「ARSENIC COMPOUND」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing III-V compound semiconductor optical element by which deterioration of quality of a surface of a semiconductor can be reduced, when a semiconductor crystal containing arsenic, phosphorous and nitrogen as group V constituent elements is grown.例文帳に追加

ヒ素、燐および窒素をＶ族構成元素として含む半導体結晶を成長する場合、該半導体表面の品質低下を縮小可能な、III−Ｖ化合物半導体光素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁

A solution containing an iron compound, desirably ferrous sulfate is added to incineration ash containing at least either one of arsenic and selenium to be kneaded therewith and the kneaded mixture is allowed to stand for a predetermined period or the incineration ash after allowed to stand is heat- treated or an alkalline earth metal compound is added to the incineration ash after allowed to stand or after heated.例文帳に追加

少なくともヒ素、セレンの何れかを含む焼却灰に鉄化合物、望ましくは硫酸第一鉄の溶液を添加して混練した後、所定期間放置し、あるいは放置後の焼却灰を加熱処理し、あるいは放置後もしくは加熱後の焼却灰にアルカリ土類金属化合物を添加するものである。 - 特許庁

To provide a means for purifying exhaust gas containing harmful ingredients efficiently and safely with excellent purification ability without causing rapid heat generation and gas generation in purifying the exhaust gas containing as the harmful ingredient organic phosphorus compound such as tertiary butylphosphine or organic arsenic compound such as tertiary butylarsine.例文帳に追加

有害成分として、ターシャリーブチルホスフィン等の有機燐化合物、あるいはターシャリーブチルアルシン等の有機砒素化合物を含む排ガスの浄化において、急激な発熱及びガス発生を起こす虞がなく、優れた浄化能力で効率よく安全にこれらの有害成分を含む排ガスを浄化することが可能な手段を提供する。 - 特許庁

Otherwise, the cantilever for the scanning probe microscope or the sensor is manufactured by compounding a probe (a chip, a beam and a small pedestal) molded integrally from the arsenic-based, antimony-based or nitrogen-based 3-5 group compound semiconductor with a large pedestal manufactured from ceramics, glass and a cystal.例文帳に追加

また、砒素系、アンチモン系、窒素系３−５族化合物半導体で一体成型したプローブ（チップ+ビーム+小台座）とセラミクス、ガラス、水晶で作製した大台座を複合化して走査プローブ顕微鏡用、又はセンサー用カンチレバーを製造する。 - 特許庁

A III-V group compound semiconductor layer which contains at least gallium, indium, arsenic and antimony is formed on the GaAs substrate wherein a surface which is sloped from a (100) face or a face equivalent to the (100) face in crystallography at a given angle is made a surface.例文帳に追加

（１００）面またはその面と結晶学的に等価な面から所定の角度にて傾斜した面を表面とするＧａＡｓ基板上に、少なくともガリウムとインジウムと砒素とアンチモンとを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を形成する。 - 特許庁

The active region 17 is provided between the first conductive semiconductor layer 13 and the second conductive semiconductor layer 15 while having a group III-V compound semiconductor layer 21 containing nitrogen (N) and arsenic (As) as V group.例文帳に追加

活性領域１７は、第１導電型III−Ｖ化合物半導体層１３と第２導電型III−Ｖ化合物半導体層１５との間に設けられており、またＶ族として窒素（Ｎ）およびヒ素（Ａｓ）を含むIII−Ｖ化合物半導体層２１を有する。 - 特許庁

The half-metallic antiferromagnetic material is a compound having a crystal structure of nickel arsenic type, sphalerite type, wurtzide type, chalcopyrite type, or lock salt type, and is comprised of two or more types of magnetic elements and chalcogens or pnictogens.例文帳に追加

本発明に係るハーフメタリック反強磁性体は、ニッケルヒ素型、閃亜鉛鉱型、ウルツ鉱型、カルコパイライト型或いは岩塩型の結晶構造を有する化合物であって、２種類以上の磁性元素とカルコゲン或いはプニクトゲンとから構成されている。 - 特許庁

