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thin Si filmとは 意味・読み方・使い方
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「thin Si film」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 352件
METHOD FOR MANUFACTURING Si THIN FILM, Si THIN FILM, AND SOLAR BATTERY例文帳に追加
Si薄膜の作製方法、Si薄膜、及び太陽電池 - 特許庁
METHOD FOR DEPOSITING POLYCRYSTALLINE SI THIN FILM, POLYCRYSTALLINE SI THIN FILM AND PHOTOVOLTAIC ELEMENT例文帳に追加
多結晶Si薄膜の堆積法、多結晶Si薄膜及び光起電力素子 - 特許庁
METHOD FOR FORMING POLYCRYSTALLINE SI THIN FILM, POLYCRYSTALLINE SI THIN FILM AND PHOTOVOLTAIC ELEMENT例文帳に追加
多結晶Si薄膜の形成方法、多結晶Si薄膜及び光起電力素子 - 特許庁
METHOD FOR DEPOSITING POLYCRYSTALLINE SI THIN FILM, POLYCRYSTALLINE SI THIN FILM, PHOTOVOLTAIC ELEMENT AND TARGET例文帳に追加
多結晶Si薄膜の堆積法、多結晶Si薄膜及び光起電力素子並びにターゲット - 特許庁
Then, a laser beam is irradiated, the amorphous Si thin film are changed into polycrystalline Si thin films.例文帳に追加
次にレーザービームを照射し、非晶質Siを多結晶Si薄膜にする。 - 特許庁
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「thin Si film」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 352件
The core 42 comprises a structure composed by laminating a Si thin film 421, a polymer thin film 422 and a Si thin film 423 in a direction vertical to the substrate 1.例文帳に追加
コア42は、Si薄膜421、ポリマ薄膜422およびSi薄膜423を基板1に垂直な方向へ積層した構造からなる。 - 特許庁
The metal thin film 4 is grounded and a negative voltage is applied to the Si substrate 1 or the boron nitride film 2.例文帳に追加
金属薄膜4を接地し、Si基板1又は窒化硼素膜2にマイナスの電位をかける。 - 特許庁
The core 43 comprises a structure composed by laminating a Si thin film 431, a polymer thin film 432 and a Si thin film 433 in the direction vertical to the substrate 1.例文帳に追加
コア43は、Si薄膜431、ポリマ薄膜432およびSi薄膜433を基板1に垂直な方向へ積層した構造からなる。 - 特許庁
The crystal thin film 42 consists of i-type poly-Si.例文帳に追加
結晶薄膜42は、i型poly−Siからなる。 - 特許庁
The electrode 5 is formed in contact with the Si thin film 423, and the electrode 6 is formed in contact with the Si thin film 433.例文帳に追加
電極5は、Si薄膜423に接して形成され、電極6は、Si薄膜433に接して形成される。 - 特許庁
METHOD OF FORMING SILICON CONTAINING THIN FILM USING ORGANIC COMPOUND CONTAINING SI WITH SI-SI BOND例文帳に追加
Si−Si結合を有する有機Si含有化合物を用いたSi含有薄膜の形成方法 - 特許庁
To make a thin film of a solid compound containing a Si-O-Si bond and to form a fine pattern in a thin film of the solid compound containing the Si-O-Si bond.例文帳に追加
Si−O−Si結合を含む固体化合物の薄膜化を図り、並びに薄膜化したSi−O−Si結合を含む固体化合物の微細パターン形成を行う。 - 特許庁
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