tantalum ionとは 意味・読み方・使い方

To provide a plasma source having a filament made of tantalum and having little deformation due to its own weight at heating of the filament, and to provide an ion source equipped with the same.例文帳に追加

タンタル製のフィラメントを有しており、しかも当該フィラメントの加熱時の自重による変形が少ないプラズマ源およびそれを備えるイオン源を提供する。 - 特許庁

Preferably, the ion source additionally has first and second conductive leg parts supporting the end parts of the filament, the filament is made of tungsten, the first and second conductive leg parts are formed of tantalum, and a filament support assembly is made of molybdenum.例文帳に追加

前記サポート部材は、イオン源の作動中、フィラメント・サポート・アセンブリのフィラメントに対する把持が緩んだ場合に、フィラメントをカソード内で所望の位置に維持するように構成されている。 - 特許庁

This lithium ion conducting solid electrolyte contains at least a lithium sulfide (Li2S), and also contains at least one kind selected from a niobium sulfide and a tantalum sulfide.例文帳に追加

結晶質のものでは、耐熱温度が高くなるもののリチウムイオンの伝導経路が等方的で、薄膜電池の場合に界面での電荷移動抵抗が高くなり、放電特性が低下する。 - 特許庁

The method comprising the steps for providing a substrate 11 having a surface and a backside; depositing a film 15 composed of tantalum nitride (TaN) on the surface of the substrate by means of ion beam sputtering, in order to absorb EUV light used in a photolithography process; and depositing an electrically conductive film 16 on the backside of the substrate by means of ion beam sputtering.例文帳に追加

表面と裏面を有する基板１１を設ける工程と、フォトリソグラフィープロセスに使用されるＥＵＶ光を吸収するために、基板の表面にイオンビームスパッタリングにより窒化タンタル（ＴａＮ）からなる膜１５を沈積する工程と、基板の裏面にイオンビームスパッタリングにより導電膜１６を沈積する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device by which satisfactory etching can be performed by strengthening etching utilizing a chemical action by lowering ion energy at the time of etching metallic films composed of titanium, molybdenum, tantalum, etc., or their nitrides or silicides; and to provide a semiconductor manufacturing device for executing the method.例文帳に追加

チタン、モリブデン、タンタル等の金属膜や、その窒化膜、珪化膜をエッチングする際に、イオンエネルギーを下げて、化学的な作用によるエッチングを増強し、良好なエッチングの行える半導体装置の製造方法およびそれを実施するための半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

The anode is preferably an insoluble electrode provided with a covering formed of iridium oxide and a metal or a metal oxide selected among platinum, tantalum, titanium and niobium, and a neutral membrane or an ion-exchange membrane is preferably provided between the anode and the cathode.例文帳に追加

前記陽極が、イリジウム酸化物と、白金、タンタル、チタン及びニオブから選ばれた金属又は金属酸化物とからなる被覆を設けた不溶性電極であること、陽極と陰極との間に隔膜として中性膜あるいはイオン交換膜を設けることが好ましい。 - 特許庁

The memory element 10 comprises a memory layer 3 disposed between a first electrode 2 and a second electrode 6, and consisting of an oxide containing tantalum or silicon and a rare earth element; and an ion source layer 4 containing any element selected from Cu, Ag, and Zn and making contact with the memory layer 3.例文帳に追加

第１の電極２と第２の電極６との間に記憶層３が配置され、この記憶層３に接して、Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎから選ばれるいずれかの元素が含まれたイオン源層４が設けられ、記憶層３がタンタル又はシリコンと希土類元素とを含有する酸化物から成る記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

The production method for the carbon composition material for the reducing atmosphere furnace is carried out by using metal Ta as a target material and the reactive gas containing C and forming the tantalum carbide coating film on the graphite substrate having the above thermal expansion coefficient as the characteristic value by an arc ion plating (AIP) type reactive vapor deposition method.例文帳に追加

また、本発明の還元性雰囲気炉用炭素複合材料の製造方法は、ターゲット材としての金属Ｔａ及びＣを含む反応ガスを使用してアークイオンプレーティング（ＡＩＰ）式反応性蒸着法により上記の熱膨張係数を特性値として有する黒鉛基材の表面に炭化タンタルの皮膜を形成する。 - 特許庁