The novel method of continuously manufacturing the completely fluorine substituted organic compound by subjecting the organic compound, which is not substituted with fluorine, i.e., a parent compound or is substituted with the fluorine to some extent to electrochemical fluorine substitution by using hydrogen fluoride of about <10 ppm in arsenic content, is operative for a long period of time without exhibiting the degradation in the electrode area-time yield with lapse of time.例文帳に追加

親化合物であるフッ素置換されていないか或はある程度フッ素置換されている有機化合物に電気化学的フッ素置換をヒ素含有量が約１０ｐｐｍ未満のフッ化水素を用いて受けさせることで完全フッ素置換された有機化合物を連続的に製造する新規な方法は、電極面積−時間収率の経時的低下を示すことなく長時間に渡って操作可能である。 - 特許庁

The method of making the copolymer and terpolymer containing the unit derived from the noncyclic aliphatic olefin exemplified by ethylene, and the unit derived from the polar monomer involves using a compound containing nickel or palladium as a center metal, and a latter transition metal complex obtained by forming the complex with an organic compound containing phosphorus, arsenic, nitrogen or antimony.例文帳に追加

ニッケルもしくはパラジウムを金属中心とする化合物と、リン、ヒ素、窒素もしくはアンチモンを含有する有機化合物が錯体を形成した後期遷移金属触媒錯体を使用し、エチレンに代表される非環式脂肪族オレフィン由来の単位および極性モノマー由来の単位を含有するコポリマーおよびターポリマーの製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a simple method for producing a superconducting thin film including a superconducting body consisting of a rare earth element, fluorine, iron, arsenic and oxygen while preventing a fluorine compound from being produced as an impurity on a film surface.例文帳に追加

膜表面における不純物としてのフッ素化合物の発生を抑制しながら、簡易な方法で、希土類元素、フッ素、鉄、ヒ素、及び酸素からなる超伝導体を含む超伝導薄膜を形成することができる超伝導薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

After an iron compound such as Fe_2O_3, Fe(OH)_3 and their compounds, e.g., tri-valent iron compounds containing no sulfuric acid group is added and mixed to the soil including the heavy metal such as arsenic, lead and cadmium, it is heated to a temperature of 200-700°C.例文帳に追加

砒素、鉛、カドミニウムなどの重金属を含有する土壌に、三酸化二鉄、三水酸化鉄またはこれらの化合物などの硫酸根を含まない３価鉄化合物などの鉄化合物を添加して混合した後、２００〜７００℃の温度に加熱する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an adsorbent excellent in the adsorption capability of heavy metals such as arsenic or antimony by using ferric hydroxide-based precipitates which can be produced stably by neutralization with an abundantly present calcium compound and in which calcium remains.例文帳に追加

豊富に存在するカルシウム化合物を用いて中和し、安定的に製造できるカルシウムが残留するところの水酸化第二鉄系沈殿物を利用する、砒素、アンチモン等の重金属の吸着性能に優れた、吸着剤の製造方法の提供。 - 特許庁

There is provided a heavy metal-treating agent including a water-soluble divalent iron compound and an aliphatic α-hydroxycarboxylic acid and/or a salt thereof.The heavy metal-treating agent has high storage stability as an aqueous solution, can highly insolubilize not only hexavalent chromium but arsenic and selenium, and can perform highly reliable heavy metal treatment.例文帳に追加

水溶性の２価の鉄化合物並びに脂肪族αーヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩を含んでなる重金属処理剤では水溶液の保存安定性が高く、六価クロムだけでなく砒素、セレンを高度に不溶化処理でき、信頼性の高い重金属処理を行うことができる。 - 特許庁

The oxide, hydroxide or carbonate of alkaline earth metal or iron is blown into the waste gas generated in a contaminated soil cleaning process by heat treatment at high temp. to convert the arsenic acid or its compound to the arsenate of the alkaline earth metal or the iron, then the salt is captured.例文帳に追加

加熱処理による汚染土壌浄化プロセスで発生する排ガス中に高温にて、アルカリ土類金属または鉄の酸化物、水酸化物または炭酸塩を吹き込み、排ガス中のヒ酸またはその化合物をアルカリ土類金属または鉄のヒ酸塩に変換し、この塩を捕集する。 - 特許庁

