trench effectとは 意味・読み方・使い方

METHOD OF MANUFACTURING TRENCH FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH TRENCHED HEAVY BODY例文帳に追加

トレンチとされた高重基体を備えるトレンチ型電界効果トランジスタを製造する方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE BY COMPENSATING STRESS EFFECT AND OPTICAL PROXIMITY EFFECT OF SHALLOW TRENCH ISOLATION例文帳に追加

シャロー・トレンチ・アイソレーションの応力効果および光学的近接効果を相殺することによって半導体デバイスを製造する方法 - 特許庁

Semiconductor devices include an insulated trench electrode 11 in a trench 20, for example, trench-gate field effect power transistors and trenched Schottky diodes, a cavity 23 is provided between the bottom 25 of the trench electrode 11 and the bottom 27 of the trench 20 to reduce the dielectric coupling between the trench electrode 11 and the body portion 14 at the bottom 27 of the trench 20.例文帳に追加

トレンチ型電界効果パワートランジスタ及びトレンチ型ショットキダイオードのような、トレンチ２０において絶縁トレンチ電極１１を含む半導体デバイスにおいて、トレンチ２０の底部２７において本体部分１４とトレンチ電極１１との間の誘電結合部を低減させるために、トレンチ２０の底部２７とトレンチ電極１１の底部２５との間にキャビティ２３がもたらされる。 - 特許庁

To provide a method capable of manufacturing a trench type metal oxide film semiconductor field effect transistor (MOSFET) upward.例文帳に追加

トレンチ型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)が上方向に作製され得る方法を提供すること。 - 特許庁

A silicon nitride film is formed on an active trench side wall, on which the n channel field-effect transistor is formed, and the silicon nitride films are formed only in the channel direction and the vertical direction on the active trench side wall of the p channel field-effect transistor.例文帳に追加

nチャネル型電界効果トランジスタが形成されるアクティブの溝側壁にシリコン窒化膜を設け、さらにpチャネル型電界効果トランジスタのアクティブの溝側壁にはチャネル方向と垂直方向のみシリコン窒化膜を設ける。 - 特許庁

Because there is the trench, a short channel effect can be inhibited by properly setting a depth of the trench though a distance between a source electrode layer and a drain electrode layer is short.例文帳に追加

また、トレンチを有することで、ソース電極層とドレイン電極層との距離を狭くしても該トレンチの深さを適宜設定することで、短チャネル効果を抑制することができる。 - 特許庁

Consequently, the effect which is caused by the fact that a threshold value of the JFET structure at the tip part of the trench 6 is deviated from the threshold value of the JFET structure at the portion positioned at the major side of the trench 6, is prevented.例文帳に追加

これにより、トレンチ６の先端部のＪＦＥＴ構造の閾値がトレンチ６の長辺に位置する部分のＪＦＥＴ構造の閾値からずれることによる影響を受けることがない。 - 特許庁

To provide a trench DMOS field-effect transistor and its manufacturing method by which the capacitance between drain and gate can be reduced.例文帳に追加

ドレイン・ゲート間容量を低減させることが可能なトレンチ型ＤＭＯＳ電界効果トランジスタ及びその製造方法を実現する。 - 特許庁