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thin Si filmとは 意味・読み方・使い方

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Weblio専門用語対訳辞書での「thin Si film」の意味

thin Si film

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「thin Si film」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 352



例文

METHOD FOR MANUFACTURING Si THIN FILM, Si THIN FILM, AND SOLAR BATTERY例文帳に追加

Si薄膜の作製方法、Si薄膜、及び太陽電池 - 特許庁

METHOD FOR FORMING Si CRYSTAL THIN FILM例文帳に追加

Si結晶薄膜の形成方法 - 特許庁

METHOD FOR DEPOSITING POLYCRYSTALLINE SI THIN FILM, POLYCRYSTALLINE SI THIN FILM AND PHOTOVOLTAIC ELEMENT例文帳に追加

多結晶Si薄膜の堆積法、多結晶Si薄膜及び光起電力素子 - 特許庁

METHOD FOR FORMING POLYCRYSTALLINE SI THIN FILM, POLYCRYSTALLINE SI THIN FILM AND PHOTOVOLTAIC ELEMENT例文帳に追加

多結晶Si薄膜の形成方法、多結晶Si薄膜及び光起電力素子 - 特許庁

METHOD FOR DEPOSITING POLYCRYSTALLINE SI THIN FILM, POLYCRYSTALLINE SI THIN FILM, PHOTOVOLTAIC ELEMENT AND TARGET例文帳に追加

多結晶Si薄膜の堆積法、多結晶Si薄膜及び光起電力素子並びにターゲット - 特許庁

Then, a laser beam is irradiated, the amorphous Si thin film are changed into polycrystalline Si thin films.例文帳に追加

次にレーザービームを照射し、非晶質Siを多結晶Si薄膜にする。 - 特許庁

例文

The piezoelectric thin film resonator includes an Si substrate 12.例文帳に追加

圧電薄膜共振子10はSi基板12を含む。 - 特許庁

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「thin Si film」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 352



例文

The core 42 comprises a structure composed by laminating a Si thin film 421, a polymer thin film 422 and a Si thin film 423 in a direction vertical to the substrate 1.例文帳に追加

コア42は、Si薄膜421、ポリマ薄膜422およびSi薄膜423を基板1に垂直な方向へ積層した構造からなる。 - 特許庁

The metal thin film 4 is grounded and a negative voltage is applied to the Si substrate 1 or the boron nitride film 2.例文帳に追加

金属薄膜4を接地し、Si基板1又は窒化硼素膜2にマイナスの電位をかける。 - 特許庁

The core 43 comprises a structure composed by laminating a Si thin film 431, a polymer thin film 432 and a Si thin film 433 in the direction vertical to the substrate 1.例文帳に追加

コア43は、Si薄膜431、ポリマ薄膜432およびSi薄膜433を基板1に垂直な方向へ積層した構造からなる。 - 特許庁

The crystal thin film 42 consists of i-type poly-Si.例文帳に追加

結晶薄膜42は、i型poly−Siからなる。 - 特許庁

METHOD OF FORMING COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM ON SI SUBSTRATE例文帳に追加

Si基板上への化合物半導体薄膜形成方法 - 特許庁

The electrode 5 is formed in contact with the Si thin film 423, and the electrode 6 is formed in contact with the Si thin film 433.例文帳に追加

電極5は、Si薄膜423に接して形成され、電極6は、Si薄膜433に接して形成される。 - 特許庁

METHOD OF FORMING SILICON CONTAINING THIN FILM USING ORGANIC COMPOUND CONTAINING SI WITH SI-SI BOND例文帳に追加

Si−Si結合を有する有機Si含有化合物を用いたSi含有薄膜の形成方法 - 特許庁

例文

To make a thin film of a solid compound containing a Si-O-Si bond and to form a fine pattern in a thin film of the solid compound containing the Si-O-Si bond.例文帳に追加

Si−O−Si結合を含む固体化合物の薄膜化を図り、並びに薄膜化したSi−O−Si結合を含む固体化合物の微細パターン形成を行う。 - 特許庁

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