to siとは 意味・読み方・使い方

Further, in the composition of the steel sheet, the content of Si is controlled to ≤0.3%, P to ≤0.02%, Ti to 0.01 to 0.5%, and Nb to 0.01 to 0.5%.例文帳に追加

さらに鋼板組成をSi：0.3%以下、P：0.02%以下、Ti：0.01〜0.5%、Nb：0.01〜0.5%とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the Si-SiC material manufactured by impregnating the material with molten Si comprises manufacturing the Si-SiC material by heat treating a molding consisting of a powder mixture composed of SiC, Si and C at a temperature above the melting point of the Si to make a calcined body and impregnating the calcined body with the molten Si at a temperature above the melting point of the Si.例文帳に追加

溶融Siを含浸して製造するSi-SiC材料において、SiC、Si、Cの混合粉よりなる成形体をSiの融点以上の温度で熱処理して仮焼体を作製し、該仮焼体にSiの融点以上の温度で溶融Siを含浸させてSi-SiC材料を作製することを特徴とするSi-SiC材料の製造方法である。 - 特許庁

Incident luminous energy of the a-Si TFT 1 is reduced by a filter 3 to delay the progress of light deterioration in the a-Si TFT 1.例文帳に追加

a-Si TFT１の入射光量をフィルタ３で減らし、a-Si TFT１の光劣化の進行を遅らせる。 - 特許庁

The value of γp(%) satisfies 20 to 65%, which is calculated by formula (1): γp=420X[C]+470X[N]+23X[Ni]+12X[Cu]+7X[Mn]-11.5X([Cr]+[Si])-52X[Al]-49X[Ti]+189, wherein [ ] denotes mass%.例文帳に追加

γp ＝420X[C]+470X[N]+23X[Ni]+12X[Cu]+7X[Mn]-11.5X([Cr]+[Si])-52X[Al]-49X[Ti] +189 ……(1) 。 - 特許庁

The film is attached by using an organic silicon compound precursor so as to allow a residual film to comprise a backbone structure substantially comprising a Si-O-Si or Si-N-Si group and an organic side group bonded to the backbone structure.例文帳に追加

フィルムは、残基フィルムがSi-O-Si又はSi-N-Si基から実質的になるバックボーン構造及び前記バックボーン構造に結合している有機側基からなるように、有機ケイ素化合物プリカーサーを使用して付着する。 - 特許庁

A slab steel having a C content: C [wt.%] of 0.08 to 0.55, an Si content: Si [wt.%] of 0.02 to 0.60; and an Mn content: Mn [wt.%] of 0.3 to 1.5 is used as an object.例文帳に追加

C含有量C[wt%]を0.08〜0.55とし、Si含有量Si[wt%]を0.02〜0.60とし、Mn含有量Mn[wt%]を0.3〜1.5とするスラブ鋼を対象とする。 - 特許庁

The atom ratio (Ca/Si) of Ca to Si is ≥1.例文帳に追加

ＣａとＳｉとの原子比（Ｃａ／Ｓｉ）は、１以上である。 - 特許庁

To solve the problem in the conventional method of sputtering method employing an Al-Si-Cu target, that Si nodules are generated when an Al- interconnection film is deposited.例文帳に追加

Al-Si-Cuターゲットによるスパッタ法で、Al配線膜を堆積させるときに生ずるSiのノジュールが発生してしまう。 - 特許庁