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sphalerite structureとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 閃亜鉛鉱型結晶; せん亜鉛鉱型構造
「sphalerite structure」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
This figure shows the sphalerite structure that is projected along [011].発音を聞く 例文帳に追加
この図は[011](方位)に沿って投影される亜鉛鉱構造を示す。 - 科学技術論文動詞集
SPHALERITE-TYPE CrSb, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND MULTILAYER FILM STRUCTURE例文帳に追加
閃亜鉛鉱型CrSb、閃亜鉛鉱型CrSbの製造方法、及び多層膜構造 - 特許庁
To manufacture an MnAs dot having a sphalerite type crystal structure which has been only a virtual one.例文帳に追加
仮想的な存在にすぎなかった閃亜鉛鉱型結晶構造を備えたMnAsドットを作製する。 - 特許庁
It is found that MnAs having a hexagonal crystal structure normally forms a sphalerite type crystal structure by sulfur termination treating the substrate surface.例文帳に追加
基板表面を硫黄終端化することにより、通常は六方晶の結晶構造を有するMnAsが閃亜鉛鉱型の結晶構造を形成することがわかった。 - 特許庁
The magnetoresistive element is constituted by using the ferromagnetic material which is MnM (M is silicon, germanium, or tin or a combination of ≥2 kinds of them) whose crystal structure has a sphalerite type.例文帳に追加
結晶構造が閃亜鉛鉱型を有するMnM(Mはシリコン,ゲルマニウム,および錫の1種あるいは2種以上の組み合わせ)である強磁性材料を用い、磁気抵抗素子を構成する。 - 特許庁
A PBS 100 includes a first optical coupler 110, a birefringence application part 120, a birefringence adjustment part 130, and a second optical coupler 140 on a semiconductor substrate 101 having a sphalerite type structure.例文帳に追加
PBS100は、第1の光カプラ110と、複屈折率付与部120と、た複屈折率調整部130と、第2の光カプラ140とを、閃亜鉛鉱型構造を有する101半導体基板上に備える。 - 特許庁
The half-metallic antiferromagnetic material is a compound having a crystal structure of nickel arsenic type, sphalerite type, wurtzide type, chalcopyrite type, or lock salt type, and is comprised of two or more types of magnetic elements and chalcogens or pnictogens.例文帳に追加
本発明に係るハーフメタリック反強磁性体は、ニッケルヒ素型、閃亜鉛鉱型、ウルツ鉱型、カルコパイライト型或いは岩塩型の結晶構造を有する化合物であって、2種類以上の磁性元素とカルコゲン或いはプニクトゲンとから構成されている。 - 特許庁
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「sphalerite structure」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
The nitride semiconductor wafer is formed by stacking a nitride semiconductor lamination structure including at least a p-type conductive layer and an n-type conductive layer, on a substrate wherein the group V polarity surface of a wurtzite or sphalerite type nitride semiconductor is provided on its upper most surface.例文帳に追加
最表面にウルツ鉱型又は閃亜鉛鉱型の窒化物半導体のV族極性面を有する基板上に、少なくともp型伝導層とn型伝導層を含む窒化物半導体積層構造を積層した窒化物半導体ウェハの構造とする。 - 特許庁
To obtain a compound semiconductor single crystal having a sphalerite-type structure, such as GaAs, in a high yield while suppressing the generation of a twin crystal in a crystal diameter increasing part without using complicated equipment, in the manufacture of a single crystal having about (100) orientation by a vertical Bridgman method.例文帳に追加
垂直ブリッジマン法での略(100)方位の単結晶の製造において、煩雑な設備を要せず、結晶増径部において、双晶が発生することを抑制し、高い歩留りでGaAs等の閃亜鉛鉱型構造の化合物半導体単結晶を得る。 - 特許庁
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