titanium silicide formationとは 意味・読み方・使い方

To provide an easy formation of titanium silicide film having a flat and uniform surface.例文帳に追加

表面が平坦で均一なチタンシリサイド膜を容易な方法で形成すること。 - 特許庁

Then, a titanium silicide layer 21c of the upper surface 13a of the gate electrode 13 can be prevented from being connected with the sidewalls 41a and 41b in the titanium silicide layer 21c formation step.例文帳に追加

このため、チタンシリサイド層２１ｃ形成工程において、ゲート電極１３の上面１３ａのチタンシリサイド層２１ｃが、サイドウォール４１ａ、４１ｂとつながることを防ぐことができる。 - 特許庁

After the formation of sidewall 106, a diffused layer 107 is formed and then the first titanium silicide film 108 is formed.例文帳に追加

次にサイドウォール１０６を形成した後、拡散層１０７を形成し、その上に第１のチタンシリサイド１０８を形成する。 - 特許庁

Since siolicon used for the formation of titanium silicide films 31a and 31b is supplied from a polysilicon film 29, it is possible to form the silicide films 31a and 31b thick even if the source 17a and drain 17b are shallow.例文帳に追加

チタンシリサイド膜３１ａ、３１ｂ形成に使われるシリコンは、ポリシリコン膜２９から供給されるので、ソース１７ａ、ドレイン１７ｂが浅くても、シリサイド膜３１ａ、３１ｂを厚くすることが可能となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method with which a contact part can be kept thermally stable and resistance increase is prevented, even if a high-temperature treatment is applied after formation of titanium silicide.例文帳に追加

チタニウムシリサイド形成後に高温処理を行なっても、コンタクト部が熱的に安定であり、抵抗上昇を起こさない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since silicon used for the formation of titanium silicide films 31a and 31b is supplied from a polysilicon film 29 in addition to the source 17a and drain 17b, it is possible to form the silicide films 31a and 31b thick even if the source 17a and drain 17b are shallow.例文帳に追加

チタンシリサイド膜３１ａ、３１ｂ形成に使われるシリコンは、ソース１７ａ、ドレイン１７ｂから供給されるほか、ポリシリコン膜２９からも供給されるので、ソース１７ａ、ドレイン１７ｂが浅くても、シリサイド膜３１ａ、３１ｂを厚くすることが可能となる。 - 特許庁

After forming a side wall insulation film in the common contact section 11A and second gate electrode 11B, a titanium film is formed over the entire surface, and then is heat-treated to form a titanim silicide film on the common contact section 11A, on the second gate electrode 9, and on the source and drain formation region.例文帳に追加

そして、前記共通コンタクト部１１Ａと第２のゲート電極１１Ｂに側壁絶縁膜を形成した後、全面にチタン膜を形成し熱処理することで、共通コンタクト部１１Ａ上と第２のゲート電極９上及びソース・ドレイン形成領域上にチタンシリサイド膜を形成する。 - 特許庁