thin film reactorとは 意味・読み方・使い方

The use of reactor-type TPO (thermoplastic polyolefin) as the olefin-based thermoplastic elastomer 12 makes the film 10 uniform and thin.例文帳に追加

そして、オレフィン系熱可塑性エラストマー12としてリアクター型ＴＰＯを用いることにより、均質で且つ薄いフィルム10を製造することができる。 - 特許庁

To provide a reactor which hardly causes vibration or noise by forming a thin film of damping material between a case bottom surface and a core bottom surface in a fixed thickness.例文帳に追加

ケース底面とコア底面との間に制振材の薄膜を一定の厚さで形成でき、振動やノイズが発生しにくいリアクトルを提供する。 - 特許庁

A vapor phase growth apparatus 100 for vapor-growing the thin film on the principal surface of the semiconductor substrate comprises a susceptor 2 in a cold wall type reactor 1.例文帳に追加

半導体基板の主表面に薄膜を気相成長させる気相成長装置１００は、コールドウォール型の反応炉１の中にサセプタ２を備えている。 - 特許庁

In the thickness distribution measuring step, a set of setting value groups are applied in a reactor 3P to firm a thin film on the semiconductor substrate and thickness distribution M is measured.例文帳に追加

膜厚分布実測工程では、反応炉３Ｐ内で１組の設定値群を適用して半導体基板に薄膜を形成し、膜厚分布Ｍを実測する。 - 特許庁

To grow a semiconductor thin film at a high yield by controlling a gaseous material supplied to each reactor of an organic metal vapor growth apparatus provided with a plurality of reactors.例文帳に追加

複数台のリアクター備えた有機金属気相成長装置の各リアクターに供給する材料ガスを制御し、高歩留まりで半導体薄膜を成長する。 - 特許庁

To provide a reactor having a characteristic of a low temperature growth thin film, in which photoelectric elements and electronic elements of various kinds are improved and quality of an integrated circuit element is improved.例文帳に追加

低温成長薄膜の特性を備え、様々な種類の光電素子及び電子素子を改善し、集積回路素子の品質を改善することができる反応装置を提供する。 - 特許庁

The reactor forms the insulating film 37 with the coefficient of linear expansion equivalent to metal evenly by an application method, and generates no crack or peeling on the film even operated at a high temperature, thereby improving the reliability in electric insulation for insulating the thin film heater 32 from the radiation prevention film 38.例文帳に追加

金属と同等の線膨張係数である絶縁膜３７を塗布法により平坦に形成することができ、高温動作させても絶縁膜３７に亀裂や剥離が生じることがなく、薄膜ヒータ３２と輻射防止膜３８とを絶縁する電気的絶縁の信頼性を向上させることができる。 - 特許庁

When a wafer is taken out from an epitaxial reactor and taken into a carrying part, an oxide thin film having a thickness of ≤1 nm is formed by introducing a small amount of oxygen into the inert gas in a carrying chamber and taking the wafer into the carrying chamber at ≥600°C immediately after forming an epitaxial film.例文帳に追加

エピタキシャル反応室から搬送部に取り出す時に、搬送室内の不活性ガス中に僅かに酸素を存在させ、エピタキシャル膜形成直後に600℃以上でウェーハを搬送室に取り出して表面に1nm以下の薄い酸化膜を形成させる。 - 特許庁