| 意味 | 例文 (181件) |
ARSENIC COMPOUNDの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 181件
To provide a semiconductor optical device including a III-V compound semiconductor layer containing gallium, indium, nitrogen, arsenic, and antimony, and has an excellent crystallinity.例文帳に追加
ガリウム、インジウム、窒素、砒素及びアンチモンを含みより優れた結晶性を有するIII−V族化合物半導体層を含む半導体光デバイスを提供する。 - 特許庁
In the separator 23, an electrolytic solution containing electrolyte salt is impregnated and the electrolyte salt contains a compound comprising an arsenic atom such as LiAsF_6.例文帳に追加
セパレータ23には電解質塩を含む電解液が含浸されており、電解質塩は、LiAsF__6 などの砒素原子を含む化合物を含有している。 - 特許庁
The insolubilizing agent for the contaminant containing arsenic and the ammine complex contains sodium phosphate and/or potassium phosphate and an iron compound.例文帳に追加
リン酸ナトリウムおよび/またはリン酸カリウムと鉄化合物を含むことを特徴とする砒素とアンミン錯体を含有する汚染物用不溶化処理剤。 - 特許庁
The second conductive contact layer 23 consists of a group III-V compound semiconductor which contains aluminum and indium as group III elements and arsenic as a group V element.例文帳に追加
第2導電型コンタクト層23は、III族元素としてアルミニウムおよびインジウムを含むと共にV族元素としてヒ素を含むIII−V化合物半導体から成る。 - 特許庁
The 1st and 2nd compound semiconductor layers 24a to 23c each contain one or more kinds of group III element, arsenic element and phosphorus element.例文帳に追加
第1及び第2の化合物半導体層24a〜23cの各々は、一又は複数の種類のIII族元素、砒素元素、及び燐元素を含む。 - 特許庁
In a preferable mode of the method for detoxifying a toxic compound, detoxification is performed by alkylating arsenic, antimony or selenium.例文帳に追加
本発明の有害化合物の無害化方法の好ましい態様において、前記ヒ素、アンチモン、又はセレンをアルキル化することにより無害化することを特徴とする。 - 特許庁
To provide equipment for the treatment of waste water containing gallium-arsenic which treats waste water containing gallium-arsenic discharged from manufacturing factories of compound semiconductor wafers, manufacturing factories of devices or the like and with which gallium being a rate and valuable metal can be efficiently and completely collected and at the same time, coexistent arsenic can be removed without producing aggregated sludge containing iron.例文帳に追加
化合物半導体のウエハー製造工場、デバイス製造工場等から排出されるガリウム−ヒ素含有廃水を処理して、特に希少かつ有価金属であるガリウムを効率的に回収することができ、同時に共存するヒ素を、鉄を含んだ凝集汚泥を発生することなく除去し得るガリウム−ヒ素含有廃水の処理装置を提供する。 - 特許庁
In the method of growing group III-V compound semiconductor, a second group III-V compound semiconductor containing nitrogen and arsenic (group V component) is grown on a semiconductor region comprising a first group III-V compound semiconductor containing arsenic and phosphorous (group V component), using a first material gas (N source), a second material gas (As source), and a third material gas (Ga source, and In source).例文帳に追加
III−V化合物半導体を成長する方法では、第1の原料ガス(Nソース)、第2の原料ガス(Asソース)および第3の原料ガス(Gaソース、Inソース)を用いて、ヒ素およびリン(V族構成元素)を含む第1のIII−V化合物半導体からなる半導体領域上に、窒素およびヒ素(V族構成元素)を含む第2のIII−V化合物半導体を成長する。 - 特許庁
To efficiently and economically perform detoxicating decomposing treatment to a warhead member or the surrounding soil contaminated by an arsenic-containing harmful compound or a harmful organic compound for chemical weapons by a simple process in a non-exhausted state.例文帳に追加
砒素を含む有害化合物もしくは化学兵器用有害有機化合物で汚染された弾頭部材や周囲の土壌を効率的にかつ簡素なプロセスで経済的に無排気で無害化分解処理する。 - 特許庁