The depth of a material removed from a substrate capable of transmitting light is controlled in accordance with the depth of ion implantation of a light absorbing material such as gallium, arsenic, boron, phosphorus, antimony or a compound of these into a defect on the substrate and/or a region surrounding the defect.例文帳に追加

光透過可能基板上の欠陥またはその欠陥を取り囲む領域あるいはその両方へのガリウム、砒素、ホウ素、燐、アンチモン、またはこれらの化合物などの吸光材料のイオン注入の深さにより、基板から除去される材料の深さが制御される。 - 特許庁

When a film of GaAs_xSb_1-x (0.33≤x≤0.65) as a group III-V compound semiconductor is formed, the sum of supply amounts of molecules of both group-V arsenic (As) and antimony (Sb) is ≥15 times as large as the supply amount of molecules of group-III gallium (Ga).例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のＧａＡｓ_ｘＳｂ_１−ｘ（０．３３≦ｘ≦０．６５）を成膜するとき、Ｖ族のヒ素（Ａｓ）およびアンチモン（Ｓｂ）の両方の分子の供給量の和を、ＩＩＩ族のガリウム（Ｇａ）の分子の供給量の１５倍以上とすることを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor substrate is provided, which includes a first III-V compound semiconductor layer lattice-matching or pseudo-lattice-matching InP and not containing arsenic, and a second semiconductor layer which is formed in contact with the first semiconductor layer, includes a III-V compound semiconductor layer lattice-matching or pseudo-lattice-matching InP and can be selectively oxidized with the first semiconductor layer.例文帳に追加

ＩｎＰに格子整合または擬格子整合する砒素を含まない３−５族化合物の第１半導体層と、前記第１半導体層に接して形成された、ＩｎＰに格子整合または擬格子整合する３−５族化合物の半導体層であって、前記第１半導体層に対し選択的に酸化が可能な第２半導体層と、を備えた半導体基板が提供される。 - 特許庁

A process where an III-V compound semiconductor layer comprising at least nitrogen and arsenic as group V elements is crystal-grown on a single crystal substrate is comprised, which comprises a process where a nitrogen material is supplied on the single crystal substrate so that the nitrogen material at least interacts with an aluminum on the crystal growth surface of the compound semiconductor layer.例文帳に追加

単結晶基板上に、Ｖ族元素として少なくとも窒素および砒素を含むIII−Ｖ族化合物半導体層を結晶成長させる工程を包含し、該化合物半導体層を結晶成長させる工程が、窒素原料がアルミニウムと、少なくとも該化合物半導体層の結晶成長表面で相互作用するように、該単結晶基板上に窒素原料を供給する工程を包含する。 - 特許庁

To provide a porous lightweight material capable of suppressing the elution of arsenic of equal to or above reference value by adding a proper quantity of magnesium or a magnesium compound and natural derivation magnesium and exhibiting finish performance of a product in the manufacture of the porous lightweight material using waste glass as a raw material and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

廃ガラスを原料として多孔質軽量資材を製造する際に、マグネシウムやマグネシウム化合物又は天然由来マグネシウムを適量添加することで、基準値以上のヒ素溶出が抑制され、かつ製品の仕上がりも良好な多孔質軽量材とその製造方法を実現する。 - 特許庁

A composite material is disclosed by being composed of: a fibrous stock; shwertmannite carried on the fibrous stock or a shwertmannite compound in which at least a part of sulfate ions of shwertmannite carried on the fibrous stock is substituted with anions such as arsenic acid ions, phosphoric acid ions or silicic acid ions, and has water permeability.例文帳に追加

繊維状素材と、前記繊維状素材に坦持されるシュベルトマナイト、又は前記繊維状素材に坦持されるシュベルトマナイトの硫酸イオンの少なくともヒ酸イオン、一部をリン酸イオン若しくはケイ酸イオン等の陰イオンで置換したシュベルトマナイト化合物とで構成され、透水性を有することを特徴とする複合材。 - 特許庁

