trimethylgalliumとは 意味・読み方・使い方

TRIMETHYLGALLIUM, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND THIN GALLIUM NITRIDE FILM OBTAINED FROM THE TRIMETHYLGALLIUM例文帳に追加

トリメチルガリウム、その製造方法およびそのトリメチルガリウムから得られた窒化ガリウム薄膜 - 特許庁

Provided is a high-purity trimethylgallium having a hydrocarbon content of <4 mass ppm.例文帳に追加

炭化水素の含有量が4質量ppm未満の高純度トリメチルガリウム。 - 特許庁

TMGa(trimethylgallium), ammonia gas (NH3), DMZn(dimethylzinc) and SiH4(silane) are used as a raw material gas.例文帳に追加

原料ガスとして、ＴＭＧａ（トリメチルＧａ）、アンモニアガス（ＮＨ_3）、ＤＭＺｎ（ジメチル亜鉛）、ＳｉＨ_4 （シラン）を用いる。 - 特許庁

As the source material 28, an organic source of TMG (trimethylgallium) or the like can be used, and as the nitrogen-containing gas, a nitrogen radical-containing gas can be used.例文帳に追加

ソース物質２８としては、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）等の有機ソースを用いてもよく、窒素含有ガスとしては、窒素ラジカルを含むガスを用いてもよい。 - 特許庁

The vacuum exhausting within a reactive chamber 1 is set to an appropriate pressure, the temperature of a sapphire substrate is raised and kept to a specified temperature, and the material from a trimethylgallium bomb 3 and trimethylamine bomb 4 is introduced into the reactive chamber 1.例文帳に追加

反応室１の真空排気を適当な圧力にし、サファイア基板２３の温度を所定温度に上昇させて保持し、トリメチルガリウム・ボンベ３及びトリメチルアミン・ボンベ４からの原料を反応室１へ導入する。 - 特許庁

Thereafter, trimethylgallium, ammnonia and silane are introduced, while the substrate temperature of 1,050°C and pressure in the furnace are maintained at 1,050°C and 30 kPa, respectively, and a GaN buffer layer 3 of 1 micrometer thickness is grown on the substrate 1.例文帳に追加

その後、摂氏１０５０度の基板温度を摂氏１０５０度、炉内圧力を３０キロパスカルに保持したまま、トリメチルガリウム、アンモニア、シランを導入して、厚さ1マイクロメートルの型ＧａＮバッフア層３を基板１に成長する。 - 特許庁

A second mirror stack 111 covers and is adhered to the second cladding layer 109, and includes the carbon doping level controlled by a ratio of Group V containing organic metals (TBAs) to Group III organic metals (trimethylgallium and trimethylaluminum).例文帳に追加

第２ミラー・スタック１１１は、第２クラッディング層１０９上に被着され、Ｖ族含有有機金属（ＴＢＡｓ）とＩＩＩ族有機金属（トリメチルガリウムおよびトリメチルアルミニウム）との比率によって制御される炭素ドーピング・レベルを有する。 - 特許庁