To provide an optical glass containing no compound of lead or arsenic or the like substantially, having middle refractive index/low dispersion, low Tg, small specific gravity and suitable for press forming.例文帳に追加
鉛や砒素などの化合物を実質的に含有せず、中屈折率・低分散であって、Tgが低く、比重の小さい、プレス成形に適した光学ガラスを提供する。 - 特許庁
As a result, the OH radical is produced by a Fenton reaction or the associated or chained reaction to oxidize, decompose or mineralize the organic arsenic compound 1 contained in the treating water 3.例文帳に追加
もって、フェントン主反応や付随的,連鎖的反応にて、OHラジカルが生成されて、被処理水3に含有された有機砒素化合物1が酸化,分解,無機化される。 - 特許庁
The active layer 15 is formed on the first n-type semiconductor layer 13 and includes a III-V group compound semiconductor layer including nitrogen and arsenic as V group elements.例文帳に追加
活性層15は、第1のn型半導体層13上に設けられており、V族元素として窒素及び砒素を含むIII-V族化合物半導体層を有する。 - 特許庁
To provide a toxic heavy metal collecting material for efficiently collecting a compound containing a toxic heavy metal such as hexavalent chromium, trivalent chromium, lead, cadmium, nickel, mercury, arsenic, and selenium.例文帳に追加
6価クロム、3価クロム、鉛、カドミウム、ニッケル、水銀、砒素、セレン等の有害重金属を含む化合物を効率よく捕集する有害重金属捕集材を提供する。 - 特許庁
It is preferable that, before irradiating the ultraviolet rays thereto and blowing the ozone gas thereinto, an insoluble suspension matter in the water containing the organic arsenic compound is removed by a flocculant.例文帳に追加
紫外線照射およびオゾンガス吹き込みの前に、凝集剤により有機ヒ素化合物含有水中の不溶性懸濁物を除去しておくことが好ましい。 - 特許庁
In the high-sensitivity absorptiometric detection of arsenic, phosphorus and silica, a complex of triarylmethane coloring matter and an interhalogen compound is used as a probe of heteropoly-acid in the presence of isopoly acid.例文帳に追加
ヒ素・リン・シリカの高感度吸光検出が、イソポリ酸存在下のトリアリールメタン系色素とハロゲン間化合物の錯体をヘテロポリ酸のプローブとすることで達成できる。 - 特許庁
When treating the phosphorus-containing heavy metal contaminant containing arsenic and also containing one of lead, cadmium, chromium, mercury and selenium using the carbodithioate of amine, by using an alkaline earth metal compound, especially a water-soluble alkaline earth metal compound, and the carbodithioate of amine, the heavy metal of the anion species such as the arsenic is immobilized together with the heavy metal of the cation species.例文帳に追加
砒素を含み、かつ鉛、カドミウム、クロム、水銀、セレンのいずれかを含むリン含有重金属汚染物質をアミンのカルボジチオ酸塩を用いて処理する際に、アルカリ土類金属化合物、特に水溶性のアルカリ土類金属化合物とアミンのカルボジチオ酸塩を用いることによって、カチオン種の重金属とあわせて砒素等アニオン種の重金属の固定化する。 - 特許庁
The method for detecting the organometallic compound includes detecting an organometallic compound on the basis of complex formation of a first protein and a second protein progressing in the presence of an organometallic compound containing at least one selected from tin, lead and arsenic.例文帳に追加
スズ、鉛及びヒ素から選ばれる少なくとも一種を含有する有機金属化合物の存在下において進行する第1のタンパク質と第2のタンパク質との複合体形成に基づいて有機金属化合物を検出する有機金属化合物の検出方法である。 - 特許庁
To provide a method of growing a III-V compound semiconductor capable of reducing piling-up of nitrogen composition in the vicinity of an interface when the III-V compound semiconductor containing a nitrogen element and an arsenic element as V-family configuration elements is grown on the foundation III-V compound semiconductor.例文帳に追加
