strain-energy densityとは 意味・読み方・使い方

For each of a plurality of finite elements, strain energy density U' and kinetic energy density T' are computed.例文帳に追加

複数の有限な要素のそれぞれについて、ひずみエネルギー密度Ｕ´と運動エネルギー密度Ｔ´を演算する。 - 特許庁

To provide a coefficient calculation device capable of simply calculating the coefficient of a strain energy density function, a coefficient calculation method and a coefficient calculation program.例文帳に追加

簡便にひずみエネルギー密度関数の係数を算出することができる係数算出装置、係数算出方法、及び係数算出プログラムを提供すること。 - 特許庁

Volume variation dV is computed on the assumption that for each of the plurality of finite elements, volume sensitivity dΩ/dV, a frequency difference dΩ, the natural frequency Ω_1r of an estimated structure, strain energy density U' and kinetic energy density T' are in a relationship of dΩ/dV=(U'-T')/2Ω_1r.例文帳に追加

複数の有限な要素のそれぞれについての体積感度ｄΩ／ｄＶと、振動数差ｄΩと、推定構造物の固有振動数Ω_1rと、ひずみエネルギー密度Ｕ´と運動エネルギー密度Ｔ´とが、ｄΩ／ｄＶ＝（Ｕ´−Ｔ´）／２Ω_1rの関係になることを前提として、体積変化量ｄＶを演算する。 - 特許庁

In a compound semiconductor 1 composed of a buffer layer 3 and a compound semiconductor layer 4 formed on a substrate 2, the surface of at least either of the buffer layer 3 and the compound semiconductor layer 4 is formed into a wavelike surface having an unevenness in a specific direction; thus strain energy in the crystal can be reduced and dislocation density by the crystal defects can be reduced.例文帳に追加

基体２上に、バッファ層３と化合物半導体層４とが形成された化合物半導体１において、バッファ層３及び化合物半導体層４の少なくとも一方の表面を特定の方向に凹凸を有する波状面とすることにより、結晶内部の歪エネルギーを低減することができ、結晶欠陥による転位密度を低減することが可能とされる。 - 特許庁

The infrared sensor 65 which detects changes in the energy density of receiving an infrared ray 69 by irradiating the infrared ray 69 (or a load cell 71 which detects that a load corresponding to weight of the rider M is applied on a rear cushion 43, or a strain detection sensor 81 which detects a detection part 77a on an operation member 75 has strained downward a predetermined amount) is provided.例文帳に追加

赤外線６９を照射することによって受光される赤外線６９のエネルギー密度の変化を検知する赤外線センサ６５（又はリヤクッション４３に乗員Ｍの重量に応じた荷重が作用したことを検知するロードセル７１、又は作動部材７５における被検知部７７ａが下方向へ所定量撓んだことを検知する撓み検知センサ８１）を備える。 - 特許庁