solid phase diffusion bondingとは 意味・読み方・使い方

Friction press-bonding and friction stir-bonding are applicable for a method of solid phase diffusion bonding when a hot isostatic press is used.例文帳に追加

固相拡散接合の方法としては、熱間静水圧プレスを使用した接合、摩擦圧着接合、摩擦攪拌接合が適用できる。 - 特許庁

A pure nickel solid phase thin film is formed on the bonding surface of the plate (2), and then the divided flow ways are matched and bonded to each other by a solid phase diffusion bonding method.例文帳に追加

次いで、前記プレート(2) の接合面に純ニッケルの固相薄膜を形成した後、前記分割流路を合わせて固相拡散接合法により接合する。 - 特許庁

Consequently, the conductor layers 11 and interlayer connection members 15b in contact states are bonded through solid-phase diffusion bonding.例文帳に追加

これによって、接触状態にある導体層１１と層間接続部材１５との間が固相拡散接合によって接合される。 - 特許庁

By keeping the piping for at least five minutes with a pressure of ≥20 MPa, the close closing by the solid phase diffusion bonding of the inner surfaces of the piping 12 can be obtained.例文帳に追加

さらに２０MPa以上の加圧力で５分以上保持することで配管１２内面の固相拡散接合による密着閉止を得る。 - 特許庁

A semiconductor device is one constituted by connecting a semiconductor element 1 to a wiring board 3 by a flip-chip bonding method and the joint of a cap 5 provided on the board 3 with the rear of the surface of the element 1 provided with an active layer, is conducted through a metal solid phase diffusion joint layer 91.例文帳に追加

半導体装置は、半導体素子１と配線板３をフリップチップ接続したもので、配線板３に設けたキャップ５と半導体素子の能動層を設けた面の裏面との接合が、金属の固相拡散接合層９１で行われている。 - 特許庁

In the sidewalls of the first and second packages 2 and 3, a high frequency signal line 11 and a high frequency GND line 12 forming a transmission line in combination with via holes are provided in the vertical direction and these packages are subjected to gold - gold solid phase diffusion bonding.例文帳に追加

第１、第２のパッケージ２、３の側壁内部には、ビアホールを組み合わせてなる伝送線路である高周波信号配線１１及び高周波ＧＮＤ配線１２が垂直方向に設けられ、これらのパッケージ間は金−金固相拡散接合により接合されている。 - 特許庁

Probably, it is inferred that by firing the thick-film resistor 6 at a high temperature, bonding force of ceramic particles or conductive particles which constitute the thick-film resistor 6 is reinforced and also is densified, this makes it difficult to generate solid phase diffusion between the thick-film resistor 6 and the glass insulating layer 2 which is in contact therewith.例文帳に追加

恐らく、厚膜抵抗６の高温焼成により、厚膜抵抗６を構成するセラミック粒子や導電粒子の結合力が強化され、また緻密となり、そのために厚膜抵抗６とそれに接するガラス絶縁層２との間で固相拡散が生じにくくなるためと推定される。 - 特許庁