V族構成元素として窒素元素及びヒ素元素を含むIII−V化合物半導体を下地のIII−V化合物半導体上に成長する際にその界面付近における窒素組成のパイルアップを低減できるIII−V化合物半導体を成長する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a device for treating waste water containing arsenic which treats waste water containing arsenic discharged from a wafer manufacture factory or a device manufacture factory of compound semiconductors or the like to significantly reduce the production amount of coagulated sludge, in particular, coagulated sludge of iron salts or to prevent production of coagulated sludge.例文帳に追加
化合物半導体のウエハー製造工場、デバイス製造工場等から排出されるヒ素含有廃水を処理して、凝集汚泥、特に鉄塩による凝集汚泥の発生量を大幅に低減し又は凝集汚泥が発生しないヒ素含有廃水の処理装置を提供する。 - 特許庁
To provide a scorodite-type iron/arsenic compound of good filtration performance which satisfies the criteria for elution tests (initial pH of 5.8-6.3) in accordance with Japanese laws and ordinances (Ministry of the Environment Bulletin No.13) and realizes an excellent arsenic elution-preventing effect even under environments of a pH of near 3 and a pH of near 7.例文帳に追加
濾過性が良いスコロダイト型鉄砒素化合物において、我が国の法令(環境省告示13号)に準拠した溶出試験(初期pH5.8〜6.3)で基準をクリアし、かつ、pH3付近およびpH7付近の環境でも優れた砒素の溶出防止効果が得られるものを提供する。 - 特許庁
The detoxication method comprises alkylating a harmful compound containing at least one kind of an element selected from the group consisting of arsenic, antimony and selenium in the presence of the composition so as to detoxicate the harmful compound.例文帳に追加
本発明の無害化方法は、本発明の組成物の存在下、砒素、アンチモン、セレンからなる群から選択される少なくとも1種の元素を含有する有害化合物を、アルキル化することにより無害化することを特徴とする。 - 特許庁
This extract composition is obtained by extracting the toxic compound from an organism containing an enzyme converting the toxic compound containing at least 1 kind of an element selected from arsenic, antimony and selenium, to a non-toxic substance.例文帳に追加
本発明の抽出組成物は、砒素、アンチモン、セレンからなる群から選択される少なくとも1種の元素を含有する有害化合物を、無害な物質へ変換する酵素を含む生物体から抽出したことを特徴とする。 - 特許庁
A second III-V compound semiconductor layer 21 containing gallium as a group III constitutive element and arsenic as group V constitutive element is formed on the first III-V compound semiconductor layer 19 using the organometallic vapor growth furnace 25.例文帳に追加
次いで、第1のIII−V化合物半導体層19上に有機金属気相成長炉25を用いて、III族構成元素としてガリウムおよびV族構成元素としてヒ素を含む第2のIII−V化合物半導体層21を形成する。 - 特許庁
The method of detoxicating a harmful compound is characterized by the detoxication of the harmful compound including at least one element selected from a group consisting of arsenic, antimony and selenium by using marine microalgae.例文帳に追加
本発明の有害化合物の無害化方法は、海洋性微細藻類を用いて砒素、アンチモン、セレンからなる群から選択される少なくとも1種の元素を含有する有害化合物を無害な物質とすることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a catalyst for removing an organic halogen compound having an excellent removal performance of the organic halogen compound and a less activity deterioration by a poisoning component such as SOx and arsenic and a processing method of an exhaust gas using this.例文帳に追加
有機ハロゲン化合物の除去性能に優れ、かつSOxや砒素などの被毒成分による活性劣化が少ない、有機ハロゲン化合物の除去用触媒およびこれを用いた排ガスの処理方法を提供する。 - 特許庁
To provide a cleaning agent which can decompose a heavy metal such as arsenic, chromium or lead or the like, and/or an aliphatic organic halogen compound and an aromatic organic halogen compound efficiently, continuously and economically.例文帳に追加