To provide equipment for the treatment of waste water containing gallium which treats waste water containing gallium discharged from manufacturing factories of compound semiconductor wafers, manufacturing factories of devices or the like and with which gallium being a rate and valuable metal can be efficiently collected and, coexistent arsenic can be removed without producing aggregated sludge containing iron.例文帳に追加

化合物半導体のウエハー製造工場、デバイス製造工場等から排出されるガリウム含有廃水を処理して、特に希少かつ有価金属であるガリウムを効率的に回収することができ、同時に共存するヒ素を、鉄を含んだ凝集汚泥を発生することなく除去し得るガリウム含有廃水の処理装置を提供する。 - 特許庁

The method of forming a semiconductor film comprises a process S120a of placing a substrate in an organic metal vapor phase deposition apparatus, and a process S130 of supplying a gallium source material, a indium source material, a arsenic source material, a nitride source material, and a phosphorus source material to the organic metal vapor phase deposition apparatus, to form the III-V compound semiconductor film.例文帳に追加

半導体膜を形成する方法は、有機金属気相成長装置内に基板を置く工程Ｓ１２０ａと、ガリウムソース材料、インジウムソース材料、砒素ソース材料、窒素ソース材料、及び燐ソース材料を前記有機金属気相成長装置に供給してIII−Ｖ族化合物半導体膜を形成する工程Ｓ１３０と備える。 - 特許庁

When the method carried out by adding magnesium, the magnesium compound or naturally derived magnesium into the glass alone or the mixture of the glass and one or more inorganic materials and firing is employed, the elution of arsenic of equal to or above reference value from the resultant product is not detected clearly different from a magnesium-free method.例文帳に追加

このように、ガラス単独で又は他の１種以上の無機質材料と混合しかつマグネシウム又はマグネシウム化合物又は天然由来のマグネシウムを添加した状態で焼成する方法を採った場合は、マグネシウム無添加の製法と違って、出来上がった製品から明らかに基準値以上のヒ素溶出が検出されなかった。 - 特許庁

To provide equipment for the treatment of waste water containing gallium which treats waste water containing gallium discharged from manufacturing factories of compound semiconductor wafers, manufacturing factories of devices or the like and with which gallium being a rare and valuable metal can be efficiently and completely collected as hydroxides in a highly concentrated state and at the same time, coexistent arsenic can be removed without producing aggregated sludge containing iron.例文帳に追加

化合物半導体のウエハー製造工場、デバイス製造工場等から排出されるガリウム含有廃水を処理して、特に希少かつ有価金属であるガリウムを水酸化物として高濃縮された状態で余すことなく効率的に回収することができ、同時に共存するヒ素を、鉄を含んだ凝集汚泥を発生することなく除去し得るガリウム含有廃水の処理装置を提供する。 - 特許庁

One electrode is provided on a group III-V compound semiconductor-made buffer layer containing boron(B) and phosphorus(P) or arsenic(As) having a smaller forbidden band width than a lower clad layer, and another electrode is provided on a group III nitride semiconductor layer to obtain a group III nitride semiconductor light emitting element having a high light emission intensity and electrodes displaying good Ohmic characteristics.例文帳に追加

一方の電極を下部クラッド層よりも禁止帯幅を小とする硼素（Ｂ）とリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から構成される緩衝層上に設け、他方の電極をＩＩＩ族窒化物半導体層上に設けることにより、良好なオーミック特性を発揮する電極を備えた高発光強度のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を得る。 - 特許庁

When a laminated structure made of a group III nitride semiconductor crystal is formed on a substrate made of Si signal crystal via a buffer layer, the buffer layer is constituted by a first buffer layer, formed on the substrate and made of III-V compound semiconductor which includes at least one of arsenic or phosphorus and boron and a second buffer layer formed on the first buffer layer and made of III-V nitride semiconductor.例文帳に追加

珪素（Ｓｉ）単結晶からなる基板上に、緩衝層を介して、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶からなる積層構造を形成する際に、緩衝層を、基板上に接して形成された砒素（Ａｓ）またはリン（Ｐ）の少なくとも一方と硼素（Ｂ）とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第１の緩衝層と、第１の緩衝層上に形成されたＩＩＩ族窒化物半導体からなる第２の緩衝層とから構成する。 - 特許庁