wurtzite type structureとは 意味・読み方・使い方

There is prepared a c plane off substrate which includes the wurtzite type crystal structure, and a crystal c plane which is inclined to a first substrate main face as at least a main face on the minus c plane side at a predetermined angle around an a axis.例文帳に追加

ウルツ鉱型の結晶構造を有し、少なくとも−ｃ面側の主面である第１基板主面に対して結晶ｃ面がａ軸の回りに所定角度傾いたｃ面オフ基板を用意する。 - 特許庁

The manufacturing method of the nitride group semiconductor element includes steps of etching the rear side (nitrogen side) of an n-type GaN substrate 1 with a wurtzite structure by an RIE (reactive ion etching) method, and then forming an n-side electrode 8 on the rear side (nitrogen side) of the etched n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

In this semiconductor light emitting element formed by subjecting a semiconductor crystal 4 of a wurtzite structure having, on a substrate, an n-type GaN layer 1, an InGaN layer 2 and a p-type GaN layer 3 to c-axis growth, the semiconductor crystal 4 having the respective layers 1, 2, 3 is erected in a nanosize sheet-like form from the substrate.例文帳に追加

基板上に、ｎ型ＧａＮ層１、ＩｎＧａＮ活性層２、ｐ型ＧａＮ層３を有するウルツ構造の半導体結晶４がｃ軸成長されて成る半導体発光素子において、前記の各層１，２，３による半導体結晶４を、基板からナノサイズのシート状に立設する。 - 特許庁

The process for fabricating a nitride-based semiconductor laser element comprises a step for etching the backside (nitrogen surface) of an n-type GaN substrate 1 having wurtzite structure by RIE, and a step for forming an n-side electrode 8 on the backside (nitrogen surface) of the etched n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

This manufacturing method of a nitride semiconductor laser device comprises a step to etch the back surface (nitride surface) of an n-type GaN substrate 1 having wurtzite structure by RIE method, and then, a step to form an n-electrode 8 on the back surface (nitride surface) of the etched n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

A manufacturing method of a nitride-based semiconductor laser device includes steps of etching the back surface (nitrogen face) of an n-type GaN substrate 1 having a wurtzite structure by RIE method and forming an n-side electrode 8 on the etched back surface (nitrogen face) of the n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

This GaN single-crystal mass 10 is of a wurtzite-type crystal structure, wherein at 30°C, its elastic constant C_11 is 348 GPas or greater and 365 GPa or less and its elastic constant C_13 is 90 GPa or greater and 98 GPa or less, or its elastic constant C_11 is 352 GPa or greater and 362 GPa or less.例文帳に追加

本ＧａＮ単結晶体１０は、ウルツ型結晶構造を有し、３０℃において、弾性定数Ｃ_11が３４８ＧＰａ以上３６５ＧＰａ以下かつ弾性定数Ｃ_13が９０ＧＰａ以上９８ＧＰａ以下、または、弾性定数Ｃ_11が３５２ＧＰａ以上３６２ＧＰａ以下である。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a p-type clad layer 11 consisting of a hexagonal-crystal SiC single crystal thin film; and a light emission layer 12 which consists of an alloy ZnO compound semiconductor having a wurtzite structure and a forbidden band width Eg not less than 1.8 eV and less than 3.1 eV, and forms a hetero junction with the clad layer 11.例文帳に追加

六方晶系ＳｉＣ単結晶薄膜からなるｐ型クラッド層１１と、ウルツ鉱構造で、禁制帯幅Ｅｇ＝１．８ｅＶ以上、３．１ｅＶ未満のＺｎＯ系化合物半導体混晶からなり、クラッド層１１とヘテロ接合をなす発光層１２とを備える。 - 特許庁