本発明は、廃水中に含まれる砒素、クロム、鉛等の重金属等及び/又は脂肪族有機ハロゲン化合物、芳香族有機ハロゲン化合物を効率よく、持続的に、しかも経済的に分解できる浄化剤を提供するものである。 - 特許庁
The detoxifying method of the harmful compound of this invention detoxifies by alkylation or arylation the harmful compound which contains at least a kind of element chosen from a group comprising arsenic, antimony, and selenium.例文帳に追加
本発明の有害化合物の無害化方法は、砒素、アンチモン、セレンからなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有する有害化合物を、アルキル化又はアリール化することにより無害化することを特徴とする。 - 特許庁
To provide a treatment method of a refinement intermediate product which obtains an arsenic compound in a shape suitable for stabilizing as an iron arsenate crystal from a non-iron refinement intermediate product.例文帳に追加
非鉄製錬の中間産物から、ヒ酸鉄結晶として安定化させるのに好適な形態のヒ素化合物を得ることの出来る、製錬中間産物の処理方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for forming a semiconductor layer of group III-V compound semiconductor which contains a gallium element, indium element, arsenic element and nitrogen element, and shows a good optical property.例文帳に追加
ガリウム元素、インジウム元素、ヒ素元素および窒素元素を含んでおり良好な光学特性を示すIII−V化合物半導体の半導体層を形成する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a harmful heavy metal decreasing material for efficiently decreasing a compound containing harmful heavy metals such as hexavalent chromium, trivalent chromium, lead, cadmium, nickel, mercury, arsenic and selenium at a low cost.例文帳に追加
6価クロム、3価クロム、鉛、カドミウム、ニッケル、水銀、砒素、セレン等の有害重金属を含む化合物を安価に効率よく低減する有害重金属低減材を提供する。 - 特許庁
To provide a method of treating arsenic-containing compounds into a material having weather resistance against various solvents such as acid, alkali or an organic compound from the outside while suppressing treatment cost.例文帳に追加
砒素含有化合物を、処理コスト抑制しながら、外部からの酸、アルカリ、有機化合物など様々な溶媒に対して耐候性を持ったものへと処理する処理方法を提供する。 - 特許庁
A cantilever for the scanning probe microscope or a sensor is manufactured by a method for molding integrally a beam, a chip and a pedestal from an arsenic-based, antimony-based or nitrogen-based 3-5 group compound semiconductor.例文帳に追加
砒素系、アンチモン系、窒素系3−5族化合物半導体でビーム+チップ+台座を一体成型する方法で走査プローブ顕微鏡用、又はセンサー用カンチレバーを製造する。 - 特許庁
Not only heavy metals but also fluorine or arsenic are bonded to iron hydroxide or adsorbed on a formed water-insoluble compound the environmental pollutant is made wholly insoluble in water.例文帳に追加
重金属ばかりでなく、フッ素や砒素までも水酸化鉄と結合し、または生成した非水溶性化合物に吸着され、環境汚染性物質は全て非水溶化される。 - 特許庁
To provide a crystal growth method of a group III-V compound semiconductor, in which crystallinity is high and light emitting efficiency is improved, containing at least gallium (Ga), indium (In), nitrogen (N), and arsenic (As).例文帳に追加
結晶性に優れ、発光効率が向上した、少なくともガリウム(Ga)、インジウム(In)、窒素(N)、砒素(As)を含むIII−V族化合物半導体の結晶成長方法を提供する。 - 特許庁
The method for detoxifying a toxic compound is characterized in that a toxic compound containing at least one element selected from the group consisting of arsenic, antimony, and selenium is detoxified in the presence of a cobalt complexe by light irradiation and/or heating.例文帳に追加
本発明の有害化合物の無害化方法は、コバルト錯体の存在下、光照射及び/又は加熱により、ヒ素、アンチモン、セレンからなる群から選択される少なくとも1種の元素を含有する有害化合物を無害化することを特徴とする。 - 特許庁
