tunnel junctionsとは 意味・読み方・使い方

To reduce power consumption of a MRAM device formed of magnetic memory cells having magnetic tunnel junctions.例文帳に追加

磁気トンネル接合部を有する磁性体メモリセルによって形成されるＭＲＡＭデバイスの低消費電力化を図る。 - 特許庁

The light tunnel structure 3 is characterized in that it includes a plurality of plates 31-34 connected to each other to form the light tunnel T by surrounding it with at least one gap G formed at each of the junctions, and that it includes an adhesive 35 that is filled within the gaps G at the junctions.例文帳に追加

本発明に係る光トンネル構造３は、互いに接合されて囲むことで、光トンネルＴを形成し、各接合部は少なくとも１つの間隙Ｇを有する複数のプレート３１〜３４と、前記接合部と前記間隙Ｇとの間に充填される接着剤３５と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The memory element accordingly has a SRAM 4 transistor (4T) 2 load (2R) architecture wherein the resistance associated with two magnetic tunnel junctions provides the two load resistances.例文帳に追加

従って、本メモリ要素は、ＳＲＡＭ４トランジスタ（４Ｔ）２負荷（２Ｒ）アーキテクチャを有しており、該２個の磁気トンネル接合と関連する抵抗が２個の負荷抵抗を与える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electronic device using a tubular inorganic matter showing a single electronic tunnel electrical conductivity, which can show the single electronic tunnel electrical conductivity by forming a number of fine tunnel junctions in a tubular inorganic matter, can control even the fine tunnel junction amount properly, and is industrially extremely effective.例文帳に追加

チューブ状無機物質に微小なトンネル接合を多数形成し、単一電子トンネル電気伝導性を示すことが可能となり、かつ当該微少なトンネル接合量も適正に制御することができる、工業的に極めて有用な、単一電子トンネル電気伝導性を示すチューブ状無機物質を用いた電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor element is provided in which drain current indicates steep fluctuation (an S value is less than 60 mV/order) with respect to gate potential fluctuation though in low voltage by combining a MOSFET with a tunnel bipolar transistor having tunnel junctions.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴと、トンネル接合を有するトンネルバイポーラトランジスタを組み合わせることにより、低電圧であっても、ゲート電位変化に対してドレイン電流が急峻な変化（Ｓ値が６０ｍＶ／桁よりも小さい）を示す半導体素子を構成する。 - 特許庁

Magnetoresistive devices that can incorporate the exchange-coupled structure 110 include current-in-plane (CIP) read heads and current-perpendicular-to-plane (CPP) magnetic tunnel junctions and read heads.例文帳に追加

交換結合構造１１０を組み込むことができる磁気抵抗素子には面内電流（ＣＩＰ）読み出しヘッドと面直交電流（ＣＰＰ）磁気トンネル接合及び読み出しヘッドがある。 - 特許庁

In addition, a conductive material layer is formed so as to embed the conical bodies 22 in the layer and the peripheries of the conical bodies 22 may be made to function as the quantum dots or the fine tunnel junctions.例文帳に追加

その他、シリコン針状錐体２２を埋め込むように伝導材料層を形成し、その錐体２２の周囲を量子ドット及び微小トンネル接合として機能させても良い。 - 特許庁

A central electrode 4 is formed between the two ferromagnetic tunnel junctions, and a gate electrode 7 formed with a resistor (resistance value: Rg) so as to be brought into contact with the electrode 4.例文帳に追加

この２つの強磁性トンネル接合の間を中央電極４とし、中央電極４に接するように抵抗体（抵抗値Ｒｇ）を形成したゲート電極７で構成される。 - 特許庁