w Maとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 WMAとは、Microsoftが開発した音声圧縮符号化方式（コーデック）の名称である。、世界医師会、ダブリュー‐エム‐エー
「w Ma」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 27件
On both ends of the bulb 31, electrodes generating discharge with current density of 3-5 mA/mm2 by lamp electric power of 7-15 W are arranged hermetically.例文帳に追加
バルブ31の両端に、バルブ31内に７〜１５Ｗのランプ電力によって電流密度が３〜５ mA/mm^2の放電を生起させる電極を封装する。 - 特許庁
In this way, the injection quantity and injection pressure of the cooling water W to the mold 2 and the coarse material Ma are uniformized in the circumferential direction, and variation in the internal structure of the coarse material Ma is eliminated.例文帳に追加
これにより、モールド２と粗材Ｍａに対する冷却水Ｗの噴射量と噴射圧力を円周方向において均一化して、粗材Ｍａの内部組織のバラツキをなくす。 - 特許庁
Thereby, metal nano-particles Ma generated from the foggy droplets Mb of the metal salt solution by thermal decomposition are film-deposited onto the wafer W.例文帳に追加
これにより、熱分解により金属塩溶液の霧状の液滴Ｍｂから生成された金属ナノ粒子ＭａをウエハＷに成膜する。 - 特許庁
The composition formula is R_3-xBi_xFe_5-v-w-yMa_zMb_vMc_wRh_yO_12, where R denotes a rare earth element including yttrium; Ma denotes a bivalent positive element; Mb denotes a trivalent positive element; and Mc denotes a quadrivalent positive element.例文帳に追加
組成式は、Ｒ_3-x Ｂｉ_x Ｆｅ_5-v-w-y Ｍａ_z Ｍｂ_v Ｍｃ_w Ｒｈ_y Ｏ_12但し、Ｒはイットリウムを含む希土類元素、Ｍａは２価の陽性元素、Ｍｂは３価の陽性元素、Ｍｃは４価の陽性元素、で表される。 - 特許庁
In the transferring device 1 transferring the fine transfer pattern formed in the mold M to the molding object W, a portion Ma of the mold M formed with the fine transfer pattern is gradually deformed into a convex form compared to an original form of the portion Ma toward the center of the portion Ma, for avoiding transfer defect at the central part of the portion Ma.例文帳に追加
型Ｍに形成されている微細な転写パターンを、被成型品Ｗに転写する転写装置１において、微細な転写パターンが形成されている型Ｍの部位Ｍａを、この部位Ｍａの中央部側での転写不良を回避するために、部位Ｍａの中央に向かうにしたがって、部位Ｍａの本来の形態に比べて徐々に凸になるように変形させる構成である。 - 特許庁
The mask region MA is formed by the mask means 13 in a region located at an outer edge side of the wafer W and in which the peeling tape PT is adhered.例文帳に追加
マスク領域ＭＡは、マスク手段１３により、ウエハＷの外縁側領域であって剥離用テープＰＴが接着される領域に形成される。 - 特許庁
A development unit D, an application unit C, and cooling plates 41 are arranged in a processing station S2 which applies resist on a wafer W, and the wafer W is transferred from one to the other by a substrate transfer means MA.例文帳に追加
レジストの塗布等を行う処理ステ−ションＳ２内に、現像ユニットＤと塗布ユニットＣと複数の冷却プレート４１とを配置し、基板搬送手段ＭＡによりこれらの間でウエハＷの搬送を行う。 - 特許庁
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wma
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「w Ma」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 27件
In the method for assembling the mask assembly MA, the holder is held in a separate manner from the mask above the liquid crystal glass substrate W positioned and placed on the mask M.例文帳に追加
マスク組立体ＭＡの組立方法は、まずマスクＭ上に位置決めして載置された液晶ガラス基板Ｗの上方に、ホルダをマスクから離間させた状態で保持する。 - 特許庁
In this method for assembling the mask assembly MA, the holder is firstly held separately from the mask above the liquid crystal glass substrate W positioned and placed on the mask M.例文帳に追加
マスク組立体ＭＡの組立方法は、まずマスクＭ上に位置決めして載置された液晶ガラス基板Ｗの上方に、ホルダをマスクから離間させた状態で保持する。 - 特許庁
This mask assembly MA comprises a liquid crystal glass substrate W, a magnetic mask M for partially shielding a film deposition surface, and a holder having a built-in magnet for attracting the mask M and pressing the liquid crystal glass substrate W against the mask M from a back side.例文帳に追加
マスク組立体ＭＡは、液晶ガラス基板Ｗと、その成膜面を部分的に遮蔽する磁性体性のマスクＭと、マスクＭを吸引するマグネットを内蔵し、液晶ガラス基板Ｗを裏面側からマスクＭに押し付けるホルダとを備える。 - 特許庁
The mask assembly MA comprises a liquid crystal glass substrate W, a magnetic mask M for partially shield a film deposition surface thereof, and a holder having a built-in magnet for attracting the mask M, and pressing the liquid crystal glass substrate W against the mask M from a back side.例文帳に追加
マスク組立体ＭＡは、液晶ガラス基板Ｗと、その成膜面を部分的に遮蔽する磁性体性のマスクＭと、マスクＭを吸引するマグネットを内蔵し、液晶ガラス基板Ｗを裏面側からマスクＭに押し付けるホルダとを備える。 - 特許庁
The device comprises a infrared lamp 41 which irradiates a substrate for treatment W with a light beam to heat the substrate W and a mask M placed between the infrared lamp 41 and the substrate W, made of copper which reflects wavelength of irradiated light with apertures Ma of prescribed pattern.例文帳に追加
処理基板Ｗに向けて照射光を照射することで処理基板Ｗを昇温させる赤外線ランプ４１と、赤外線ランプ４１と処理基板Ｗとの間に配置され、照射光の波長に対し反射する銅材で形成されるとともに所定のパターンで開口部Ｍａが形成されたマスクＭとを備えている。 - 特許庁
A sensor comprising detectors 11, 12 detects a luminescent light LR generated by a mutual reaction of the nearest lens element 10 to a substrate W with a projection beam PB focused on the substrate W through a mask MA in a projection system PL.例文帳に追加
マスクＭＡを通った投影ビームＰＢを基板Ｗ上に集束する投影システムＰＬの基板Ｗに最も近いレンズ素子１０がこの投影ビームＰＢと相互作用して発生するルミネセンス光ＬＲを検出器１１、１２を含むセンサによって検出する。 - 特許庁
By controlling the movable components (MT, MA, WT, and W) in the lithographic apparatus, the control of the position and velocity of the point C_s on the component that is set apart from the center of mass of the component is improved.例文帳に追加
リソグラフィ装置内の可動構成素子ＭＴ，ＭＡ，ＷＴ，Ｗの制御により、構成素子の質量中心から離れた、構成素子上の１点Ｃ_Sの位置及び速度の制御が改善される。 - 特許庁
Light from a light source part 2 is selected to white light or light having a specified wavelength λ by a wavelength select means 23, and applied to a measured area MA on a substrate W by a light guide optical system 3.例文帳に追加
光源部２からの光を波長選択手段２３により白色光または特定波長λｆの光に選択後、導光光学系３により基板Ｗ上の測定領域ＭＡに照射する。 - 特許庁
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