There is provided a method for making a harmful compound harmless, including irradiating light to an organic cobalt complex containing cobalt as a central metal and a corrin ring as a ligand, a methyl group donor, a titanium oxide photocatalyst, and a harmful compound containing an arsenic atom, an antimony atom or a selenium atom to methylate the harmful compound.例文帳に追加
中心金属としてコバルトと配位子としてコリン環とを含む有機コバルト錯体、メチル基供与体、酸化チタン光触媒、および、砒素原子、アンチモン原子、またはセレン原子を含む有害化合物に光照射して、有害化合物をメチル化することを含む有害化合物の無害化方法とする。 - 特許庁
The arsenic compound is removed from the residual liquid of the distillation obtained by distillation of the arsenic-containing hydrogen fluoride including (a) thickening the residual liquid of the distillation by evaporation of the hydrogen fluoride until the temperature of the residual liquid attains 40 to 600 and (b) bringing the residue with calcium hydroxide, calcium oxide or their mixture.例文帳に追加
(a)蒸留の残液を、残液の温度が40から60℃になるまでフッ化水素の蒸発により濃縮し、そして(b)残分を水酸化カルシウム、酸化カルシウム又はそれらの混合物と反応させること、を含むヒ素含有フッ化水素の蒸留において得られる蒸留の残液からヒ素化合物を取除く。 - 特許庁
Such particles can be obtained by a method (treatment A) of adding an oxidizing agent to the solution before the completion of the reaction, in the course of the reaction for depositing scorodite-type iron arsenic compound particles at a pH≤2 while feeding an oxygen-containing gas to an aqueous solution containing pentavalent arsenic ions and divalent iron ions.例文帳に追加
このような粒子は、5価の砒素イオンと2価の鉄イオンを含む水溶液に酸素含有ガスを供給しながらpH2以下にてスコロダイト型鉄砒素化合物結晶を析出させる反応過程において、反応終了前に更に酸化剤を液中に加えることにより得ることができる(A処理)。 - 特許庁
This method for separating arsenic compounds from an arsenic compound-containing liquid by using a high speed liquid chromatography is provided by using a bi-functional basic anion exchange resin having functional group obtained by connecting 2 pieces of ammonium group or amino groups through an alkyl group as a chromatography filling agent.例文帳に追加
高速液体クロマトグラフィーを用いてヒ素化合物含有液からヒ素化合物を分離する方法において、クロマトグラフィー充填剤として、アンモニウム基又はアミノ基がアルキル基を介して2個連結した官能基を有する二官能型強塩基性陰イオン交換樹脂を用いるヒ素化合物の分離方法。 - 特許庁
To provide a method of forming a III-V compound semiconductor layer capable of reducing a hydrogen concentration in a III-V compound semiconductor crystal containing Ga (group III) and arsenic and nitrogen (group V) and reducing pile-up on a regrowth interface as well.例文帳に追加
本発明によれば、Ga(III族)とヒ素、窒素(V族)とを含むIII−V化合物半導体結晶中の水素濃度を低減可能であり、再成長界面におけるパイルアップも低減可能な、III−V化合物半導体層を形成する方法が提供される。 - 特許庁
Moreover, these particles can also be obtained by a method (treatment B) of bringing scorodite-type iron arsenic compound particles of good crystallinity into contact with an iron-containing aqueous solution of 0-90°C which has been brought to a pH of 2-9.例文帳に追加
また、結晶性の良いスコロダイト型鉄砒素化合物粒子をpHが2〜9に調整された0〜90℃の鉄イオン含有水溶液と接触させる方法によっても得ることができる(B処理)。 - 特許庁
To provide optical glass which is substantially free from a compound of lead, arsenic or the like, excellent in the devitrification resistance, and suitable for press molding and which has predetermined optical constants, a low glass-transition temperature (Tg) and a low liquid-phase temperature (T_L).例文帳に追加
鉛や砒素などの化合物を実質的に含有せず、所定の光学恒数を有し、Tg及びT_Lが低く、耐失透性に優れた、プレス成形に適した光学ガラスを提供する。 - 特許庁
The method for producing an allylated sulfonylimidate comprises allowing an allyl compound, comprising a free hydroxy group on its allylic position, and sulfonylimidate to react with each other in the presence of a transition metal catalyst and arsenic oxide.例文帳に追加
