strain-slipとは 意味・読み方・使い方

Pressure being applied to the drum part 1a can be detected as the amount of displacement of the strain gauge 3, and the detection signal of the strain gauge 3 can be taken out even while the split spool 1 is rotating by a contact-type slip ring 6 or the like.例文帳に追加

巻胴部１ａに加わる圧力を歪みゲージ３の変位量として検出でき、接触型スリップリング６等により分割スプール１の回転中も歪みゲージ３の検出信号を取り出すことができる。 - 特許庁

The bulk metallic glass has a characteristic of introducing plastic strain to improve ductility of a portion including a slip band by plastic working such as rolling.例文帳に追加

バルク金属ガラスは、転造加工のような塑性加工により、塑性ひずみが導入されてすべり帯含む部分の延性が向上するという特性をもつ。 - 特許庁

A required surface frictional resistance force can be set by the uniform strain distribution, and insufficient rotation may be hardly caused at the beginning of rotation, and stick-slip may not be generated.例文帳に追加

均一な歪み分布により必要な面摩擦抵抗力を設定でき、回動の初動時にひっかかりが小さく、スティックスリップも生じない。 - 特許庁

To provide a method of producing a compound semiconductor single crystal, by which the internal strain in the crystal is removed after growing the crystal, thereby the occurrence of a crack or a slip can be prevented in the working process.例文帳に追加

結晶成長後の結晶内の内部歪みを除去し、加工工程でのクラック・スリップの発生を防止できる化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an LEC process compound semiconductor single crystal capable of preventing the occurrence of a crack in a processing process and the occurrence of a slip in an epitaxial growth process by stably and effectively removing the internal strain.例文帳に追加

安定かつ効果的に内部歪みを除去して、加工工程でのクラックの発生及びエピ工程でのスリップの発生を防止できるＬＥＣ法化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the Al-Mg-Si aluminum alloy sheet, the average spacing of Mg_2Si precipitates in a crystal grain is ≥40 nm, and also the average distance between slip-band structures existing in the crystal grain at the surface of the aluminum alloy sheet and occurring when 5% strain is applied to the aluminum alloy sheet is ≤1.5 μm.例文帳に追加

Al-Mg-Si系アルミニウム合金板において、結晶粒内のMg_2Si 析出物の平均間隔が40nm以上であり、かつ、アルミニウム合金板表面の結晶粒内のすべり帯組織であって、アルミニウム合金板に5%の歪みを与えた際に生じるすべり帯組織同士の平均間隔が1.5 μm 以下であるものとする。 - 特許庁