wurtzite type crystalとは 意味・読み方・使い方

The semiconductor substrate having a crystal structure of the wurtzite type has a main surface inclined about 45 to about 65° in a <10-10> direction of a crystal zone axis from a (0001) face.例文帳に追加

ウルツ鉱型の結晶構造を持つ半導体基板は、面方位が（０００１）面から晶帯軸の＜１０−１０＞方向に約４５°〜約６５°傾いた主面を有している。 - 特許庁

To provide an aluminum nitride piezoelectric material having a wurtzite-type crystal structure which is material-designed so as to improve the time constant at high temperature.例文帳に追加

高温での時定数が向上されるよう材料設計された、ウルツ鉱型の結晶構造を有する窒化アルミニウム圧電体を提供する。 - 特許庁

There is prepared a c plane off substrate which includes the wurtzite type crystal structure, and a crystal c plane which is inclined to a first substrate main face as at least a main face on the minus c plane side at a predetermined angle around an a axis.例文帳に追加

ウルツ鉱型の結晶構造を有し、少なくとも−ｃ面側の主面である第１基板主面に対して結晶ｃ面がａ軸の回りに所定角度傾いたｃ面オフ基板を用意する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for producing an in-plane oriented thin film of a wurtzite-type crystal, in which a large area film can be produced and cost required for the apparatus can be suppressed.例文帳に追加

ウルツ鉱型結晶の面内配向薄膜の製造において、大面積で製造することができ、且つ装置に要するコストを抑えることができる方法及び装置を提供する。 - 特許庁

In this semiconductor light emitting element formed by subjecting a semiconductor crystal 4 of a wurtzite structure having, on a substrate, an n-type GaN layer 1, an InGaN layer 2 and a p-type GaN layer 3 to c-axis growth, the semiconductor crystal 4 having the respective layers 1, 2, 3 is erected in a nanosize sheet-like form from the substrate.例文帳に追加

基板上に、ｎ型ＧａＮ層１、ＩｎＧａＮ活性層２、ｐ型ＧａＮ層３を有するウルツ構造の半導体結晶４がｃ軸成長されて成る半導体発光素子において、前記の各層１，２，３による半導体結晶４を、基板からナノサイズのシート状に立設する。 - 特許庁

As a result, the substrate does no contain the hexagonal columnar crystals as in the case the semiconductor crystal is grown on the semiconductor substrate having the crystalline structure of the wurtzite type having the (0001) face as its main surface like heretofore.例文帳に追加

これにより、従来のように（０００１）面を主面とするウルツ鉱型の結晶構造を持つ半導体基板上に半導体結晶を成長した場合のような六方柱状晶を含むことがない。 - 特許庁

This GaN single-crystal mass 10 is of a wurtzite-type crystal structure, wherein at 30°C, its elastic constant C_11 is 348 GPas or greater and 365 GPa or less and its elastic constant C_13 is 90 GPa or greater and 98 GPa or less, or its elastic constant C_11 is 352 GPa or greater and 362 GPa or less.例文帳に追加

本ＧａＮ単結晶体１０は、ウルツ型結晶構造を有し、３０℃において、弾性定数Ｃ_11が３４８ＧＰａ以上３６５ＧＰａ以下かつ弾性定数Ｃ_13が９０ＧＰａ以上９８ＧＰａ以下、または、弾性定数Ｃ_11が３５２ＧＰａ以上３６２ＧＰａ以下である。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a p-type clad layer 11 consisting of a hexagonal-crystal SiC single crystal thin film; and a light emission layer 12 which consists of an alloy ZnO compound semiconductor having a wurtzite structure and a forbidden band width Eg not less than 1.8 eV and less than 3.1 eV, and forms a hetero junction with the clad layer 11.例文帳に追加

六方晶系ＳｉＣ単結晶薄膜からなるｐ型クラッド層１１と、ウルツ鉱構造で、禁制帯幅Ｅｇ＝１．８ｅＶ以上、３．１ｅＶ未満のＺｎＯ系化合物半導体混晶からなり、クラッド層１１とヘテロ接合をなす発光層１２とを備える。 - 特許庁