本発明は、アリル位に遊離の水酸基を有するアリル化合物と、スルホニルイミデートとを遷移金属触媒及び酸化ヒ素の存在下に反応させて、アリル化スルホニルイミデートを製造する方法に関する。 - 特許庁
A GaInNAs well layer 45, formed of a first group III-V compound semiconductor comprising nitrogen and arsenic as a group V, is formed on a GaAs buffer semiconductor layer 43 by molecular beam epitaxy.例文帳に追加
GaAsバッファ半導体層43上に、V族として窒素およびヒ素を含む第1のIII−V化合物半導体からなるGaInNAs井戸層45を分子線エピタキシ法で形成する。 - 特許庁
In the detoxification method of the harmful compound, the harmful compound containing at least one of the elements selected from the group consisting of arsenic, antimony, and selenium are taken into plant plankton capable of detoxifying the harmful compounds to alkylate the harmful compound in the plant plankton, and the detoxified compound is excreted from the plant plankton.例文帳に追加
本発明の有害化合物の無害化方法は、砒素、アンチモン、セレンからなる群から選択される少なくとも1種の元素を含有する有害化合物を無害化可能な植物プランクトンに取り込ませて、前記植物プランクトン内で前記有害化合物をアルキル化することにより無害化し、前記無害化物質を前記植物プランクトンの生体外へ排出させることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a field effect transistor of high output wherein a structure for preventing a hetero interface between arsenic compound and phosphorus compound from affecting characteristics of a device is adopted, and a high frequency module whereon an MMIC prepared by using the transistor is mounted and high output is obtained.例文帳に追加
砒素化合物と燐化合物のヘテロ界面がデバイスの特性に影響を及ぼさないようにする構造を採用した高出力の電界効果トランジスタと、それを用いて作製したMMICを搭載した高出力が得られる高周波モジュールを提供すること。 - 特許庁
To provide a method for growing a III-V compound semiconductor capable of improving the crystal quality of GaAs, when growing the III-V compound semiconductor containing gallium and indium as a group III element and containing arsenic and nitrogen as group V elements, and GaAs.例文帳に追加
III族元素としてガリウム及びインジウムを含むと共にV族元素としてヒ素及び窒素を含むIII−V化合物半導体およびGaAsを成長する際に、GaAsの結晶品質を向上可能なIII−V化合物半導体を成長する方法を提供する。 - 特許庁
This method of manufacturing the refined pitch by removing the arsenic component included in the carboniferous heavy oil, petroleum heavy oil or the pitch, adds 1-thioglycelol to the heavy oil or the pitch to react the arsenic component and the 1-thioglycelol and removes the product compound.例文帳に追加
石炭系重質油、石油系重質油またはピッチに含まれるヒ素成分を除去し、精製する精製ピッチの製造方法において、重質油またはピッチに1−チオグリセロールを添加して重質油またはピッチ中のヒ素成分を1−チオグリセロールと反応させ、形成された化合物を除去することを特徴とする精製ピッチの製造方法。 - 特許庁
To provide a semiconductor light emitting element having an active region of a quantum well structure which has a barrier layer made of a group III-V compound semiconductor containing aluminum, gallium, indium, and arsenic so as to be able to reduce a leak current.例文帳に追加
アルミニウム、ガリウム、インジウムおよびヒ素を含むIII−V化合物半導体のバリア層を有する量子井戸構造の活性領域を備えリーク電流を低減可能な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁
The method and the apparatus are characterized by adding fluorine gas or a mixed gas of fluorine gas and an inert gas to hydrofluoric acid containing an arsenic compound, then by retaining at a constant time, and thereafter by distilling the hydrofluoric acid.例文帳に追加
ヒ素化合物を含有するフッ化水素酸にフッ素ガス又はフッ素ガスと不活性なガスとの混合ガスを添加した後、一定時間滞留させた後、フッ化水素酸を蒸留する事を特徴とする。 - 特許庁
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