vapor phase diffusionとは 意味・読み方・使い方

The flame arrestor 2000 suppresses diffusion of vapor phase fuel up to the resonator 1400 and diffusion of back fire flame up to the resonator part 1400.例文帳に追加

フレームアレスタ２０００は、気相の燃料がレゾネータ部１４００にまで拡散することと、バックファイヤの火炎がレゾネータ部１４００にまで拡散することとを抑制する。 - 特許庁

The light emission layer portion 24 is formed by metal organic chemical vapor deposition, and the current diffusion layer 7 whose conductivity type is n-type is formed on the light emission layer portion 24 by hydride vapor-phase deposition.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に導電型がｎ型とされる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

In the production method of neodymium magnet, a neodymium magnet M having a metal structure consisting of a main phase S and a grain boundary phase R, and a neodymium alloy G' composed of neodymium and a non-rare-earth metal are heat-treated under a reduced pressure atmosphere, thus causing vapor phase diffusion of a neodymium alloy G into the grain boundary phase R.例文帳に追加

主相Ｓと粒界相Ｒからなる金属組織を有するネオジム磁石Ｍと、ネオジムと非希土類金属からなるネオジム合金Ｇ’を減圧雰囲気下で熱処理し、該粒界相Ｒ内にネオジム合金Ｇを気相拡散させるネオジム磁石の製造方法である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor epitaxial wafer which can suppress a backside hole, when forming a current diffusion layer using hydride vapor phase epitaxy.例文帳に追加

ハイドライド気相成長法を用いて電流拡散層を形成する場合に、裏面穴を抑制することのできる化合物半導体エピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve cooling performance of a cooling device by improving discharging efficiency of a vapor-phase refrigerant by increasing the supply of liquid-phase refrigerant, promoting heat diffusion to the inside of a porous member, and encouraging boiling.例文帳に追加

液相冷媒の供給量の増加、多孔質部材内部への熱拡散の促進、沸騰を生じやすくさせること、気相冷媒の排出性の向上によって、冷却装置の冷却性能を向上させる。 - 特許庁

When a p-gate HFET is prepared by conducting a vapor-phase Zn diffusion to an epitaxial wafer, the diffusion depth of Zn is controlled at a change in a temperature of the diffusion coefficient of Zn to a compound semiconductor wafer such as GaAs, AlGaAs or the like.例文帳に追加

エピタキシャルウェーハに気相Ｚｎ拡散を行ってｐ−ｇａｔｅＨＦＥＴを作成する場合、ＧａＡｓやＡｌＧａＡｓ等の化合物半導体ウェーハに対するＺｎの拡散係数が温度によって変化することに着目し、Ｚｎの拡散深さを制御する。 - 特許庁

To provide an epitaxial crystal that can be manufactured utilizing an organic metal vapor phase growth method, and has a modulation doped structure with less Zn diffusion into an adjacent layer, and to provide a light-receiving element.例文帳に追加

有機金属気相成長法を利用して製造可能で、隣接層へのＺｎ拡散の少ない変調ドープ構造を有するエピタキシャル結晶及び受光素子を提供する。 - 特許庁

The diffusion layer 7 made of III-V compound semiconductor containing Ga indispensably as a group III element is formed on the layer 24 by a hydride vapor phase growing process.例文帳に追加

また、発光層部２４の上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを必須とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