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tetraethyl orthosilicateとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 テトラエチルオルトけい酸エステル; オルトけい酸テトラエチル; テトラエチルオルトケイ酸塩
「tetraethyl orthosilicate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
Preferably, the insulation oxide layer 20 comprises tetraethyl orthosilicate.例文帳に追加
好ましくは、絶縁酸化物層２０はオルトケイ酸テトラエチルを含む。 - 特許庁
Tetraethyl orthosilicate (TEOS), tetramethyl orthosilicate (TMOS) or a mixture thereof is used as the tetraalkyl orthosilicate (TAOS), and methyltrimethoxysilane (MTMS), methyltriethoxysilane (MTES) or a mixture thereof is used as the alkoxysilane.例文帳に追加
テトラアルキルオルソシリケート（ＴＡＯＳ）には、テトラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）、テトラメチルオルソシリケート（ＴＭＯＳ）またはその混合物を用い、アルコキシシランには、メチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＳ）、メチルトリエトキシシラン（ＭＴＥＳ）またはその混合物を用いる。 - 特許庁
To provide a method of forming an insulating film which makes possible further planarization during growth of the insulating film, using tetraethyl orthosilicate(TEOS) method.例文帳に追加
ＴＥＯＳ法を用いた絶縁膜の成長について、より平坦化を図り得る絶縁膜形成方法を提供する。 - 特許庁
Successively, a second seed layer which can adjust a boron content and is used for forming the insulating film 18 is formed using triethyl borate, tetraethyl orthosilicate and oxygen gas, and the insulating film 18 comprising the BPSG film is formed using riethyl borate, triether phosphate, tetraethyl orthosilicate and ozone gas.例文帳に追加
続けて、トリエチルボレート、テトラエチルオルトシリケートおよび酸素ガスを使用してホウ素の含量調節が可能である絶縁膜形成のための第２シード層を形成し、トリエチルボレート、トリエチルホスフェート、テトラエチルオルトシリケートおよびオゾンガスを使用してＢＰＳＧ膜を含む絶縁膜１８を形成する。 - 特許庁
A selective oxidation semi- atmospheric pressure chemical vapor deposition (SELOX SACVD) comprises depositing silicon dioxide on the wafer, using an ozone-activated tetraethyl orthosilicate process.例文帳に追加
さらに、選択的酸化準大気圧化学気相堆積(SELOX SACVD）は、オゾン活性オルトケイ酸テトラエチルプロセスを用いて、ウェーハの上に二酸化ケイ素を堆積する。 - 特許庁
To effectively utilize ethanol in a method for producing a silica microparticle dispersion liquid comprising hydrolyzing tetraethyl orthosilicate in the presence of an alkali in an ethanol solvent.例文帳に追加
アルカリ存在下、テトラエチルオルソシリケートをエタノール溶媒中にて加水分解するシリカ微粒子分散液の製造方法において、エタノールの有効利用を図る。 - 特許庁
Silicone compounds include tetramethyl orthosilicate, tetraethyl orthosilicate, tetrapropyl orthosilicate, trimethoxysilane, trietoxysilane, triethoxychlorsilane and the like.例文帳に追加
珪素化合物担持工程：固体シリカに珪素化合物を担持することにより、珪素が担持された固体を得る工程 チタン化合物担持工程：珪素化合物担持工程で得られた固体にチタン化合物を担持することにより、チタン含有珪素酸化物触媒を得る工程 珪素化合物としては、たとえばテトラメチルオルトシリケート、テトラエチルオルトシリケート、テトラプロピルオルトシリケート、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリエトキシクロロシラン等があげられる。 - 特許庁
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ウィキペディア英語版での「tetraethyl orthosilicate」の意味 |
Tetraethyl orthosilicate
出典:『Wikipedia』 (2011/05/05 07:53 UTC 版)
「tetraethyl orthosilicate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
In the manufacturing method of an insulating film comprising a BPSG film, an oxidizing atmosphere is composed in a substrate 10 formed with an etching stop film 12 using oxygen gas, and thereafter, a first seed layer is formed using tetraethyl orthosilicate and oxygen gas.例文帳に追加
エッチング阻止膜１２が形成された基板１０に酸素ガスを使用して酸化性雰囲気を組成した後に、テトラエチルオルトシリケートおよび酸素ガスを使用して第１シード層を形成する。 - 特許庁
To provide a method for simply and effectively forming a flat insulating film (O3-TEOS(tetraethyl orthosilicate) NSG(non-doped silicate glass) film) in which base dependence can be reduced, and a method for manufacturing a semiconductor device adapting this film forming method.例文帳に追加
簡便かつ効果的に下地依存性の少ない平坦な絶縁膜（Ｏ_3 −ＴＥＯＳ ＮＳＧ膜）を成膜する方法、及びこの成膜方法を適用する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
Polyoxyethylene laurylmine (C_12H_25-NH-(EtO)_5) of 10.1 g (0.025 mol) is dissolved in a mixed solvent of water of 135 g (7.49 mol) and ethanol of 47.0 g (1.00 mol) at a room temperature, and tetraethyl orthosilicate of 15.62 g (0.075 mol) is added thereto.例文帳に追加
室温で、ポリオキシエチレンラウリルアミン（Ｃ_１２Ｈ_２５−ＮＨ−（ＥｔＯ）_５）１０．１ｇ（０．０２５モル）を水１３５ｇ（７．４９モル）とエタノール４７．０ｇ（１．００モル）の混合溶媒に溶かし、ここへテトラエチルオルトシリケート１５．６２ｇ（０．０７５モル）を添加した。 - 特許庁
To provide a cleaning method of heat processing equipment in which cleaning operation can be carried out quickly by removing an unnecessary film, i.e. a silicon oxide film formed by TEOS (tetraethyl orthosilicate), adhering to the structure in the heat processing equipment efficiently and quickly at a high etching rate.例文帳に追加
熱処理装置内の構造物に付着した不要な膜であるＴＥＯＳによるシリコン酸化膜を高いエッチングレートで効率的に、且つ迅速に除去するようにしてクリーニング処理を迅速に行うことが可能な熱処理装置のクリーニング方法を提供する。 - 特許庁
This film deposition system 1 has a mixing tank 30 for mixing gaseous TEOS(tetraethyl orthosilicate) with gaseous O2 and a shower plate 60 for introducing the gaseous mixture mixed in the mixing tank 30 into a vacuum chamber 2, and an end connection 61 of a gas flow passage 42 of the mixing tank 30 is directly connected to a through hole 50 of an electrode 3.例文帳に追加
本発明の成膜装置１は、ＴＥＯＳガスとＯ_2ガスとを混合するミキシングタンク３０と、ミキシングタンク３０で混合されたガスを真空槽２内にガスを導入するシャワープレート６０とを有しており、ミキシングタンク３０の気体流路４２の接続口６１と、電極３の貫通孔５０とが直結されている。 - 特許庁
Preferable mesoporous oxide films are formed, by performing spin-on deposition of the sol-gel precursor containing tetraethyl orthosilicate, water and a surfactant in an alcohol-based solvent onto a substrate, to cure the deposited sol-gel precursor to form a cubic-phase film and exposing the film to an oxidizing atmosphere.例文帳に追加
好ましい中多孔性酸化物膜は、アルコールベースの溶剤中にテトラエチルオルトシリケート、水及び界面活性剤を含むゾルゲル前駆物質の基板上へのスピン・オン処理、立方相膜を形成するための処理されたゾルゲル前駆物質の硬化、次いで、その膜を酸化環境にさらすことによって作る。 - 特許庁
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