族窒化物系化合物半導体の消費領域Ｃが形成されているので、成長領域Ｄのエッジ部分に不必要にIII族及びV族の原料が供給されることが無い。 - 特許庁

A waveguide structure composed of waveguide core layers 12, 14 comprising n-type GaInNAs layer as group III-V compound semiconductor including N (nitrogen) and lattice matching with a GaAs substrate 10, and waveguide clad layers 13, 15 comprising n^++-type GaAs layer are provided on the side and on the opposite side of GaAs substrate 10 of the active layer 11.例文帳に追加

また、活性層１１のＧａＡｓ基板１０側、及びＧａＡｓ基板１０の反対側に、Ｎ（窒素）を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるｎ型のＧａＩｎＮＡｓ層からなりＧａＡｓ基板１０と格子整合する導波路コア層１２、１４と、ｎ^＋＋型のＧａＡｓ層からなる導波路クラッド層１３、１５とから構成される導波路構造を設ける。 - 特許庁