vanadium carbideとは 意味・読み方・使い方

A carbide layer which is mainly made of vanadium carbide and contains small quantity of chromium carbide is formed on a topmost surface part of steel to be a base material of the pin for the chain.例文帳に追加

チェーン用ピンの母材となる鋼の最表部に、バナジウム炭化物を主成分としかつ少量のクロム炭化物を含む炭化物層を形成する。 - 特許庁

HIGH-HARDNESS ALLOY CAST IRON MATERIAL CONTAINING SPHEROIDAL VANADIUM CARBIDE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

球状バナジウム炭化物含有高硬度合金鋳鉄材料及びその製造方法 - 特許庁

LOW THERMAL-EXPANSION MATERIAL CONTAINING SPHERICAL VANADIUM CARBIDE SUPERIOR IN ABRASION RESISTANCE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

耐摩耗性に優れた球状バナジウム炭化物含有低熱膨張材料及びこの製造方法 - 特許庁

Also, at least either vanadium carbide or molybdenum carbide with a diameter of ≤10 nm is precipitated in the steel.例文帳に追加

そして、当該鋼には、直径１０ｎｍ以下のバナジウム炭化物およびモリブデン炭化物のうち少なくともいずれか一方が析出している。 - 特許庁

In this case, generation of peeling from a surface layer of the carbide layer can be prevented since the carbide layer formed on the topmost surface part of the base material is mainly made of vanadium carbide.例文帳に追加

この場合には、母材の最表部に形成される炭化物層がバナジウム炭化物を主成分としているので、炭化物層の表層から剥離が起こるのを防止できる。 - 特許庁

To provide a laser cladding method that can form a clad layer in which a vanadium carbide is uniformly dispersed.例文帳に追加

本発明は、バナジウム炭化物を均一分散させたクラッド層を形成し得るレーザクラッディング方法を提供する。 - 特許庁

The cemented carbide substrate comprises WC, binder phase, and vanadium containing cubic carbide phase with a binder phase enriched surface zone essentially free of cubic carbide phase.例文帳に追加

この超硬合金の基材は、ＷＣと、バインダ相と、実質的に立方晶の炭化物相の無いバインダ相の豊富な表面区域を有する立方晶の炭化物の相を含有するバナジウムと、とを含んで成る。 - 特許庁

The substrate 1 for forming a group III nitride semiconductor substrate comprises a base substrate 11, a nitrided layer 12 of a carbide layer selected from aluminum carbide, titanium carbide, zirconium carbide, hafnium carbide and vanadium carbide on the base substrate 11, and a group III nitride semiconductor film 13 provided on the nitrided carbide layer 12.例文帳に追加

III族窒化物半導体基板形成用基板１は、下地基板１１と、この下地基板１１上に設けられ、炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択される炭化物層を窒化した層１２と、炭化物層を窒化した層１２上に設けられたIII族窒化物半導体膜１３とを備える。 - 特許庁