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trisilaneとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 トリシラン
「trisilane」を含む例文一覧
該当件数 : 9件
EPOXY/UNSATURATED POLYESTER/METHYL TRISILANE CONTAINING SILICONE DISPERSION COMPOSITE RESIN COMPOSITION例文帳に追加
エポキシ/不飽和ポリエステル/メチルトリシラン含有シリコーンデスパージョン複合樹脂組成物。 - 特許庁
In a preferred embodiment, a silicon layer is deposited on a substrate using trisilane as a silicon precursor 100.例文帳に追加
好ましい実施態様において、シリコン前駆物質としてトリシランを用いて、シリコン層が基板上に堆積100される。 - 特許庁
A dopant source may be intermixed with the trisilane and the etchant source to selectively deposit the doped Si-containing film.例文帳に追加
ドーパントソースは、ドープしたSi含有膜を選択的に堆積させるために、トリシランおよびエッチャントソースと混合することもできる。 - 特許庁
Amorphous SiGe layers 600 are deposited on at least one monolayer of a dopant by CVD from trisilane and GeH_4.例文帳に追加
アモルファスSiGe層600が、トリシラン及びGeH_4からCVDによって、ドーパントの1以下のモノレイヤー上に堆積される。 - 特許庁
In a preferable embodiment, Si-containing thin films useful to the semiconductor industry for various purposes including transistor gate electrodes can be deposited by using trisilane.例文帳に追加
好ましい実施の形態では、トリシランを使用して、トランジスタゲート電極などの様々な用途で半導体産業において有用なSi含有薄膜を堆積する。 - 特許庁
To provide a chemical vapor deposition method using trisilane and a halogen-containing etchant source (such as chlorine) to selectively deposit a Si-containing film over a selected region of a mixed substrate.例文帳に追加
混合基板の選択された領域上に、Si含有膜を選択的に堆積するためのトリシランおよびハロゲン含有エッチャントソース(塩素など)を使用する化学気相成長方法を提供すること。 - 特許庁
According to the plasma CVD method, a silicide gas (monosilane, disilane, trisilane, etc.) and fluorine are introduced in a film forming chamber as raw material gases, and a plasma is generated to directly form a semiconductor film containing a crystal structure on a substrate under process.例文帳に追加
本発明は、プラズマCVD法により、成膜室に珪化物気体(モノシラン、ジシラン、トリシランなど)とフッ素(或いはフッ化ハロゲンガス)を原料ガスとして導入し、プラズマを発生させて結晶構造を含む半導体膜を被処理基板に直接成膜する。 - 特許庁
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「trisilane」を含む例文一覧
該当件数 : 9件
The method can be used to synthesize trisilane: (H_3Si)_2SiH_2, and the iso-tetrasilane analog: (H_3Si)_3SiH, by combining a silane triflate with a compound comprising a SiH_3 ligand under conditions whereby the silicon hydride is formed.例文帳に追加
該方法は、水素化珪素が形成される条件下でシラン・トリフレートとSiH_3配位子を含む化合物とを化合させることにより、トリシラン(H_3Si)_2SiH_2およびイソ−テトラシラン類似物(H_3Si)_3SiHを合成するために使用することができる。 - 特許庁
A step of preparing a substrate arranged in a CVD chamber, and a step of depositing a gradient film containing SiGe on the substrate by thermal CVD using a deposition gas which contains a predetermined amount of trisilane and a germanium precursor and makes the predetermined amount change while deposition are included.例文帳に追加
CVDチャンバ内に配置された基板を用意するステップと、所定量のトリシラン及びゲルマニウム前駆体を含み、上記量を堆積中に変化させる堆積ガスを用いて、熱CVDによって基板上に傾斜SiGe含有膜を堆積するステップとを含む。 - 特許庁
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